可调谐N通道带通滤波器的设计

为了解决传统滤波器的中心频率不易调节、Q值低、带外抑制差和增益小等问题。本文设计了一种可调谐高Q值的增益提高型N通道带通滤波器,采用两路N通道差分结构和两个跨导放大器构成。差分结构消除偶次谐波,跨导放大器提高电路增益,片外变压器用作平衡-不平衡转换器,改善滤波器Q值并实现阻抗匹配。该滤波器在1.2 V供电电压下,采用TSMC 180 nm CMOS工艺,取N=4构成差分4通道滤波器。Cadence Spectre RF仿真结果显示,滤波器的增益大于8.5dB,中心频率可调范围为0.1～1 GHz,带内插入损耗S_(11)大于10 dB,带外IIP3大于10 dBm,噪声系数小于2.2 dB,在f_s=300 MHz处,带外抑制达到28 dB。该滤波器的高Q值、高可调谐和高性能使其在认知无线领域有着广泛的应用。     

低功耗跨导-电容滤波器及其调谐电路的设计

设计了一种以Nauta跨导为单元结构的5阶切比雪夫跨导-电容带通滤波器及其调谐电路.该电路应用于低中频结构的北斗卫星导航接收机射频前端.滤波器的中心频率为4.092MHz,带宽设计为±2.046 MHz.该滤波器采用锁相环结构的片上自动频率调谐电路,用TSMC0.13 μm RF CMOS工艺实现,芯片面积仅为0.24 mm2,可以在低电压下工作,电路总功耗仅为1.68 mW.     

频率和Q值可控的单跨导二阶通用滤波电路

本文提出了一种利用单跨导元件和电容器构成的通用二阶滤波电路。列出了各种二阶滤波器的电路结构及其传递函数、零点、极点和Q值的计算公式,比较了各种电路的优缺点。由于单跨导元件的跨导值可由外加电压控制,因此滤波器的增益、频率和Q值也受控制。作为一个例子,设计了一个由四节二次型电路级联而组成的八阶带通滤波器,用SPICE程序进行了模拟计算,其结果达到了设计要求,证明电路可行。     

一种基于Gm-C的高Q值模拟中频带通滤波器设计与实现

设计并实现了一种基于Gm-C二次节(Biquad)结构的6阶切比雪夫Ⅰ型模拟中频带通滤波器,中心频率为46MHz,带宽为2.046MHz.其中Biquad结构中加入了负阻抗单元,增加输出阻抗,实现滤波器的高Q值(品质因数).跨导放大器(Operational transconductance amplifier,OTA)单元使用源极负反馈技术,优化了OTA的线性性能.整个滤波器电路采用0.35μm CMOS工艺实现.经过仿真验证,滤波器的通带纹波是2.704dB,1.5倍带宽处衰减大于21dB.在3.3V电源电压情况下,滤波器的总电流消耗为8.87mA.     

一种用于ZigbeeTM接收机的低功耗Gm-C复数滤波器

采用0.18μm CMOS工艺,设计了用于低中频Zigbee接收机的可自动频率调谐的Gm-C复数滤波器.通过跨导放大器(Gm)按比例设计,解决了核心滤波器与PLL调谐电路的匹配问题,达到好的调谐效果.仿真结果显示:滤波器中心频率为2MHz,带宽2MHz,镜像抑制比大干55dB,群延时小于0.9μs,电流功耗仅为1.5mA.     

一款应用于多频带的基于新型Cascode有源电感的高Q带通滤波器

设计了一款基于新型Cascode有源电感和有源负阻电路的二阶差分有源带通滤波器。新型有源电感和有源负阻电路的采用可实现在滤波器Q值不变的条件下对滤波器的中心频率进行调节。仿真结果表明,通过调节有源电感和有源负阻电路的偏置条件,可有效增大滤波器的Q值,且在保持Q值恒定在226的条件下中心频率的变化范围为0.2-3.7GHz。滤波器的以上特性使其能很好地应用于多频带的无线系统。     

双膜基片集成波导（SIW）带通滤波器的设计与仿真

根据多模激励的单腔体谐振器原理以及基片集成波导（SIW）高Q值、低损耗、大功率容量的特点．提出了一种新的SIW方形腔体双膜滤波器的设计方法。该方法通过在SIW腔体两个对称角上切角作为微扰来使简并模式分离并产生耦合．从而形成了中心频率在4．95GHz的窄带带通滤波器,并最终采用直接过渡方式实现了SIW到微带的转换。     

一种LC型CMOS射频带通滤波器及其自动调谐

介绍了一种二阶可调谐CMOS LC型射频带通滤波器及与其匹配的压控振荡器设计.品质因数很高而且可以通过负电导发生电路调谐.目标频率由一组分立的亚波段组成,通过电容阵列来控制.仿真结果表明,滤波器采用TSMC 0.18 μm CMOS 工艺,工作电压3.3 V,中心频率调谐范围为2.05 Hz至2.38 GHz.文中简单介绍了锁相环自动调谐系统.为了与滤波器进行匹配,振荡器是基于滤波器的原型设计的,仿真结果表明它们匹配良好.     

