低气压放电开关沿面闪络触发器的性能研究

脉冲功率技术和脉冲电流试验技术对放电开关提出了越来越高的要求,如较长的使用寿命、宽的工作范围、较小的触发时延及抖动等。为了满足这些需求,设计了伪火花开关的氧化锌半导体和高介钛酸钡陶瓷介质沿面闪络的触发装置,通过对表面放电触发器的实验发现:高介钛酸钡陶瓷沿面闪络触发器显示出强而快的电荷释放能力,在伪火花开关工作的气压范围内,触发器能够在20～30ns内释放20～30μC的电荷量,释放的电子数达到1.25×1014～1.875×1014,触发电流的上升陡度可达120～320GA/s。上述两种介质材料制作的PSS,气压7Pa时,自击穿电压28kV,最小工作电压分别为360、130V,放电延时分别为380～106ns和80～35ns,时延抖动分别为85～23ns和22～6ns。研究结果表明:高介钛酸钡陶瓷沿面闪络触发器显示出比氧化锌半导体强而快的电荷释放能力,由其制作的伪火花开关具有极低的放电时延和时延抖动。     

CaTiO3-NdAlO3系微波介质陶瓷的研究进展

综述了具有中等介电常数的CaTiO3-NdAlO3微波介质陶瓷在晶体结构、制备及反应过程、介电性能等方面的研究进展,总结了该体系微波介质陶瓷研究中存在的问题及其发展趋势。     

CaTiO3-NdAlO3系微波介质陶瓷的研究进展

综述了具有中等介电常数的CaTiO3-NdAlO3微波介质陶瓷在晶体结构、制备及反应过程、介电性能等方面的研究进展,总结了该体系微波介质陶瓷研究中存在的问题及其发展趋势.     

CaTiO3-NdAlO3系微波介质陶瓷的研究进展

综述了具有中等介电常数的CaTiO3-NdAlO3微波介质陶瓷在晶体结构、制备及反应过程、介电性能等方面的研究进展,总结了该体系微波介质陶瓷研究中存在的问题及其发展趋势。     

人们所期盼的新一代光源

本文主要阐述了灯用电子学促进了新一代光源的诞生，陶瓷外壳的金属卤化物气体放电光源，介质阻挡放电和微波放电光源。     

机器学习在储能陶瓷Ba(Ti_(1-x)Hf_x)O_3介电常数寻优中的应用

为了加速开发具有高介电常数高储能密度的三临界电介质的过程,在Ba(Ti_(1-x)Hf_x)O_3陶瓷高介电常数成分设计中采用机器学习寻优方法与实验制备表征互相迭代的方法,建立了适用于寻找三临界成分的机器学习模型,通过机器学习寻优加速寻找具有高介电常数的三临界成分,并对几种不同优化算法的寻优效率和收敛速度进行了比较。结果表明:设计出的的高介陶瓷(摩尔分数x=11%)相对介电常数最大值约为4.5×10~4,高于传统陶瓷材料(约为1 000);同时有效地减少了尝试实验次数(约37.5%)。研究表明机器学习寻优方法可以为新型高介、高储能密度陶瓷材料开发提供新的设计方法。     

人们所期盼的新一代光源

本文主要阐述了用电子学促进了新一代光源的诞生，陶瓷外壳的金属卤化物气体放电不我源，介质阻挡放电和微波放电光源。     

5G用铁氧体/介质陶瓷复合基片的加工制备技术

针对铁氧体-介质陶瓷(FDA)复合基片的一些加工制备工艺进行了研究,采用挤压成型工艺结合精准烧结控制技术,可极大地改善小尺寸的薄壁介质环烧结变形情况,提高介质陶瓷管内径加工效率.通过精密匹配加工工艺可显著减小微波铁氧体与介质陶瓷间粘接层厚度,解决匹配不佳造成的漏光等不合格现象,提升FDA基片合格率.控制半成品外径加工余量,可有效解决FDA基片的同心度问题,将同心度合格率由78.13％提升至98％.最终,提升了FDA基片的批生产加工质量.     

