Sm-Mn离子取代锶铁氧体的制备及其表征

采用高温固相法制备了Sr_(1-x)Sm_xFe_(12-x)Mn_xO_(19)(x=0~0.4)。利用XRD、SEM、VSM等表征手段对锶铁氧体的晶相、形貌和磁性能进行了表征。通过XRD分析发现当掺杂量0≤x0.2时衍射峰基本没有出现杂峰,衍射峰的强度比较高,粉体为结晶度比较高的单一六方相锶铁氧体。通过SEM发现随着掺杂量的增加晶体的晶粒尺寸逐渐增大;通过VSM分析发现:随着掺杂量的增大矫顽力Hc出现先增大后减小的趋势。测试结果表明:当掺杂量在x=0.2时Sm-Mn联合取代锶铁氧体的结晶度最好,矫顽力最大Hc=33.417 emu/g。     

镧掺杂锰锌铁氧体制备及性能研究

采用溶剂热法合成稀土元素镧掺杂的Mn0.5Zn0.5Fe2-xLaxO4(x=0、0.01、0.02、0.03、0.04)粉体,通过XRD、SEM、VSM、IR等多种手段对样品表征。结果表明,当掺杂La3+后,La3+会进入Mn-Zn铁氧体晶格中,面心立方尖晶石相晶格结构逐渐被破坏;La3+掺杂量x=0.04时,产物中开始出现杂相;随着x值不断增大,铁氧体球状形貌被破坏,分散性变差。Mn0.5Zn0.5Fe2-xLaxO4颗粒在室温下表现出亚铁磁性。饱和磁化强度随着La含量的增加而增大,当x=0.03时,饱和磁化强度达到最大值64.9emu·g-1。在50k Hz交变磁场作用下,Mn0.5Zn0.5Fe1.97La0.03O2颗粒温度可升温至64.8℃,表现出较好的磁热性能。     

Sm-Cu离子取代锶铁氧体制备与磁性能研究

采用固相法制备了Sm-Cu联合取代的锶铁氧体Sr_(1-x)Sm_xFe_(12-x)Cu_xO_(19)(x=0. 00-0. 20)。利用XRD、SEM及VSM对锶铁氧体的晶相组成、微观形貌及磁学性能进行了研究。结果表明:随着掺杂量x的增加饱和磁化强度Ms,矫顽力Hc以及剩磁Mr均出现先增大后减小的趋势;当Sm-Cu掺杂量x=0. 05时,剩磁Mr达到最大值Mr=24. 173 emu/g;当掺杂量x=0. 10时,饱和磁化强度达到最大值Ms=51. 757 emu/g,同时矫顽力也出现最大值Hc=809. 904 Oe。     

La掺杂Ni-Zn铁氧体的结构和电磁性能

采用氧化物法制备La掺杂Ni-Zn铁氧体,样品的相组成成分、微结构和电磁性能分别采用X射线衍射仪(XRD)、阻抗分析仪和振动样品磁强计(VSM)进行表征,讨论了Ni0.5Zn0.5LaxFe2-xO4(x=0.002～0.010)铁氧体的结构和电磁性能。结果表明:x=0.008和0.010时,样品中有LaFeO3第二相出现;随着La3+掺杂量的增加,晶格常数、微晶尺寸和介电常数均呈现先增大后减小,并且都在x=0.006时出现峰值;电阻率和饱和磁化强度均呈现先减小后增大,且均在x=0.006时出现最小值。除了Ni0.5Zn0.5La0.002Fe1.998O4样品外,其他样品的介电损耗角正切均有峰值出现,表现出异常的介电行为。     

LaZn掺杂锶铁氧体纳米颗粒的制备与磁性研究

利用化学共沉淀法制备出化学组成为Sr1-xLaxFe12-xZnxO19(x=0~0.4)的掺杂锶铁氧体纳米颗粒,研究了不同的掺杂量对铁氧体结构和磁学性能的影响.结果显示,γ-Fe2O3的是M型锶铁氧体相形成的前驱体,随退火温度的升高,γ-Fe2O3衍射峰强度逐渐减弱直至消失,850℃时已形成单一的M型铁氧体相;随着代换量x的增大,样品的比饱和磁化强度σS先增大后下降,而矫顽力HC的值则单调减小,这些非常适合用于高密度磁记录材料.     

