正电子湮没技术与沸石分子筛

测量了３Ａ型及１３Ｘ型沸石分子筛在不同压强空气中的正电子寿命谱，并测量了１０Ｘ型分子筛在不同温度下焙烧后的寿命谱。测量表明：分子筛所吸附的气体对在其体内湮没的正电子有显著的影响．同时，沸石笼内水的存在也对其湮没参数有影响。研究表明，随着水的逐步脱除；笼内自由体积逐步增大；当脱水至一定程度后．笼内开始出现活性中心－质子酸。     

基于遗传算法的正电子湮没寿命谱拟合

正电子湮没谱学是无损探测材料中纳米缺陷的有效手段,通过正电子湮没寿命谱可获得正电子在材料中的湮没状态以及材料内部电子密度分布的信息.本工作基于遗传算法(GA)的全局搜索、随机产生初值的特点,对正电子湮没理论寿命谱进行了多指数函数拟合的尝试,并用MATLAB语言编程实现了曲线拟合,得到的各组分寿命及相应强度.与LifeT...     

硅橡胶中的正电子湮没寿命谱分析

硅橡胶是一种特种橡胶材料,用途十分广泛。我们用正电子湮没寿命谱方法对硅橡胶材料进行了测量分析。经过分析,第一寿命τ_1看作为自由正电子湮没和p-Ps自湮没的结果;第二寿命τ_2为正电子处在生胶大分子缠绕、交叠处和高温硫化胶交联处湮没的结果,第三寿命τ_2应为样品中形成的o-Ps的Pick-off湮没的结果。正电子在硅橡胶中的寿命参数与硅橡胶的分子量、交联密度、大分子链的缠绕交叠等情况紧密相关。     

正电子湮没多普勒展宽数据的稳定和修正

本文介绍了在正电子湮没多普勒展宽测量中如何利用参考谱线去稳定和修正正电子湮没谱线的线型参数。     

关于正电子湮没寿命谱归一化峰顶计数的讨论

为了寻求一种能被正电子湮没寿命谱唯一确定而本身又有一定物理意义的谱参数,我们对正电子湮没寿命谱的归一化峰顶计数S_p进行了分析。     

Fe掺杂CuAlO_2的微结构和热电性能的正电子湮没研究

测量了CuAl1-xFexO2样品的X射线衍射图、热电性能、符合正电子湮没辐射多谱勒展宽谱和寿命谱。结果表明,在CuAlO2中加入少量的Fe(x≤0.10),样品的正电子湮没辐射多谱勒展宽谱的3d信号增强,正电子S参数、正电子平均寿命和电阻率降低;当Fe含量较高(x0.10)时,随Fe含量增加,CuAl1-xFexO2样品的正电子湮没辐射多谱勒展宽谱的3d信号降低,正电子S参数、正电子平均寿命和电阻率升高。CuAl1-xFexO2室温Seebeck系数随样品中缺陷浓度升高。讨论了Fe掺杂对CuAlO2微结构和热电性能的影响。     

中子辐照硅的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法研究了１．４５×１０＾２０ｎ／ｃｍ＾２和３．１０×１０＾１７ｎ／ｃｍ＾２快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在３４３－１０７３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧－空位对和在高中子剂量辐照的Ｓｉ中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ１是晶格正电子寿命和氧－空位对捕获的正电子寿命的加权平均值，而长寿命成分τ２是双空位或四空位捕获的正电子     

1994年中国核学会重点学术活动计划

序号项目名称时间地点第三届中日双边核药物化学讨论会第二届计算天文学术会议1994年核化工分会学术交流年会第三届铀矿地质分析测试专业学术交流会铀矿地质系统中青年科技工作者学术交流会铀金浸矿技术交流会铀矿冶中青年学术交流会核情报分会理事会换届暨青年人才成长研讨会第七届核电子学与核探测技术学术年会同位素生产应用安全防护工作经验交流会同位素仪表学术研讨会放射性药物及标记化合物学术会议全国第三届医用加速器会议第八届反应堆结构力学学术交流会全国高级核医学显像学习班离心法分离同位素学术讨论会第十届正电子湮没国际会…     

正电子湮没多普勒加宽能谱去褶积分解程序

本文介绍一个正电子湮没多普勒加宽能谱去褶积分解程序。作者采用最小二乘褶积法分 解出正电子在材料中湮没的本征谱;计算电子动量分布及动量密度分布;并把本征谱分解成高斯成分和倒抛物线成分(或者二个高斯成分)。程序主要分成二部分,第一部分参照Eiyoshishizuma提出的与模型无关的褶积法分解出湮没的本征谱。第二部分是用非线性最小二乘拟合迭代法分解本征谱,并计算弗米能E_f和湮没比值f。     

1985年国外原子能科学技术会议预报(1—6月)

1.第12届欧洲受控聚变及等离子体物理学 会议 日期未定(匈牙利)布达佩斯 组织者:欧洲物理学学会2.第7届国际正电子湮没会议 1月6一n日,(印度)新德里 组织者:印度国家科学院3.第18届年中专题会议:环境辐射 1月7一10日,(美国科罗拉多州)科 罗拉多斯普林斯 组织者。保健物理学学会4.有关国际放射性专题讨论会 l月8一12日,(印度)浦那 组织者:印度浦那大学化学部5.第2届空间核动力系统专题讨论会 I月14一16日,(美国新墨西哥州)阿 尔伯克基6.国际9。年代中子散射会议 l月14一18日,(德意志联邦共和国) 于利希 组织者:国际原子能机构7.有关放射防护…     