封闭式双间隙伪火花开关的触发及导通特性

伪火花开关是一种工作于巴申曲线左半支的低气压脉冲放电开关,具备耐受电压高、通流能力大、工作范围宽、寿命长、抖动低等优点,在脉冲功率装置中具有非常大的应用前景.为此研制了一款封闭式的双间隙伪火花开关,采用陶瓷-金属焊接密封方式,由改进型雪崩三极管纳秒脉冲电源和高介BaTiO3陶瓷触发单元构成沿面放电式触发系统,触发稳定性...     

SF6断路器用陶瓷电力电容器的发展

一前言高介高压陶瓷电容器具有体积小、耐压高、电感小、结构简单、可靠性高和无油的特点,除了在电子工业中如彩色电视机、高压电子仪器中获得广泛应用以外,近年来在电力工业的输配电设备中也得到越来越多的应用。目前随着高压电容器向六氟化硫绝缘     

真空中高功率微波下介质材料击穿破坏的实验研究

介质窗材料的击穿破坏限制了高功率微波(HPM)的产生和传输,严重阻碍了高功率微波技术的发展.为认识微波下介质材料的击穿破坏现象和机制,本文针对常见的几种介质窗材料(PTFE、PMMA、LDPE及HDPE)在真空中开展了微波击穿破坏实验.实验采用X波段微波源,其输出微波的频率为9.4GHz,功率为1GW,微波模式为TE11.研究了不同材料的微波击穿破坏特性,并针对PTFE介质材料考察了表面加工槽及打磨处理对其微波击穿的影响.对微波破坏后样品进行形貌分析,发现破坏通道与微波电场有着密切的关系,材料的表面加工处理对击穿破坏有显著的影响.通过对不同破坏程度样品的研究,提出了介质材料在微波作用下的破坏发展过程,即破坏初期为材料表面的点状破坏,随着破坏程度的加深,形成贯通的树枝状破坏通道,且破坏通道从材料的表面向内部延伸,最终导致材料的失效.     

球磨对铁氧体磁体性能及磁控管中心磁场的影响

针对一种用于微波炉磁控管的环形磁体,采用陶瓷法制备磁体,探讨球磨过程(球磨时间、研磨介质磨损情况及研磨介质尺寸下限)对磁体性能及磁控管磁路中心磁场影响因素,以求合理设计球磨工艺以制备满足微波磁性能要求的永磁铁氧体料浆。通过磁性能测试仪检测磁体剩磁和磁路中心磁场,用X射线衍射(XRD)分析样品的相成分并计算取向度,用扫描电镜(SEM)观察粉体形貌。结果表明,磁体性能及磁控管中心磁场主要取决于粉料的磁场成型取向度,球磨时间15h可以获得2020G的中心磁场。适当控制球磨时间和补充研磨介质的损耗,并控制研磨介质的尺寸下限在5mm附近,可以改善料浆的粒度分布,获得更好的取向度。     

臭氧发生器用高介电硅橡胶复合材料特性及试验分析

为制取具有高介电常数的臭氧发生器用电介质,采用改进工艺法制得0-3型高介乙烯基硅橡胶/改性钛酸钡功能复合材料。对复合材料的微观结构进行了表征,并对这种复合材料的电性能进行了相关研究。结果表明,钛酸钡(BT)粉体在基体相中分散均匀,团聚现象不明显;当复合材料中BT的质量分数为76%时,介电常数上升到12,提高了4倍,并且击穿场强仍然维持在较高的水平(17.3 kV/mm)上,仅下降15%。用此种复合材料作为臭氧发生器介质的实验结果表明,臭氧浓度随介质的介电常数的大小改变而近似呈线性变化。通过提高介质的介电常数能够有效地提高臭氧浓度和产量,是一种值得探讨和推广的方法。     

