CA35型高温液体钽电解电容器电性能的研究

本文研究了几种去极化剂对ＣＡ３５型耐高温（１５５℃）液体钽电容器电性能的影响。１０００小时高温负荷实验结果表明，分别选用ＣｕＳｏ４．５Ｈ２Ｏ的ＶＯＳＯ４作为电容器的低压产品和高压产品的去极化剂可以显著提高其电性能，各项电参数均优于军用标准ＳＪ２０２０７－９２的水平。     

液体钽电容器工作电解液的研究

根据阴极容量理论，探讨在液体钽电容器的工作电解液中加入去极化盐类的影响。经试验得出结论：在低压电容器的工作电解液中加入ＣｕＳＯ４·５Ｈ２Ｏ，高压电容器的工作电解液中加入ＶＯＳＯ４，均有助于改善电容器的电性能。     

阴极界面的双电层对液体钽电容器电性能影响的研究

研究了两种去极化剂对液体钽电容器的阴极界面双电层及电容器性能的影响。实验表明在低压与高压液体钽电容器电解液中添加CuSO4.5H2O与VOSO4可以获得较好的电性能。     

液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响

液相添加剂ＡＳＴ（Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２）对ＢａＴｉＯ３陶瓷材料电性能的影响很大，随着Ａｌ２Ｏ３含量的增加，材料的电性能降低；ＳｉＯ２、ＴｉＯ２的物理特性对材料电性能影响较大；过量ＴｉＯ２对材料ＰＴＣ效应有重要影响，适当过量ＴｉＯ２含量，可得到性能优良的ＰＴＣＲ陶瓷。     

高压(160V)液体钽电容器电解质的研究

研究了电解质对高压液体钽电容器电性能的影响。通过对液体钽电容器的阳极界面和阴极界面处的电极过程的研究,结合实验发现,阴离子电子发射及电致伸缩作用引起的介质膜强度下降是导致闪火发生的根本原因。工作电解质体系中加入适当去极化剂有利于减小产品的损耗和漏电流。     

新型MSIS结构气敏电容的研究

采用静电喷雾高温分解工艺制备ＳｎＯ２气敏膜，并与Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２集成多层介质膜，用催化金属Ｐｔ作栅电极，制成新型的ＭＳＩＳ结构气敏电容。通过检测平带电压的变化，研究对Ｈ２和Ｏ２的气敏特性，分析其气敏机理并提出了检测的物理模型．     

还原再氧化型半导体陶瓷电容器材料的研究

通过实验研究了Ｎｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｓｍ２Ｏ３添加量对还原再氧化型ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷电容器材料性能的影响，同时优化了烧结工艺，获得了Ｃ＞０．５μＦ／ｃｍ２，ｔｇδ＜３．５×１０－２，ρ＞４×１０１１Ω·ｃｍ，｜△Ｃ／Ｃ｜（－２５～＋８５℃）＜＋３０－８０％，Ｖｂ＞４２０Ｖ的实用半导体陶瓷电容器材料     

新材料RuSr2Gd1.4Ce0.6Cu2Oz中的亚稳微结构

新材料ＲｕＳｒ２Ｇｄ１．４Ｃｅ０．６Ｃｕ２Ｏｚ中的亚稳微结构杨丽周贵恩唐凯斌＊张裕恒（中国科学技术大学结构分析开放研究实验室，＊中国科学技术大学应用化学系，合肥２３００２６）从平均结构上看，超导体Ｓｒ２ＲｕＯ４与高温铜氧化合物超导体类似，均为层状钙钛...     

用化学共沉SrTiO_3研制钛酸锶铋介质陶瓷

采用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＤＡＸ、粒度分析等手段研究了在（１－ｘ）ＳｒＴｉＯ３ｘＢｉ２Ｏ３·３ＴｉＯ２（简称ＳＢＴ）系统中采用化学共沉ＳｒＴｉＯ３时，Ｂｉ２Ｏ３·３ＴｉＯ２的含量对介电性能和显微结构的影响。发现当其摩尔分数ｘ小于１０％时，结构为单相固溶体，εｒ随ｘ的增加而增加；当ｘ大于１０％时，为复相结构，εｒ开始下降。这个结果与采用ＳｒＣＯ３和ＴｉＯ２固相合成的ＳｒＴｉＯ３烧块时的结果相近，变化趋势一致。但化学共沉ＳｒＴｉＯ３之晶粒细小，杂质少，故使所制介质具有非常优异的介电性能。     