LC带通滤波器在CATV中的应用及其设计

讨论了有线电视（ＣＡＴＶ）等系统中常用的电容耦合带通滤波器的特性及其设计方法。给出了元件值与低通原型归一元件值的关系,对设计不同频率要求的ＬＣ滤波器均有指导作用。具体设计了中心频率为４４．５ＭＨｚ的滤波器,实践表明,根据这些设计参数所制作的滤波器能够达到设计要求。     

基于宽线性BOTA的新型通用滤波器设计

提出了一种CMOS实现的平衡输出跨导运算放大器(BOTA)电路模型,该模型结构简单,仅由一个跨导运放和一个可变换的电流增益模块级联构成,通过偏置电流调节跨导增益,使线性电压输入范围提高三个数量级。采用BOTA与接地电容实现了三输入单输出的二阶通用滤波器设计。结果表明,该滤波器0可独立调节,且与Q正交,实现了0线性可调的高Q滤波。用Pspice仿真软件证实了滤波器的陷波特性和带通特性,实现了高、低Q值的灵活调节。     

纳米压印技术的研究进展

纳米压印技术由于具有操作简单、高分辨率、成本低、重复性高等优点,近年来受到国内外研究机构的高度重视.本文主要介绍了目前主流的几种纳米压印技术,并简要概述了纳米压印技术的研究现状和应用前景.     

空调器高温、高电压启/停试验与分析

分析了空调器在启、停过程中的运行状态,以及对空调器使用可靠性的影响,提出了一种基于准高加速的可靠性试验方法：高温、高电压启／停试验方法。通过描述热激发失效的Arrhenius方程。对使用该方法进行可靠性试验的加速系数进行了计算。     

用于雷达发射机的140kW高压开关电源

现代电力电子学技术的迅速发展和大功率开关器件的出现使开关稳压电源在中功率雷达发射机中得到了广泛应用。目前,由于ＩＧＢＴ模块的推广应用和新的拓看望 技术的不断涌现,高压大功率开关稳压电源已开妈在现代雷达发射机中使用。本文简单介绍了１４０ＫＷ大在电源在某空间目标测量雷达发射机中的应用和其工程设计考虑。     

GaAs高效率高线性大功率晶体管

介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等。通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(high performance FET)管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率;通过严格控制栅凹槽的宽度,实现了较好的线性特性。测试结果表明,器件在5.3~5.9GHz频段内,P1dB为45W,功率附加效率ηadd为41%,实现了预期的设计目标。     

高强度电缆的设计

介绍了高强度电缆的结构及性能要求，以及高强度电缆所使用的几种高强度材料及它们的性能和特点，并对高强电缆设计中应注意的若干问题进行了讨论。     

一种高效率高阻抗全向COCO 天线

一般情况下,蜂窝通信基站、机场导航广播基站等系统中采用的天线要求全向方向,较高增益,较宽带宽等多项指标。针对该应用背景,在传统的COCO天线的基础上,提出了一种结构特殊的高阻抗高效率全向CO-CO天线模型,采用HFSS建立了仿真模型,通过仿真优化,给出了具有高效率、高阻抗、低驻波、较宽带宽的设计结果,进一步设计了该型天线样品,暗室增益测试和驻波测试表明,所设计的改进型COCO天线完全达到了设计目标。     

高频大功率SiGe/Si HBT的设计

详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等.并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议.     

一种高速高精度CMOS电流比较器

针对传统电流比较器速度慢,精度低等问题,提出了一种新型CMOS电流比较器电路。我们采用CMOS工艺HSPICE模型参数对该电流比较器的性能进行了仿真,结果表明当电源电压为3V,输入方波电流幅度为0．3uA时,电流比较器的延时为5．2ns,而其最小分辨率仅约为0．8nA。该比较器结构简单,速度快,精度高,适合应用于高速高精度电流型集成电路中。     

Electron transport in semiconductors under a strong high frequency electric field

We propose an analytical approach to study the electron transport in semiconductors when a strong high frequency (HF) electric field is applied together with a weak direct current (DC) electric field. We derive a set of dynamic equations, from which the amplitude and phase of each harmonic component of the electron drift velocity and the electron temperature can be obtained. Our calculation shows that the DC conductivity in an n-GaAs sample decreases dramatically with increase of the first and second harmonic applied electric fields and definitely becomes negative.     

高效高重复率Q－YAG倍频脉冲激光器泵浦钛宝石激光器输出特性的研究

用国产声光调Ｑ－ＹＡＧ倍频脉冲激光器泵浦钛宝石激光器，从理论和实验上研究了该激光器的输出特性，泵浦功率为８．１Ｗ时获得了２．０８Ｗ的钛宝石光脉冲输出，稳定的斜度效率为３０％。