Ni—Zn铁氧体的结构和电磁性能的Nd^3＋掺杂效应

采用固相反应法制备Ni0.5Zn0.5Nd2-xFe2-3O4铁氧体,通过X射线衍射仪（XRD）、阻抗分析仪和振动样品磁强计（VSM）对样品的物相、结构和电磁性能进行表征,讨论了Ni0.5Zn0.5NdxFe2-xO4（x=0．002～0．010）铁氧体的结构和电磁性能。结果表明：Nd^3＋掺杂量z〉0．008时,样品中出现了杂相NdFeO3;随着Nd^3＋掺杂量的增加,晶格常数呈现先增大后不变,而密度、介电常数和介电损耗角正切呈现先增大后减小（z=0．008时出现最大值）,但饱和磁化强度呈现逐渐减小（z=0．010时有最小值71．22emu/g）;并且所有样品的介电损耗角正切均出现峰值,表现异常的介电行为。     

Sm,Pr双掺CeO2基固体电解质的合成及性能研究

利用溶胶-凝胶法合成固体电解质Ce_0.8Sm_0.2-xPr_xO_1.9 (x=0.02～0.08),通过用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、拉曼光谱（Raman）和交流阻抗谱对固溶体的微结构和电性能进行了表征。XRD分析结果表明：经800℃烧结2h后样品均为单相立方萤石结构,平均晶粒尺寸为35-46nm之间。AFM图像表明,样品晶粒近似球形,分布较均匀,Pr离子掺入后,空洞明显减小,当掺杂量x=0.08时,晶界有小颗粒生成,晶粒尺寸为2～8μm之间。Raman结果表明：Ce_0.8Sm_0.2-xPr_xO_1.9是具有氧空位的立方萤石结构,镨离子的掺杂有利于氧空位的形成。交流阻抗测试表明,随着Pr离子的掺杂量的增加Ce_0.8Sm_0.2-xPr_xO_1.9的电导率逐渐提高,活化能降低。     

基于R-4B掺杂的黄色OLED器件的制备及性能优化

通过引入新型红光材料R-4B和绿光材料Ir(ppy)2acac混合来实现黄光显示.器件结构为ITO/MoO3(40nm)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:R-4B(x):Ir(ppy)2acac(8%)(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),其中x=1%、2%、3%,通过讨论掺杂浓度对器件性能的影响,得到如下结论:随着红光掺杂比例的增加,红光光强增加,发光颜色由绿色逐渐转变为黄色,但是器件整体的效率、亮度下降.当x=3%时,红光光强不再增加.综合考虑器件性能,发现当红光掺杂比例为2%时,黄色磷光OLED的性能相对最好,色坐标为(0.43 0.53),发光亮度可达4 000cd/m2,在电压为5V时,效率可达32cd/A.     

Mg掺杂对CuRh2-2xMg2xO4陶瓷热电性能的影响

采用固相烧结和放电等离子烧结(SPS)法制备CuRh_(2-2x)Mg_(2x)O_4样品,研究不同Mg含量对CuRh_(2-2x)Mg_(2x)O_4热电材料物相组成,晶粒尺寸和热电性能的影响.通过对样品进行XRD,断口形貌SEM,热导率及Seebeck-电阻率进行测试分析,检测结果表明:Mg掺杂后CuRh_(2-2x)Mg_(2x)O_4X射线衍射峰的峰位较CuRh_2O_4标准PDF卡片整体偏移,晶格常数减小;掺杂后的样品晶粒尺寸减小,Mg的掺入使CuRh_2O_4的热导率下降,并且掺杂量越多,热导率越小;Mg掺杂改善了CuRh_2O_4的电学性能,提高了样品的电导率.当Mg掺杂量x=0.25时,试样CuRh_(1.5)Mg_(0.5)O_4的ZT值取得最大值,在900℃下达到了0.182 28.     

采用Sol-Gel法制备Al~(3+)改性钛酸钡陶瓷

采用溶胶凝胶法制备Ba Ti1-xAlxO3(x=0.02,0.04,0.06,0.08)陶瓷样品,借助XRD、SEM和Agilent4284A分别对样品的晶相、显微结构和介电性能进行研究。结果表明:Al3+加入后,主晶相没有变,仍为BaTi O3,但第2相Ba Al2O4出现;随着Al3+的掺杂含量增加,样品的平均晶粒尺寸减小,密度从5.46 g/cm3增加到了5.81 g/cm3,且当x≥0.06时,样品的密度趋于稳定;当测试频率为1 MHz时,随着Al3+掺杂含量的增加,介电常数从4 766减小到1 834,介电常数温度系数从0.001 32/℃增加到0.001 8/℃,介电峰出现展宽现象。同时,采用GULP模拟软件对体系的缺陷能进行计算,缺陷偶极子[2AlTi'+V··O]的稳定性为-1.915 e V。     

