C波段场效应晶体管放大器

本文叙述的固体微波放大器所用的基本元件是肖特基势垒场效应晶体管,称为金属—半导体场效应晶体管(MESFET),在高达12千兆赫的频率下具有稳定功率增益。本文主要讨论了 G 波段放大器的电路分析、设计参数和测试结果。     

C波段低噪声场效应晶体管放大器

本文介绍C波段低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果。采用国产CX-50型砷化镓场效应晶体管。通过对晶体管S参数和噪声参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端,实现了5公分频段的指标是:(包括前置限幅器、隔离器和后置接收机噪声在内的)系统噪声系数4.0分贝,放大器增益14分贝。文中并简介放大器承受射频脉冲功率的实验情况,以及与雷达使用有关的若干指标的初步测试结果。     

C波段晶体管放大器

据报导,美国厄伐恩特公司研制成新的微波低噪声 AM-5200N 型晶体管放大器。其工作频率范围为2.6～5.2千兆赫,噪声系数为8分贝。将用于电子对抗系统。微带放大器采用该公司生产的频率高达6千兆赫的双极小信号硅晶体管。据称,放大器具有增益稳定,无微起伏噪声,高的平均失效寿命时间(7100,000小时)和优于行波管的相     

L波段致冷GaAs场效应晶体管放大器

<正> 一引言在1～2GHz频率范围内,用室温最佳器件达到的噪声温度(括号内为噪声系数)的典型值是:双极晶体管为120°K(1.5dB),砷化镓场效应晶体管为50°K(0.7dB),参量放大器为40°K(0.6dB)。在许多应用中,特别是在射电天文学中,这些噪声温度限制系统灵敏度,即使需要致冷,也希望有更低的噪声。这是事实,因为灵敏度的其它限制在这个频率     

C波段125W行波管放大器

本文介绍C波段125W行波管放大器的工作原理、组成及其设计。采用了输入、输出射频倒换开关进行主备倒换的双行波管放大器,以及四次自动循环过荷保护电路新技术。有效地提高了设备可靠性及通信质量的稳定性。     

Q波段砷化镓场效应晶体管放大器和振荡器

在12～20千兆赫的频率范围内研究了肖特基势垒栅砷化镓场效应晶体管。最大有用功率增益的测量表明,在这个范围内,器件具有比预期更高的增益。用带线技术制成了输出功率为4毫瓦的17千兆赫振荡器和功率增益为16分贝的四级14.9千兆赫放大器。     

X波段FET功率放大器

本文介绍了一种10千兆赫脉冲多卜勒雷达激励源用的混合集成场效应晶体管(FET)功率放大器。FET放大器由两级放大级组成。隔直电路选用四分之一波长耦合线,射频扼流采用半月形的谐振电路。整个放大器全部制作在O.80毫米的陶瓷基片上。偏置馈     

G波段限幅低噪声场效应晶体管放大器组合

本文介绍了G波段限幅、低噪声场放组合的研制结果。我们采用国产WC-50型砷化镓场效应晶体管(GaAs FET),通过对该管S参数测试后进行电路设计。已制成限幅、级联场效应放大器组合作为某雷达接收机低噪声前端。整个组合采用混合集成电路工艺,制作在50毫米×90毫米×1毫米的氧化铝陶瓷基片上。实现G波段整机的最佳指标是:系统噪声系数3.5分贝(包括前置限幅器、隔离器、波导-同轴转换和后置高中频接收机噪声在内),组合增益≥20分贝,带宽10％。对该组合作过各项例行试验,它均能满足要求,文中还介绍了发射机泄漏波尖能量的测量方法和放电管运用中的注意事项。在采取若干保护措施后,已将其作为接收机前端,自1981年1月起装入整机,已装备多部整机,提高了整机性能,展示了良好的前程。近年来采用WC-61、FLS-10型GaAs FET管制作的场放组合,其噪声性能更佳。     

C波段4W砷化镓功率场效应晶体管

介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨＺ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５～７．５ｄＢ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运用具有优良的功率合成效率。     

隐栅场效应晶体管(Gridistor)——一种用作超高频功率放大器的场效应晶体管

本文介绍一种具有独特结构的隐埋栅1瓦1千兆赫硅场效应隐栅管的特性和性能,可以在甲类工作状态下,采用共栅电路,在1千兆赫下实现1瓦的功率输出,其增益为7分贝,并且输出功率随输入功率的变化有一良好的线性关系。     

C波段立体微带电路GaAs FET功率放大器

利用一四一三所研制的微波功率砷化镓FET,研制了一种高增益的五级功率放大器,末级利用功率合成。在C波段,线性增益31dB,1dB增益压缩点输出功率为860mw。当输入信号为1mw时。中心频率输出为940mw,效率达10%左右。     

宽带集总元件X波段砷化镓场效应晶体管放大器

本文叙述了用砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管设计两级宽带X波段放大器。扼要地说明了放大器和内部器件的性能。放大器在6.5～12千兆赫频率范围有9.5±1分贝的增益。输入和输出的电压驻波比不超过2.5:1。所述实际宽带匹配网络使放大器总的噪声系数减到最小,并在整个设计带宽内保持恒定的增益,同时计算了寄生、损耗和不均匀电容的影响。     

