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电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计 总被引:1,自引:1,他引:0
模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)有源矩阵有机发光二极管(AM-LOED)像素单元的poly-Si TFT/OLED耦合对的J-V特性和poly-Si TFT电流镜的I-V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM-SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算。理论上,采用电流模式的poly-Si TFT AM-OLED可以解决器件间的不一致性问题。无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善。因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly-Si TFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化。结果表明,poly -Si TFT/OLED耦合对的驱动电压低,在200A/m^2下不超过8V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0.0~2.5μA时饱和电压只有1.5~2.5V。 相似文献
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硅基有机发光微显示像素驱动电路设计 总被引:1,自引:1,他引:0
由于微型显示像素面积的限制,硅基有机发光微显示像素驱动电路需要实现足够小的驱动电流.文章提出的三管电压控制型像素驱动电路与常规的采用电流镜电路的电流控制型像素驱动电路都能实现微显示所需的小电流驱动.利用Synopsys公司的H-spice软件对两种电路仿真比较,发现电流控制型电路具有线性灰度和较宽的有效灰度范围,但是通过调整电压控制型电路中与OLED并联的晶体管的宽长比,即可使其有效灰度范围与电流控制型电路可比.同时也发现电流控制型电路的功耗是电压控制型电路的4倍以上,且电路形式较复杂,工艺要求较高.所以三管电压控制型电路更适合于硅基有机发光微显示驱动电路. 相似文献
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有机电致发光显示器件(OLED)被认为是LCD最强有力的竞争者.因OLED显示屏的像素驱动电路至少由两个TFT管和一个电容组成,在实际制作驱动电路中,电容面积较大,影响显示屏开口率.基于对像素驱动电路的深入研究,提出一种改进的像素驱动电路,改进后的电路面积较小.通过仿真验证和理论推导计算证明该驱动电路不仅性能稳定而且可以明显地提高显示屏的开口率. 相似文献
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文中建立一种基于有机半导体TFT器件的模型,并将其应用于基于有机TFT的AMOLED显示背板驱动电路设计,以实现阈值电压补偿功能。首先制备低压有机TFT器件,并利用PSPICE工具对有机TFT器件进行建模;然后详细分析选取模型参数,建立能够准确反映器件电学特性的模型;最后基于模型指导,设计采用有机TFT的7T1C结构的AMOLED像素驱动电路。此外,分析有机TFT器件具有的温度依赖迁移率特性对屏幕亮度均匀性产生的影响。仿真结果表明:AMOLED像素驱动电路可有效实现对TFT器件阈值电压的补偿;且屏幕亮度不一致率低于5%,远低于传统的2T1C像素驱动电路,可大幅降低屏幕亮度的不均匀性。文中建立的有机TFT模型也可为其他基于有机器件的电路设计提供指导。 相似文献
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驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
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像素单元电路是读出电路的核心单元电路,其性能直接关系到整个焦平面成像的性能。文章从电路结构设计、注入效率的分析、电荷存储能力的分析、非线性的优化设计对直接注入型像素单元电路进行了研究。通过仿真,主要分析了像素单元电路中器件参数对注入效率的影响,以及积分电容对读出电路的电荷存储能力及非线性的影响。基于研究结果设计的读出电路采用了CSMC 0.5μm工艺进行流片验证,实测结果表明,电路具有较好的特性,芯片已成功应用于国内某研究所致冷型探测器组件中。 相似文献
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苏伟 《固体电子学研究与进展》1988,(4)
<正> 一、引言 自从1979年Le Comber等研制出第一个非晶硅薄膜晶体管(α-Si TFT)以来,对α- Si TFT的研究有了很大进展。α-Si TFT具有大的开态/关态电流比,其制造工艺与常规集成电路工艺兼容,而且工艺处理温度低,可采用廉价的透明玻璃作为衬底,所以α-Si TFT适合用作液晶显示矩阵电路的开关元件。本文研制的液晶显示屏以G-Si TFT为矩阵电路的开关元件,采用TN-FE型的液晶显示单元,并配以用NMOS IC工艺形成的驱动电路。文中介绍了α-Si TFT的工艺制造过程;分析了其静态和动态特性;对α-Si TFT和液晶材料的性能要求作了详细讨论;系统地描述了液晶显示屏的工作原理和驱动电路的设计。 相似文献