γ辐照接枝聚四氟乙烯特性和自由体积的关系

用正电子湮没技术研究在聚四氟乙烯照接技过程中的自由体积与正电子湮没寿命谱的关系。吸收剂量，吸收剂量率以及辐照环境等对接枝率有明显影响。而正电子湮没寿命可十分敏感地反映接枝率的变化。接技率的变化规律可用自由体积模型解释。用扫描电子显微镜对样品进行了观察比较。     

正电子湮没寿命谱和多普勒展宽谱的自动获取和处理技术

本文介绍的正电子湮没寿命谱和正电子湮没多普勒展宽谱的数据自动获取和处理技术使Can-berra S-40或S-35型多道分析器与IBM-PC/XT微型计算机之间实现了相互通讯及全套的解谱数据处理和原始数据存盘、计算结果存盘及列表绘图等自动获取和处理数据的工作。使IBM-PC/XT微型计算机用于正电子湮没寿命谱仪或多普勒展宽谱仪的在线处理工作得以实现。     

用正电子湮没谱学技术表征一种有机-无机杂化膜

应用正电子湮没寿命谱(Positron annihilation lifetime spectroscopy,PALS)和正电子湮没符合多普勒展宽能谱(Coincidence Doppler broadening energy spectroscopy,CDBES)等正电子湮没谱学技术能从微观尺度上对聚合物-金属有机骨架材料杂化膜的微观结构进行表征。结果表明,随着金属有机骨架(Metal-Organic Frameworks,MOFs)添加量的增大,杂化膜中较小的和较大的自由体积的尺寸都减小了;杂化膜的正电子湮没符合多普勒展宽能谱显示,MIL-101(Material Institute Lavoisier-101)亚纳米粒子的加入使得正电子在聚二甲基硅氧烷(Poly(dimethyl siloxane),PDMS)氧原子上的偏向湮没效应减弱,部分正电子与来自MIL-101亚纳米粒子中金属原子的电子发生湮没,表明MOFs加入改变了聚合物基体自由体积周围的化学环境。     

贮氢合金正电子湮没和扰动角关联研究

本工作用正电子湮没和扰动角关联方法研究Pd0.75Ag0.25和LaNi4.25Al0.75两种贮氢合金。在77～295K温区和0～0.35氢浓度范围用正电子湮没寿命测量方法研究了Pd0.75Ag0.25Hx样品。实验测量的正电子湮没寿命谱用两个寿命成份表征。短寿命成份τ1是自由正电子湮没寿命,不随温度和氢     

金属与合金的高温正电子湮没特性测量

回顾了正电子湮没热平衡测量的主要研究工作，讨论了β＾＋－γ正电子寿命谱测量装置的原理和应用，并介绍了β＾＋－γ寿命谱仪的发展过程及今后的发展趋势。     

前言

前言中国核物理学会第五届全国核靶技术交流会于１９９５年７月１６日至２３日在河北省北戴河召开。受中国核物理学会的委托，会议由中国原子能科学研究院同位素研究所主办。与会代表３８名，分别来自中国工程物理研究院核物理与化学研究所和应用电子学研究所、中国科学院...     

高温超导中多个正电子捕获位及其对正电子湮没参数的影响

从正电子陷阱物理图象出发，引入正电子在陷阱中湮没的竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用此模型分析了高温超导材料中正电子在陷阱中湮没的特征。     

确定离子型晶体极性正负方向的新技术

系统地介绍一项用正电子湮没寿命谱学法确定离子型晶体极性正负方向的新技术，该技术可用于极性离子型晶体的生产。     

1996年全年分类主题索引

１９９６年全年分类主题索引用页Ａ１３．１０固体与流体物理学的核现象与核技术在束穆斯堡尔实验装置…………２８５用正电子湮没技术研究深低温下Ａ卜ｈ－ＣＵ－Ｍｇ—Ｚｒ合金中的缺陷和电子密度··３１６０用正电子湮没寿命技术研究掺杂的ＩｎＰ……７３９５粒子关联...     

正电子湮没寿命测量中干扰信号对谱仪和测量结果的影响

正电子湮没信号的精准采集与关联符合技术是寿命谱灵敏表征材料微观缺陷的基础。测量环境中放射性射线对正电子湮没信号采集的影响,制约着寿命谱方法在复杂辐射背景中应用,特别是在核结构材料中子辐照损伤研究中,中子活化诱发的放射性核素形成的γ射线本底,将影响正电子寿命谱仪的测量结果。为探究γ本底对正电子湮没寿命测量的影响规律,本文基于⁶⁰Co、¹³⁷Cs源设计了辐射背景仿真实验,结果显示：⁶⁰Co源产生的双高能γ射线是影响寿命谱形状及湮没寿命的主要因素;通过对比高、低两种典型活度比(⁶⁰Co/²²Na为3.3和1.9)下的测量结果,并经活化反应堆压力容器钢样品放射性本底真实情况检验,结果发现：在低活度比下,辐射本底导致的偶然符合概率增大,寿命谱峰谷比显著变差;在高活度比下,除偶然符合外,信号错误符合概率急剧增加,谱形明显畸变且寿命值迅速减小。基于本文辐射背景放射源模拟方法及干扰γ的影响规律,可进一步探索正电子湮没寿命测量中γ本底排除的新技术和新方法。