G3DD164DW型NPN硅低频大功率晶体管低温特性研究

就晶体管的直流增益hFE在－55℃低温条件下的变化及如何提高参数性能做了专题研究。     

克服低击穿的硅平面技术

为提高硅平面大功率管的成品率和可靠性，提出了一种刻蚀槽和低温钝化相结合的克服低击穿的硅平面技术，采用该技术可消除绝大多数平面晶体管管芯的低击穿和穿通点，从而大幅度提高管芯、特别是大功率管管芯的合格率和高档品率，由于应用该技术可消除低击穿点及杂质淀积和缺陷集中区而使器件的固有可靠性得到提高。     

微机控制大功率晶体管PWM直流调速系统

本文叙述了用单板计算机控制的直流调速系统。主回路以大功率晶体管PWM功率放大器给直流电动机供电;晶体管驱动器采用单极性脉宽调制信号。系统中由计算机软件实现速度、电流双闭环调节。本文详细地分析了系统的可逆过程,可逆过程程序以及产生PWM信号程序。本系统调整方便、运行可靠。     

高增益大功率达林顿晶体管的设计与制造

介绍了ｈｆｅ≥１２０００的两级功率达林顿器件的设计方法及关键技术，并对在１０Ａ比１ｍＡ的条件下实现低饱和压降的几项措施作了较详细的讨论。     

硅双极功率晶体管镇流技术的改进

从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析,并提出了改进措施。结果表明,采用改进的复合镇流技术,不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象,提高了器件的可靠性和工作寿命,而且有助于提高器件的功率增益。     

团队组一等奖 航天大功率等离子点火项目

<正>参赛单位航天神洁(北京)环保科技有限公司团队简介航天神洁(北京)环保科技有限公司致力于发挥航天军工优势,开发面向民用领域的大功率、长寿命、高可靠性、煤品适应性广的新一代等离子点火系统,可提供多用途等离子喷枪加热成套设备,煤粉锅炉等离子点火、微油点火服务,等离子喷涂、垃圾处理、熔融冶金服务,流动计算服务,以及等离子应用技术咨询服务等。项目简介该项目技术来源于航天飞行器气动热地面模拟试验用大功率管     

铁硅合金的放电等离子烧结行为

以雾化Fe粉和FeSi合金粉末为原料,采用放电等离子烧结(SPS)制备Fe-6.5%Si高硅硅钢片,通过XRD,SEM等测试手段对样品进行分析。结果表明,铁硅合金的烧结过程可以分为4个阶段;当温度为1 100℃时气孔率为1.48%;烧结过程中主要发生以Fe3Si颗粒为核心反应扩散,烧结初期为颗粒间的紧密结合,烧结中期颗粒的界面处有Fe3Si相生成,形成FeSi过渡层,烧结后期直接形成了Fe(Si)的单一固溶体相。     

硅微陀螺仪的建模

提出了硅微陀螺仪的集总建模方法．该方法将硅微陀螺仪划分为多个相互关联的基本单元,各基本单元的行为特征被集总到单元的节点端口上,并表征为矩阵形式．将根据物体相对运动理论,从基本单元的解析方程出发,给出了建立硅微陀螺仪基本单元模型的一般方法,并以Verilog-A为模型编码语言实现了硅微陀螺仪参数化的基本单元模型．在Cadence Spectre上进行了仿真验证,频域仿真结果与ANSYS计算结果相差在1%以内;时域仿真结果表明利用该系统级模型能够快速进行复杂机电一体仿真．     

大功率(80KW)等离子喷涂枪的研制

大功率(80KW)等离子喷涂枪国内首创,并于1980年9月由辽宁省机械局主持,邀请国内有关单位进行了鉴定。 本文首先论述了大功率等离子喷涂工艺发展的国内外概况。大功率等离子喷涂工艺是七十年代等离子喷涂技术的新发展,它具有涂层密度高、涂层与底材结合强度高、生产率高、沉积率高等特点。目前大功率(80KW)等离子喷涂装置只有美国等少数国家能制造。对于一台大功率等离子喷涂装置而言,其关键技术问题是如何设计和制造出一种能胜任80KW条件下工作的喷涂枪。一般的等离子喷涂枪使用功率为25～40KW,若使其使用功率跃增至80KW并能稳定工作,这是一件很困难的事情。这也是此课题所要攻取的主要关键。 本文较详细地介绍了大功率(80KW)等离子喷涂枪的结构及其设计。其中主要内容包括:特殊喷嘴的设计;强烈旋涡送气的作用及实现措施;阴极冷却与装配;保证枪的绝缘、密封、同心度等方面的经验。 此外,本文还介绍了测试熔化的喷涂粒子飞行速度的原理、测试装置及其结果;枪的热效率测试及其结果;大功率等离子弧平均热焓值的计算等。最后还简单地介绍了试验用的电源设备及此枪在生产中应用概况。     

