铁电体陶瓷的晶体结构及介电特性

ＢａＴｉＯ２基铁电体材料的晶体结构和介电特性有密切联系。这类材料有三个铁电相转变。通过离子的置换可以改变材料的介电特性，并呆使三个相变温度发生变化。材料的介电损失一般认为由畴界移动和电传导两个机制造成的。材料中异类离子的存在对这些过程有明显的影响。结构中发生正离子的有序化对降低介电损失有重要作用。铅基Ｐｅｒｏｖｋｉｔｅ晶体具有无序的八面体堆垛结构和微小的畴区特征，因而这种驰豫型铁电体材料有漫散相变     

铁电体陶瓷的晶体结构及介电特性

ＢａＴｉＯ３基铁电体材料的晶体结构和介电特性有密切联系。这类材料有三个铁电相转变。通过离子的置换可以改变材料的介电特性，并可使三个相变温度发生变化。材料的介电损失一般认为由畴界移动和电传导两个机制造成的。材料中异类离子的存在对这些过程有明显的影响。结构中发生正离子的有序化对降低介电损失有重要作用。铅基Ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ晶体具有无序的八面体堆垛结构和微小的畴区特征，因而这种驰豫型铁电体材料有漫散相变现象和较高的介电率。     

介电陶瓷/导热硅橡胶复合材料的制备及介电性能研究

针对单一导热填料在高填充量下也无法同时提高硅橡胶介电、导热性能的问题,采用介电陶瓷钛酸锶(ST)、导热填料氮化硅(Si_3N_4)复合填充制备了Si_3N_4/ST/硅橡胶复合材料,研究了复合材料的介电和导热性能。采用LCR频谱分析仪和导热系数测试仪分别测试复合材料的介电常数和导热系数。结果表明:Si_3N_4与ST的共同填充提高了复合材料的介电性能和导热系数;Si_3N_4填充量为15%(体积分数,下同)时,Si_3N_4/硅橡胶复合材料的介电常数达到最大值5.4F/m;在Si_3N_4填充量保持不变、ST填充量为20%时,复合材料介电常数为纯硅橡胶介电常数的2.3倍,介电损耗保持在0.05以下,导热系数是纯硅橡胶的3倍。     

储能介电玻璃陶瓷的制备及研究进展

介电玻璃陶瓷因具有玻璃的高耐电击穿性,以及介电材料的高介电常数,成为脉冲功率技术中最有潜力的储能材料候选之一。本文简要阐述了介电玻璃陶瓷的能量存储原理,重点介绍了其制备方法、当前研究关注的类别体系以及影响该类玻璃陶瓷材料储能密度的因素。     

Si-B-O系BST玻璃陶瓷制备及介电弥散研究

采用硝酸钡、硝酸锶、钛酸丁酯、正硅酸乙脂和硼酸三正丁脂为原料的溶胶凝胶方法制备了Si-B-O系BaxSr1-xTiO3玻璃陶瓷。通过差热分析(DTA)、热失重(TG)、X射线衍射(XRD)分析Si-B-O系BST玻璃陶瓷超细粉体合成过程及其相结构变化。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)描述Si-B-O系BST玻璃陶瓷烧结体的相结构和显微组织结构变化。阻抗分析仪测量Si-B-O系BST玻璃陶瓷的-50～100℃介电温谱。实验结果表明：Si-B-O系BST玻璃陶瓷粉体的相结构为立方钙钛矿相结构,其合成温度为700℃．不存在第二相。Si-B-O系BST玻璃陶瓷的烧结温度低于传统工艺。Si-B-O系BST玻璃陶瓷的显微结构呈细晶结构。Si-B-O系BST玻璃陶瓷的介电常数ε随着烧结温度升高而增大．介电损耗tgδ随测试温度的增加而降低。随着晶粒平均尺寸的减小．Si-B-O系BST玻璃陶瓷样品的介电峰变低．平坦．宽化．存在介电峰弥散化的现象。     

包覆工艺制备多孔低介电氮化硅陶瓷的研究

以硅粉为原料,通过添加成孔剂球形颗粒,以聚乙烯醇作粘结剂,采用包覆工艺、干压成型,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,对比了包覆工艺对实验结果的影响.结果表明,采用包覆工艺较未采用包覆工艺制得的多孔氮化硅陶瓷有着更高的气孔率,宏观孔分布均匀,有较多的微孔,介电性能良好.     

