一种用于确定某些金属氧化物化学位移的新方法

本文报导了我们在离子感生俄歇电子发射机制研究的基础上,在确定某些氧化物的原子内层化学位移方面所做的工作。从实验上和理论上讨论了离子轰击下,表面上产生的不同于电子激发的俄歇跃迁,提出了用离子感生俄歇确定氧化物中原子内层化学位移的方法,并测得了Al_2O_3、SiO_2和MgO中原子内层的化学位移值,与XPS的测定值相吻合。     

离子感生俄歇定量分析中峰强度取值探讨

本文对轻金属的离子感生俄歇定量分析进行了探讨,分析了谱中不同俄歇峰的电子来源,提出了以取正峰高的方法代替AES定量分析中的峰-峰高的取值法,简化了计算。     

俄歇电子谱术

介绍了俄歇电子谱术的某些基本问题，内容包括：俄歇电子发射、表面灵敏性，俄歇电子谱的测量，定性和定量分析，深度剖析等，最后介绍了三种俄歇谱仪的功能扩展，功函数测量，材料结构性能量和电子态密度测量。     

低能离子轰击下铝的俄歇电子发射机理的研究

一、引言自从1960年E.S.Prilis和L.Kishinevskii提出在离子碰撞过程中,俄歇电子是所有电子发射中主要的电子束源之后(这个观点现在已证明是不适当的),离子感生俄歇(Ion Induced Auger Electron Spectroscope,即IAES)就成了人们研究表面的课题之一。到1965年Fano-Lichten通过对Ar~+—Ar的碰撞实验,提出了离子与物质相互作用过程     

同步辐射的基本知识 第四讲同步辐射中的光谱术及其应用（三）

4俄歇电子能谱 上节已提到用俄歇（Auger）电子信号测定表面EXAFS谱,那是就特定能量的俄歇电子强度随入射X射线或电子能量变化的关系谱,是研究表面局域结构的重要方法。     

俄歇电子谱术(续)

5　俄歇电子谱术的应用5 .1　定性分析[8]定性分析的目的是根据测得谱的位置和形状以识别元素种类。常用的方法是根据测得的峰的能量(在微分谱中以负峰为准 )与标准的《手册》[8,16 ] 进行对比。以下以微分谱为例进行说明。标准图谱手册提供各元素的主要俄歇电子能量图和标准俄歇谱图 ,给出各元素的俄歇峰的出峰位置、形状和相对强度。在定性分析中 ,同时采用上述两种图谱 ,将使分析工作变得快捷。定性分析的步骤[8] :(1)首选一个或数个最强峰 ,利用主要俄歇电子能量图 ,确认数个可能的元素。然后利用标准俄歇图谱进一步对这几种可能元素进…     

离子激发俄歇发射强度和离子能量关系的研究

实验研究了Al、Si样品的离子激发俄歇发射现象,测定了类原子信号强度和入射Ar~ 离子能量的关系曲线。基于目前普遍接受的退激发观点,即类原子信号源自溅出的受激原子在体外退激发的过程。提出了一个类原子信号强度和入射离子能量的关系表达式,它和实验结果符合良好。在该表达式和实验数据的拟合中,可以求得Al和Si离子激发俄歇发射的阈值分别为350eV和790eV,和近期发表的结果符合良好。     

俄歇电子能谱仪高能量分辨率的获得

一、引言 俄歇电子能谱仪(以下简称俄歇谱仪)是本世纪六十年代末出现的表面分析仪器。主要用于表面几个原子层内组成元素的定性、定量、价态和能级密度分析。它利用一束低能电子辐照固体,使其表面发射背散射 电子,随后分析其中的俄歇电子和等离子损失电子的能量和数量,获得上述信息。 由于有些元素俄歇电子能量相差很小, 浓度、价态和能级密度变化引起上述两种电子能量和数量的变化一般也较小,因此要求俄歇谱仪有较高的能量分辨率(以下简称分 辨率)。 俄歇谱仪的分辨率以试样表面发射的某一能量电子在N(E)～B(电子数量～能量)曲线上形成的…     

采用隔离放大器的俄歇电子谱仪

1.前言当前,作为表面研究手段的俄歇电子谱仪已经确定了牢固的地位。光电子谱法与质谱法的谱线可分别表示为能量分布E—N(E)关系和质量分布关系,通常俄歇电子谱是用能量分布的微分曲线E—dN(E)/dE来表示的。由于通常的俄歇电子峰是一个在相当大的二次电子本底上叠加的很弱的峰,因此要用能量分布的方式把它检测出来是异常困难的。虽然微分法在俄歇谱仪中是不可缺少的技术,但对时间的能量分布要比微分分布更为有用。例如,在考虑定量分析的情况下,因为前者意义明确所以更为优越。此外,由于二次电子本底是反映     

表面势垒对俄歇电子极角分布的影响

本文根据电子在固体与真空界面的折射反射效应及立体角元的变化,讨论了表面势垒对俄歇电子极角分布的影响,修正了俄歇电子的极角分布公式,首次从理论上证明了均匀体样品俄歇电子的极角分布基本符合cosθ规律而和样品是单晶或多晶及和俄歇电子的能量大小无很大关系这一实验现象。     

卷积和退卷积在俄歇电子谱中的应用

从固体价带中发射出来的俄歇电子携带着表面范围中价带定域态密度的信息。本文给出在俄歇XVV跃迁中谱线形状与价带占有态能态密度之间的定量关系,提出卷积和退卷积的数值运算方法及两种扣除背景的方法,运用fdLM算法在719机上对俄歇电子谱进行了退卷积,得到固体价带中电子定域能态密度。将这些方法运用到Si、Al、GaAs、Mg谱,且与理论及其它实验曲线进行了比较,得到满意的结果。     