大功率IGBT逆变式空气等离子切割电源的关键技术

对一种大功率IGBT逆变式空气等离子切割电源的主电路进行了原理分析与设计.从提高切割效率,减小整机体积以及加强电源可靠性的角度出发,对电源外特性、驱动电路、逆变器结构和中频变压器材质等各项电源关键技术进行了分析和讨论,并提出了相应的设计方案,使电源整机性能得到了改善,可以完成切割电流160A、切割电压150V的大功率作业要求.实验证明,该方案合理、有效,能够满足切割工艺要求.     

窄脉宽工作下的大功率晶体管及其驱动的研究

通常我们总是把大功率晶体管及其驱动定这一环节视为一个有固定放大倍数的理想功率放大器，事实上，当GTR开关电路工作在窄脉宽或高频调制情况下时，其开关时间与工作脉宽相比不能再，此时GTR及驱动定环节的放大倍数发生了很大的变化，本文对窄脉宽工作下晶体管及其驱动所表现出的这一特性进行了详细的分析，以及从电路设计的角度提出了这一问题的解决方法。     

晶体管H参数微变等效电路研究

分析晶体三极管三种组态电路H混合参数,用不同方法导出共集、共基放大电路H参数和更精确的共集电极及共基电极晶体三极管H参数与其共发射极组态H参数的关系,说明不同组态电路有相同的电路形式.     

硅微球轴承关键工艺

首先,对微球轴承的滚道结构、滚动体数目和轴承腔通气孔进行了设计。其次,采用环形刻蚀(Halo etch)技术实现了叶片层上多特征尺寸结构的加工,提高了刻蚀速率的一致性和图形精度,为降低转子不平衡量、提高微球轴承的高速运转稳定性提供保障。此外,利用中间层键合(Intermediate-layer bonds)技术和遮罩(Shadow mask)技术制造出封闭的轴承腔,避免了由于温度过高而产生的微球热变形,同时避免了由于中间层材料沉积在滚道中而引起的轴承腔堵塞和微球粘黏滚道。本研究为微机电系统(MEMS)微球轴承设计和制造提供了新的技术途径。     

等离子显示面板微球体技术产业化

为进行空间探索和载人航天活动,NASA开发出许多世上独一无二的技术,并拥有一批尖端技术专家.NASA愿意将其技术和技术人才服务社会,积极参与工业界的高新技术产业化活动.     

硅微压力传感器结构的研究

采用硅－硼硅酸盐玻璃静电封接技术、单晶硅微米级减薄技术和金属膜制做技术，设计了一种新型ＳＯＩＭ结构微压传感器，并对其结构、特性和制作过程进行了研究．该传感器具有耐高温、抗冲击、高过载压力的特性．     

WGA—1微硅加速度计

由航天科技集团公司16所、771所和西安电子科技大学联合研制的“ＷＧＡ—1微硅加速度计”在西安通过了部级科技成果鉴定。ＷＧＡ—1微硅加速度计是在跟踪世界惯性技术先进水平的基础上立项研制的一种新型惯性器件。该加速度计完全不同于过去机械式加速度计,它具有体积小、重量轻、成本低、用途广、易于批量生产等特点,目前世界上只有少数几个发达国家可制造。由于其技术起点高、制造难度大,16所科技人员联合771所、西安电子科技大学,借助校、厂优势,经过几年的探索和努力,研制出了量程大于20ｇ非线性误差2×10-3(ＦＳ)工程样机。目前,该成果…     

大功率半导体激光器实用化微通道热沉

大功率半导体激光器实用化微通道热沉根据大功率半导体器无氧铜微通道热沉的实用化制备工艺特点,利用商用CFD软件FLUENT对微通道热沉内部微通道散热区层间折转通道宽度和热沉前端面壁厚度进行优化设计,并采用化学腐蚀结合扩散焊技术制备无氧铜微通道热沉,微通道尺寸为27 mm×11 mm×1.5 mm.利用低电光转换效率大功率半导体激光阵列器件对所制备热沉进行散热能力测试,激光阵列宽1 cm,腔长1 000μm,条宽200μm,填充因子为50%,微通道热沉热阻0.34 K/W,能满足半导体激光阵列器件高功率集成输出的散热需求.