掺锰钛酸钡PTC陶瓷复合材料介电特性的研究

应用标准的陶瓷制备工艺制备掺锰钛酸钡ＰＴＣ陶瓷复合材料，在不同电场频率下测试样品的相对介电常数－温度特性，发现当温度高于居里点后，开始不同掺锰浓度样品的相对介电常数随温升级慢变化，到达某特殊温度时，出现异常跃升；异常跃升的起始温度依赖于掺杂浓度和测试电场频率，其峰值随测试电场频率的降低而增大。通过分析相关的物理过程应用离子极化理论对测试结果进行讨论。     

钛酸铅陶瓷的介电和极化翻转特性研究

以水热纳米粉为前驱粉料,采用传统烧结工艺在950℃制备了致密性高、具有亚微米尺寸晶粒的钛酸铅(PbTiO3)陶瓷,并对其介电温谱和压电响应特性进行了系统的研究。结果表明,PbTiO3陶瓷在低温下的相对介电常数与测试频率无关,在室温以上,随着频率的增加,介电峰值向低温方向移动;压电力显微镜研究结果显示PbTiO3陶瓷中具有明显的微区极化翻转,表明具有较好的铁电性能。     

Pb1-xLaxTiO3薄膜的制备及介电特性研究

用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x＜0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能.在600℃下退火1小时的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,(100)择优取向明显.在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线.在x＜0.2(摩尔比)的范围内,PLT薄膜相对介电常数则随着La的增加而增加.     

PBLZT弛豫铁电陶瓷的动态及偏压介电和压电特性

测量了３ｍｏｌ％Ｂａ掺杂的ＰＬＺＴ１０／６５／３５弛豫铁电陶瓷的电滞回线、横向场诱应变、偏压下的介电常数和压电常数,并根据电滞回线和场诱应变曲线的斜率计算了动态介电常数和压电常数．实验表明,电场＜８ｋＶ／ｃｍ时,动态介电常数比偏压介电常数大很多,电场＞８ｋＶ／ｃｍ时,差值随电场增大而减小;电场在３～１５ｋＶ／ｃｍ之间时,动态压电常数比偏压压电常数大很多,电场＜３ｋＶ／ｃｍ及＞１５ｋＶ／ｃｍ时,动态压电常数和偏压压电常数相差不大．     

PMN铁电陶瓷B位有序与介电弛豫特性研究

本文采用退火热处理及掺入La³⁺离子两种方法,利用高分辨透射电镜、选区电子衍射、X射线衍射等技术对B位离子有序结构与介电弛豫性能的关系进行分析．研究表明,B位离子有序化是直接提高弥散相变（DPT）程度的原因,其机理是离子扩散,存在扩散平衡．退火仅能提高有序度,无法改变有序区尺寸;通过La³⁺离子掺杂,可有效提高有序区域大小,由于是非化学计量比,造成Nb⁵⁺离子在无序区中过度富集,形成焦绿石相．     

PMN-PT陶瓷的制备及介电性能

采用NaCl-KCl熔盐法制备了钙钛矿相结构的0.8PMN-0.2PT陶瓷,研究了预烧温度、烧结温度和时间等工艺参数对样品的相结构、微观结构以及介电性能的影响,与传统陶瓷工艺相比,用熔盐法制备的样品介电性能好.     