Fe~＋和H~＋注入引起的Si／SiO_2界面重构现象

针对Ｓｉ－ＳｉＯ２过渡区对于离子注入较为敏感的特点，用１．２ＭｅＶ，剂量１×１０１０ｃｍ－２的Ｆｅ＋和Ｈ＋先后注入ＳｉＯ２－Ｓｉ样品，并用ＸＰＳ技术重点分析了Ｓｉ－ＳｉＯ２界面附近硅的化学结构、组分的变化。结果表明，在界面附近，除了Ｓｉ４＋，Ｓｉ０价态，还存在明显的Ｓｉ２＋价态。这和注入Ｈ＋产生的高温退火以及Ｓｉ—Ｓｉ键或Ｓｉ—Ｈ键的形成有关。     

软交换体系结构研究

软交换是面向网络融合的新一代多媒体业务全面解决方案,它打破了传统的封闭交换结构,采用横向组合模式、开放的接口和通用的协议,构成一个开放的,分布的和多厂家应用的系统结构,成为下一代网络(NGN)中的核心技术之一。本文主要介绍了软交换的功能结构和网络结构,并对软交换的对外接口进行了分析。     

ECM的相位受振膜材料影响的讨论

着重讨论了驻极体电容传声器(ECM)的相位受振膜材料影响的问题,即振膜的基材在生产中,受生产过程影响而对振膜产生影响的分析,以及各种因素形成的应力对驻极体电容传声器(ECM)相位影响的分析.     

框架载片台打凹深度对塑封针孔的影响

圆片制造技术的不断提升有效缓解了单位芯片的成本压力,同样功能的芯片尺寸越来越小,封装工艺也迫切面临提升的要求,尤其是小芯片极易在塑封工序产生背面针孔等方面的问题,这对塑封工艺提出了新的挑战。文中针对小芯片在塑封工艺中产生针孔的原理进行了深入分析,重点通过一系列试验改善针孔发生的比例,其中框架载片台打凹深度对针孔发生有重...     

屏蔽罩对真空灭弧室性能影响的研究

分析了屏蔽罩对真空灭弧室耐压及燃弧后介质特性恢复的影响 ,以及屏蔽罩厚度及材料对真空灭弧室的性能影响。最后研究了屏蔽罩大小对真空灭弧室电弧电压、屏蔽罩电位及屏蔽罩电流的影响     

应用Hartmann-Shack原理测量人眼波前像差的系统研究

分析波动光学中人眼像差的产生机理和波前像差的表示方式,着重讨论了Hartmann-Shack波前传感器测量波前像差的原理,结合自适应光学中Zernike多项式重建波前的理论,提出了应用H-S波前传感器测量人眼波前像差的解决方案,使得由波前像差引导的人眼视觉矫正技术能达到一个新的水平。     

引出结构对叠层片式电感器可靠性影响的研究

叠层片式电感器(MLCI)其引出结构在热应力冲击下,可能会形成开路,降低了MLCI的可靠性,进而影响到电子线路的整体功能。针对实际应用过程中一例叠层片式电感器(型号CH1608H22N)的失效,采用X射线检查、金相检查等分析方法对电感器的失效机理进行了分析。结果表明引出电极与内电极结合部位的热致失效导致了开路,进而研究了引出结构对MLCI可靠性的影响,设计出了一种新的圆弧型引出结构,通过实验验证该结构的耐流特性比直角型引出结构的提高了50%,产品可靠性得以改善。     

毫米波辐射对细胞膜电位变化影响机理研究

用细胞膜电压荧光技术及荧光显微技术,研究了毫米波场辐射下悬液中K562细胞膜电压的变化。结果表明,在相同辐射条件下,不同细胞浓度组的K562细胞膜电压变化规律是不相同的。然后用场近似等效方法,建立了毫米波场辐射下,排列在平面上的悬液细胞膜电压计算模型。根据模型,计算了悬液中的细胞膜电压,用生物电磁学的观点,对实验现象的产生机理进行了探讨。     

基于CDIO理念的《计算机基础》应用课程改革研究

伴随全国应用型大学集体转型发展,高校提出应该强化基础课程的应用型改革。《计算机基础》作为非计算机专业的一门公共必修课,理应加强学生的实践性和操作性的能力培养,为应用型大学转型发展服务。欧美流行的CDIO理论强调工程教育的本质,以工程项目为载体,将教学过程分为4个环节,强化4个环节对学生自主能力的培养。文章从CDIO工程教育理念和应用课程改革2个角度,探讨《计算机基础》的课程改革与探索。     

基于遗传算法图像模式匹配的收敛性研究

介绍了采用遗传算法进行图像模式匹配的程序概要设计,通过实例分析说明了影响GA收敛性的5个因素。通过研究GA收敛性揭示了图像匹配GA搜索过程的一些规律,为遗传选择策略特别是遗传算子的设计提供了参考。