低能电子束照射下氧化铍分解截面的测定

作者曾对CuBe合金打拿极在电子束作用下氧化被分解进行了俄歇电子谱(AES)分析,本文是这方面工作的继续。通过在PHI595扫描俄歇多探针与PHI3500二次离子质谱联合谱仪上进行的大量实验,测出了电子能量为2KeV、3KeV和5KeV的氧化铍分解截面,分别是5.02×10~(-23)cm~2,4.29×10~(-22)cm~2和2.05×10~(-22)cm~2。在表面上有碳污染时,分解截面下降很大,例如降到清洁表面的四分之一。用所得实验结果解释了以CuBe合金为打拿极的电子倍增器增益下降的规律。     

斜入射低能离子束溅射表面貌相的研究

如300～1200eV低能氩离子束以45°入射角溅射锗、硅、玻璃等七种样品的抛光表面,则样品表面都出现均匀分布的小丘。考察了离子入射角、能量、剂量、靶子旋转与否对貌相的影响。二次离子质谱和俄歇电子能谱的分析都表明了小丘不是由于杂质再沉积而形成。我们提出了关于小丘形成机理的假设,推导出小丘形成与离子入射角、能量、剂量等的关系式,并对实验结果作出了满意的解释。     

关于Ni-W-Mg和Ni-Mg合金表面Mg的富集问题

我们用低能氩离子(2keV)对于没有经过热处理的氧化物阴极基金属Ni-W-Mg合金以及含镁量较高的Ni-Mg合金进行了剥层,并用PHI 550俄歇电子能谱仪对经过不同剥层时间间隔的样品表面进行了分析。从各元素的俄歇电子能谱可以看出,在上述合金样品表面存在有镁的富集层。本文就Mg富集形成的原因,进行了有关实验,并且作了讨论。     

表面分析讲座 第四讲 俄歇电子谱仪(二)

在固体表面的俄歇分析中,应用筒镜型能量分析器(CMA)取得俄歇微分谱是普遍采用的灵敏度较高的方法。但是,如何由测出的俄歇峰的位置、峰高、峰形正确地得出关于待测的固体表面的更多信息,既有实验方法,也有数据分析和处理问题。 1.特征俄歇峰的分析     

用蒙特卡罗方法计算俄歇电子谱中的背散射因子

俄歇电子谱（AES）要成为样品定量分析的手段，必须考虑背散射电子与俄歇电子平均逃逸深度对俄歇电子产额的影响。本文提出一种对固体中低能电子背散射过程的简化模型，并进行蒙特卡罗计算机模拟研究，以确定背散射因子的方法，不仅可减少计算时间又能保持必要的精度，而且具有不依赖于实验测量误差的优点。以铜、银材料为实例，所得的背散射因子与文献报道相符，表明所采用的简化模型是合理的。     

表面成分AES和XPS定量分析中的离子溅射修正

低能离子溅射是表面分析中清洁固体表面和深度剖面分析的主要手段之一。由于离子溅射改变了固体表面化学成分，引起表面成分的再分布，使俄歇电子谱、X射线光电子谱以及二次离子质谱等表面分析手段，对溅射后固体表面成分的定量分析结果与实际结果有较大的差别。本文以离子溅射合金表面成分达到平行时择优溅射、离子轰击诱导偏析和增强扩散效应之间动态平衡状态的假设为基础，得到了一个与择优溅射、离子轰击诱导偏析和增强扩散修正因子有关的离子溅射修正因子的分析表达式，并将其应用于Ag－Pd合金的离子溅射定量修正计算，发现计算结果能够与实验结果较好地吻合。解释了合金离子溅射修正因子随离子参数的变化。     

氮硼注入GCr15钢的俄歇分析

用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析技术对不同剂量Ｎ＋离子注入ＧＣｒ１５钢；Ｂ＋离子单注入；注Ｂ＋离子后再注入Ｎ＋离子、注Ｎ＋离子后再在Ｂ＋离子；以及镀Ｂ后再将Ｎ＋离子注入ＧＣｒ１５钢的注入结果进行了俄歇深度剖面（ＡＥＳ－ＰＲＯ）分析，谱图直观的给出了不同方式注入引起ＧＣｒ１５钢表层组份的变化差异，通过比较解释了耐磨性实验结果。     

AEAPS用于电子(束)管闭管无损表面分析

俄歇电子出现电势谱(AEAPS)具有设备简单,谱峰分辩率高,谱线易辩认,能不使用任何能量分析器即能作材料表面成份分析等优点,本文报导了一种利用电子管内电极构成AEAPS谱技术,以检测管内电极表面成份。试验表明这种无损闭管表面分析能监视和跟踪电子管寿命过程中的物理过程,提供有益的信息。本文报导的是利用四极式电子管组成的AEAPS分析仪及其测试结果,对阳极表面成份分析结果表明,铜基底的阳极表面存在有钡、碳和氧等元素。其中钡的M、N系列及O系列的谱峰均清晰可见。     

俄歇化学位移影响因素分析

对几种硅化物及金属氧化物的俄歇化学位移作了实验研究。基于现有的化学位移的两个理论模型（电荷势模型和弛豫能模型），提出了俄歇化学位移的半经验计算关系式。概括了俄歇化学位移与元素的化合价、相邻原子的电负性差以及极化能（离子有效半径）之间的关系，实验结果与理论计算相一致。