顺电态下掺铝钛酸锶钡陶瓷微结构和介电调谐性能

用传统的电子陶瓷工艺合成Ba_0.6Sr_0.4TiO₃(BST),研究Al₂O₃掺杂对钛酸锶钡陶瓷微结构、介电及调谐性能的影响.通过XRD及SEM的研究表明,Al³⁺能够完全的进入到Ba_0.6Sr_0.4TiO₃晶格内部形成固溶体,同时陶瓷的结晶程度变好,颗粒大而均匀.陶瓷的介电损耗明显减小,介电常数有所降低,调谐率明显上升,其中,掺杂量为0.8wt％Al₂O₃时,陶瓷样品具有最佳的介电调谐性能.     

Pb1—xLaxTiO3薄膜的制备及介电特性研究

用溶胶－凝胶法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）基底上制备Ｐｂ１－ｘＬａｘＴｉＯ３（ＰＬＴ,ｘ〈０．２）薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能。在６００℃下退火１小时的ＰＬＴ薄膜表现出单一的钙钛矿结构,（１００）择优取向明显,在室温下ＰＬＴ薄膜有典型的电滞回线。在ｘ〈０．２（摩尔比）的范围内,ＰＬＴ薄膜相对介电常数则随着Ｌａ的增加而增加。     

细晶粒BaTiO3陶瓷的微结构及介电性能测试

采用放电等离子烧结技术,在９００℃下得到细晶粒尺寸的、均匀的、纯ＢａＴｉＯ_３陶瓷。对样品的高分辨电镜分析表明,晶粒中只有１８０°电畴,没有９０°电畴,晶界宽度相当于两倍的晶格常数．同时观察到有部分孪晶出现．对细晶粒陶瓷介电性能的测量表明,介电常数对晶粒尺寸有明显的依赖关系,认为李晶的存在是导致小晶粒陶瓷介电常数没有迅速降低的原因之一．对这一效应,用通常的串、并联模型不能很好地拟合。     

异相陶瓷界面对多层陶瓷电容器介电特性的影响

借助于电子显微镜和介温谱仪,研究了热稳定型复相多层陶瓷电容器中存在的异质、异相陶瓷界面的互扩散对其介电特性的影响。结果表明,异质界面之间存在明显的扩散层。其中不同铁电陶瓷之间过渡层的形成虽有助于改善电容器的容温特性,提高界面的粘接强度,但这民在一定程度上破坏了原先的结构设计,改变了元件的电容值。另外,由于不同铁电陶瓷相的烧结特性的不匹配易导致出现界面裂纹和空洞等共烧缺陷,从而提高了元件的介电损耗,相对疏松的界面易出现在涂覆端电极时镀液的渗入,降低了可靠性。     

锆钛酸铅镧陶瓷微结构和介电性能研究

研究了Ｚｒ／Ｔｉ比为６５／３５，掺Ｌａ分别为８、９、１２、１６．７％（ｍｏｌ％）的锆钛酸铅镧（ＰＬＺＴ８／６５／３５／９／６５／３５，１２／６５／３５、１６．７／６５／３５）陶瓷的微结构和介电性能，ＸＲＤ研究表明，ＰＬＺＴ中存在着（ｈ＋１／２，ｋ＋１／２，１）型超结构，随着Ｌａ含量的增加，有序度增加，当Ｌａ含量为１２％时达到最大，继之下降，提出了Ａ位离子有序的体心立方超结构模型。介电常数与温度关系     

钇掺杂改性PbTiO3纳米陶瓷介电特性及复阻抗研究*

报道了sol-gel技术制备Pb1-x YxTiO3纳米陶瓷(x=0.1%,0.2%,0.4%,0.8%,1.2%,1.6%).试样采用介电分析仪测试.结果发现,当钇掺杂量高于0.4%时,可以烧结得到致密陶瓷片,不同掺杂量的PbTiO3在居里温度区域都出现电容量激增现象.在该区域介电损耗(tgδ)出现突变峰,峰高依次为0.8%,0.4%,1.2%,居里点以下,tgδ大小顺序为0.4%＞0.8%＞1.2%.陶瓷复阻抗虚部随温度升高而降低,实部几乎不随温度变化.且居里点以上,实部和虚部复阻抗趋同.