超声延迟线及霍尔元件介绍

一、超声延迟线超声延迟线是以压电陶瓷作为换能器,玻璃作介质,并利用超声波在玻璃介质中传播速度变换的特点制成的器件。     

BaTiO3基抗还原介质陶瓷材料

内电极的贱金属化已成为多层陶瓷电容器发展的一个重要方向。从缺陷化学的观点出发研究BaTiO,基抗还原介质陶瓷,使之能够与镍电极在还原气氛下共烧。综述了BaTiO,基介质陶瓷的抗还原机理、选择掺杂离子的一般原则、制备方法和相关进展。     

一种无线微波取能系统

正近日,国家知识产权局公布专利"一种无线微波取能系统",申请人为清华四川能源互联网研究院。本发明公开了一种无线微波取能系统,包括发射设备、接收整流天线和负载,发射设备包括信号源、功率放大器和发射天线,接收整流天线包括正面介质基板、金属地板和背面介质基板,金属地板设置在正面介质基板与背面介质基板之间,正面介质基板与金属地板之间以及金属地板与背面介质基板之间均采用     

薄层等离子体增强微波接收特性实验及数值仿真

等离子体是一种多模式、宽频谱电磁介质,可以与不同波段电磁波相互作用,实现对电磁信号的调制。报告了薄层等离子体增强微波信号接收特性实验研究的初步结果,并进行了数值仿真分析。在实验中发现了薄层等离子体结构对微波电磁信号的接收增强效果;且这种技术不仅可以在较宽频带内提高天线接收到电磁辐射的强度,同时也保持了良好的微波信号质量。进一步建立了相应物理模型并对实验结果进行了数值仿真分析研究。基于局域表面等离子体激元理论,分析了微波接收信号增强的机理,并初步得到了微波频率、薄层厚度、碰撞频率等参数对微波接收增强特性的调制规律。     

泡沫陶瓷多孔介质有效导热特性研究

利用稳态平面热源法对泡沫陶瓷多孔介质的有效导热性能进行试验研究。以高空隙率的碳化硅和氧化铝泡沫陶瓷为对象,在分析温度对泡沫陶瓷有效导热系数影响的基础上,给出了多孔介质当量孔径变化对泡沫陶瓷有效导热系数的影响变化规律。指出随着温度的升高,碳化硅和氧化铝泡沫陶瓷有效导热系数均是先略有减小,随后再逐渐增加;在空隙率一定的条件下,随着多孔介质当量孔径孔逐渐减小(孔密度增加),有效导热系数先是略有减小,随后逐渐增加;与温度影响相比,泡沫陶瓷孔径变化影响相对较小。     

一种微带线到带状线宽带垂直耦合过渡结构

针对基于微波多层介质板的微带线到带状线过渡问题,提出了一种微带线到带状线宽带垂直耦合过渡结构,通过地层的圆形开孔完成微带线与带状线椭圆形贴片间的电磁耦合与匹配设计,实现了微波信号在微波多层介质板内跨层传输。将微带线到带状线宽带垂直耦合过渡结构在三维电磁场仿真软件中进行了建模,并对背对背结构进行了仿真、加工与测试。测试结果表明,在7~13 GHz的频带范围内输入输出回波损耗小于-12 dB,插入损耗最小为1.48 dB。该微带线到带状线宽带垂直耦合过渡结构具备了良好的性能,同时具有电路结构简单、加工方便等特点,在微波电路设计方面具有较高的实用价值。     

利用微波谐振技术检测物体密度的软件设计

论述了一种物体密度的微波检测技术,即利用微波谐振技术,通过检测谐振腔的频率变化和微波信号的幅度衰减,来测定微波谐振腔体内的介质的密度。主要阐述了测量原理、校准技术和测量过程。重点对校准过程进行说明,利用频率扫描的方法,逼近谐振腔的谐振频率,对主要的公式进行了理论推导。通过对实验数据的分析与整理,结合工程实践,推导了谐振腔中的介质密度的计算公式。利用这种技术测量得到的物体密度误差满足预期设计要求。