La掺杂BaTi_2O_5薄膜的制备及性能

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了不同摩尔分数La掺杂BaTi2O5薄膜。研究了不同La掺量的BaTi2O5(Ba1-xLaxTi2O5)薄膜的物相组成、介电性能和铁电性能。XRD分析结果表明,采用溶胶-凝胶法经过850℃退火制备的Ba1-xLaxTi2O5(0≤x≤0.01)薄膜样品结晶较好,无杂相出现。La掺杂提高了薄膜的介电性能和铁电性能,当掺杂量0.004≤x≤0.008,测试频率为1MHz时,薄膜的介电常数约为630;当x=0.004时,掺La的BaTi2O5薄膜的剩余极化值最大,2Pr=2.1μC/cm2。     

Sm掺杂La2Mo2O9的合成及其导电性

用固相反应法合成了La2-xSmxMo2O9(x=0~2)。室温XRD测试结果表明,在掺Sm计量x≥0.9时,出现杂质相的衍射峰;x≤0.85时,晶胞参数随Sm掺杂计量增加而线性降低。用直流四电极法和离子阻塞法在723~1 173 K温度范围测定了合成试样的电导率,结果表明电子电导率和电导率均随Sm掺杂量增大而降低,掺Sm增大了电导活化能和电子电导活化能。     

Fe掺杂LSCCF对中低温固体氧化物燃料电池ITSOFC短期输出性能的影响

柠檬酸盐法制备La0.7Sr0.15Ca0.15Co1-xFexO3-δ(x=0.2、0.4、0.6、0.8)阴极材料。该前驱体在900℃处理2h后,XRD证实已经形成完整的钙钛矿结构衍射峰。随Fe掺杂量增加,XRD谱图衍射峰的位置向小角度发生偏移,粉体的晶粒尺寸逐渐变大。SEM观察La0.7Sr0.15Ca0.15Co1-xFexO3-δ粉体其表面活性较高并出现了一定的团聚现象,颗粒尺寸约为5μm。以La0.7Sr0.15Ca0.15Co1-xFexO3-δ为阴极,在氢气/空气中研究了模压法制备的单电池性能,Fe掺杂量对开路电压的高低不起决定性作用,而最高功率密度随Fe掺杂量增加而降低,在650℃最高功率密度由x=0.2时的351.7mW/cm2降为x=0.8时的231.1mW/cm2。     

关于(0,2,3)型插值多项式的逼近阶研究

设f(x) ∈C_(2π),Qn(f,x)是以x_(kn)=(2πk)/n(k=0,1,…,n-11)为基点的(0,2,3)型插值多项式,n=2m+1。Tm(f,x)是以{X_(kn)}_(k=0)~(n-1)为基点的(0)型插值多项式。因为u_n(x)∈C_(2π),使得 lim[f(x)-Q_n(f,x)-u_n(x)(f(x)-T_m(f,x))]=0 n→∞ (关于0≤x≤2π一致地成立)。本文进一步得到了逼近阶估计: |f(x)-Q_n(f,x)-u_n(x)(f(x)-T_m(f,x))| ≤C[ω(f,(1_nn)/n)+1/n_(k=1)~nΣω(f,1/k)]     

A位Y^（3＋）替代α-BZN陶瓷结构及介电性能研究

采用传统的固相反应法制备了（Bi1.5-xYxZn0.5）（Zn0.5Nb1.5）O7（BYZN,0≤x≤0．2mol）陶瓷,借助XRD、SEM和Agilent4284A测试仪,研究了A位替代对OL—BZN结构和介电性能的影响。研究表明：当掺杂量xY^（3＋）〈0．15mol时,样品相结构中没有出现其他杂相,为单一立方焦绿石相;随掺杂离子的进一步增加,样品中出现少量第二相。陶瓷样品的晶粒尺寸和介电性能随着Y^（3＋）掺杂量的增加而呈现有规律的变化;低温介电弛豫峰的峰形逐渐宽化;xY^（3＋）≤0．15mol时,1MHz下弛豫峰峰值温度Tm由-117℃逐渐增加到-108℃。     