砷化镓肖特基势垒场效应晶体管X和Ku-波段放大器

一、引言近年来GaAs工艺有了很大的进展,目前已能制造栅长小于1微米的GaAs肖特基势垒场效应晶体管(MESFET)。这种器件的最高振荡频率要比双极晶体管高得多。本文只对中描述的MESFET的特性进行简单的讨论,并对低温下MESFET的噪声特性给予评价。其目的是为了证明,GaAs MESVET非常适合于X和Ku波段的宽带运用。利用测得的器件的散射参数,宽带放大器已用比较简便的互作用计算机程序完成了设计。这种计算表明,用简单的匹配网络可得到具有较大带宽的MESFET放大器。除了此最佳的微波双极晶体管有更好的噪声和增益特性之外,     

C波段低噪声埸效应晶体管放大器

本文介绍C波段低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果。采用国产CX-50型砷化鎵场效应晶体管。通过对晶体管S参数和噪声参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端,实现了实验室內5厘米频段的指标是:(包括前置限幅器、隔离器和后置接收机噪声在内的)系统噪声系数4.0分贝,放大器增益14分贝。文中并简介放大器承受射频脈冲功率的实验情况,以及与单脈冲雷达使用有关的若干指标的初步测试结果。     

X波段砷化镓FET放大器

一、前言微波电路采用集总参数元件,试图实现小型轻量和宽带化的工作已经进行了大约十年。这期间,国内外发表了许多报告,讨论无源无件的设计、制造方法及其微波特性。随着半导体元件特性的提高,L波段、S波段放大器等应用电路正逐步实现集总参数化(小型轻重量化),目前微波集成电路已得到广泛应用。     

高功率Ku波段FET放大器

高功率Ｋｕ波段ＦＥＴ放大器《ＭｉｃｒｏｗａｖｅＪｏｕｒｎａｌ》１９９４年第３７卷第８期报导了新的系列Ｋｕ波段ＣａＡｓＦＥＴ功率放大器，其输出功率５０Ｗ，增益为６３ｄＢ。高功率Ｋｕ波段ＦＥＴ放大器可用于地面站的上行线路，取代行波管放大器（ＴＷＴＡ）。该...     

X波段低噪声FET放大器

<正> 众所周知,设计产品化的微波低噪声FET放大器,不仅要考虑电性能指标,而且还要考虑可靠性、成品率、工艺和用户使用维护方便等问题。因此,设计时要综合上述情况考虑最优选择。对低噪声性能的考虑一般是;合理选用器件(FET),选取最佳工作点,寻求最佳噪声匹配,尽可能减小电路损耗(尤其是输入电路的插入损耗)和后级贡献。对多级放大器一般都按最小噪声量度概念进行设计,实际设计中第一级主要考虑噪声指标,后级主要考虑增益和其它指标,同时还要考虑实际结构的影响。要求带宽较宽时应采用宽带匹配电路,对其它要求一般都在总体和结构设计时考虑。     

X 波段砷化镓场效应晶体管

做出了10千兆赫微波频率下低噪声放大砷化镓场效应晶体管,使固体放大器频率范围比使用硅晶体管提高2～3倍。GaAs FET 最高振荡频率达30千兆赫,8千兆赫和16千兆赫下测得的功率增益分别为8分贝和3分贝,见图1。4千兆赫下噪声3分贝,低于迄今为止报导的晶体管噪声水平。此外,场效应晶体管噪声随频率的变化较小,8千兆赫下仅为5分贝,见图2。器件制于半绝缘 GaAs 衬底上的10~(17)厘米~(-3)掺硫外延薄膜上。外延层必须很薄(约0.3     

50K场效应晶体管放大器

<正> 随着GaAs MESFET噪声性能的改善,低噪声FET放大器的性能也大幅度提高。目前,4GHz频段、60—70K低噪声FET放大器已商品化,主要的研究方向是进一步改善放大器的噪声性能。 除了对放大器本身进行精心设计外,由于FET的噪声系数随其工作温度的降低而减小,所以采用热电制冷技术可获得比常温下更佳的噪声性能。 在低噪声FET放大器电路中,前级输入匹配电路是放大器电路设计的关键。当然,作为一个多级FET放大器,必须对输入级进行最小噪声量度匹配调试。三级FET放大器采用单电源馈电方式。为减小级间电路的损耗,级间耦合采用了直接耦合,并对级间的输入输出进行了直接匹配连接。     

乘子法及C波段宽带GaAs FET放大器

本文探讨一种新乘子迭代的乘子法.并用于计算机优化设计有约束条件下的GaAsFET放大器.乘子法中,为使乘子λ~(?)收敛到有限值,文章建议应选择参数C初始值.使之与被优化目标函数权因子的最大值在同一数量级.作者将研制成功的二个三级GaAs FET放大器进行级联后测试.在3～7.4GHz频率范围内.得增益49=2.5dB,最大噪声系数3.6dB(典型3.3dB),1dB增益压缩点的最小输出功率-13dBm.实验证实乘子法是行之有效的.文中给出基于匹配网络综合理论分析得到的三级GaAs FET放大器新的拓扑类型及网络元件的计算机优化值.