PSN-PZT陶瓷及其在加速度传感器中的应用研究

利用传统固相烧结法制备了0.02Pb(Sb_(0.5)Nb_(0.5))O_3-0.98Pb_(1-2 x)Ba_xSr_x(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3压电陶瓷(其中x=0.02,0.03,0.04,0.05).讨论了不同Ba、Sr复合掺杂量及烧结温度对陶瓷结构和电性能的影响.结果显示,当x=0.04,烧结温度为1 260℃时,压电陶瓷的性能最佳,其中d_(33)=615 p C/N,ε_(33)/ε_0=2 224,tanδ=2.11%;然后把这个配方的陶瓷片安装到传感器中,测试其电荷灵敏度、最大横向灵敏度比和最大线性误差,电荷灵敏度为2.72 p C/(m·s~(-2)),最大横向灵敏度比小于5%,最大线性误差为2.97%,符合通用振动测试类型传感器使用要求.     

过渡元素掺杂固体电解质的制备及电性能

为了解决固体氧化物电解质在中温范围（500 ℃～800 ℃）工作电导效果不佳的问题,采用燃烧合成方法以氧化镧及过渡离子氧化物为原料,制备了过渡金属元素掺杂的硅酸镧体系电解质材料. 用X-射线衍射图谱、扫描电子显微镜以及红外光谱对所得电解质进行了物相和显微结构分析. 研究表明,掺杂离子对电解质的物相结构及形貌影响很小,但是通过引入适量过渡掺杂离子,能够有效提高电解质的电导率. 当掺杂量摩尔比x=1.0时,锌掺杂后硅酸镧电解质具有最高的离子电导率,在500 ℃时的电导率可达2.106×10-2 S/cm. 相比于未掺杂电解质在500 ℃电导率为1.71×10-3 S/cm有了显著提升. 元素铜的掺入对电解质的致密度有促进作用,压片和二次烧结后电解质的密度达94.1%. 同时通过交流阻抗测试分析证实镍在硅位掺杂会降低电解质的电导率.     

Cu离子掺杂Ni—Zn铁氧体的结构和介电性能

用传统的陶瓷制备工艺制备了Ni0.5-xCuXZn0.5Fe2O4铁氧体,其中x=0．12,0．16,0．20,0．24,0．28。对不同Cu掺杂量的Ni—Zn铁氧体样品的结构、微结构和介电性能进行了研究．结果表明：所有的样品均生成子立方尖晶石结构,x=0．24,0．28时,出现了杂相CuO和CuFe2O4;介电常数随频率变化的曲线显示了尖品行结构铁氧体的正常的介电行为,不同频率下介电常数均随cu含量的增加,先减小后增大,在x=0．20时达到最小值;似介电拟耗角正切曲线随频率变化出现异常行为,所有的样品都出现了多个峰值。     

Ba_(0.98)Bi_(0.02)(Ti_(0.9)Zr_(0.1))_(1-x)Co_xO_3陶瓷的介电性能及弛豫特性研究

采用固相反应法通过施受主共掺的方式制备Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)1-xCoxO3(x=0.005,0.01,0.015,0.02)陶瓷,通过XRD和LCR表征样品的相结构和介电性能。结果表明:在所掺杂溶度范围内,陶瓷样品未出现第二相;x=0.02时样品仅表现出弥散相变铁电体的特征,晶体中缺陷偶极子以[Bi·Ba-Co'Ti/Zr]为主,晶体中缺陷偶极子的存在形式与介电弛豫程度相关;样品结晶化学特性说明B位离子键价与其介电常数存在反比例关系。     

Bi掺杂SrTiO3陶瓷缺陷结构模拟及介电性能研究

采用固相反应制备Sr_1-xBi_xTiO₃陶瓷,研究Bi掺杂对SrTiO₃的介电性能、缺陷结构及缺陷偶极子的影响。通过X线衍射(XRD)分析其物相结构,表明在掺杂浓度范围内均未出现第二相。通过GULP模拟,得到Sr_1-xBi_xTiO₃中可稳定存在的缺陷偶极子有[2Bi_Sr·+V_Sr"]、[V_O··+V_Sr"]、[2V_O··+V_Ti'']和[V_O··+2Ti_Ti']。各组掺杂陶瓷样品的弛豫特性均满足Arrhenius定律,这是弛豫受热激发所致,随着Bi掺杂量的增加弛豫激活能增加,弛豫度减小。