电流型碳化硅探测器

本文从电流型半导体探测器的起源、传统电流型探测器在应用中的问题出发,论述了国内外在新型半导体探测器研制和电流型半导体探测器的研究现状。对半导体探测器结构和物理特性进行了研究,并重点介绍了电流型碳化硅（SiC）探测器的设计制作、响应性能研究、抗辐照性能研究等内容,为电流型半导体探测器的研究和应用提供参考。     

电流型碳化硅探测器

本文从电流型半导体探测器的起源、传统电流型探测器在应用中的问题出发,论述了国内外在新型半导体探测器研制和电流型半导体探测器的研究现状。对半导体探测器结构和物理特性进行了研究,并重点介绍了电流型碳化硅(SiC)探测器的设计制作、响应性能研究、抗辐照性能研究等内容,为电流型半导体探测器的研究和应用提供参考。     

频率对GM型半导体探测器CV特性的影响

在反向偏压下,测试时所用的高频小信号频率超过一定值后,GM型探测器结电容测试值将下降。本文讨论了频率对CV特性影响的实验结果,并分析了其原因。指出最高可用的阈值频率f_(th)取决于半导体耗尽区中的场强E。文中给出f_(th)与E以及与电阻率和电压间的实验关系式,室温下f_(th)可达1—4MH_z。     

离子注入PIN电流型探测器

本文叙述了离子注入PIN电流型探测器的制备,并对一些问题进行了讨论。探测器指标:在300伏反向偏压下漏电流一般小于10微安,好的可小于3微安;工作状态下线性输出电流大于2安;φ20毫米的样品上升时间小于8毫微秒,φ8样品上升时间可达3毫微秒。在使用中得到了较好的结果。     

离子注入型半导体γ辐射探测器

离子注入探测器在能量分辨率测量上虽然还赶不上面垒型探测器,但在位置灵敏探测上确大有作为,有人还用它做了P-I—N电流型探测器。国外在六十年代后期开始研制工作。国内于七十年代后期也开展了上面两种探测器的研制。八十年代美国ORTEC公司已有商品出售,本文介绍一种在野外较恶劣环境条件下用作剂量测量的(也可用于射线监测的)离子注入γ射线探测器。     

半导体探测器输出电流检测系统前置放大器设计

为满足半导体探测器输出电流检测系统的需求,设计了与之相适应的前置放大器。该前置放大器基于超低偏置电流运放ADA4530,采用单个反馈电阻和T型反馈网络的I/V变换前置放大电路组成。测试结果表明:该前置放大器的放大倍数可达10 mV/pA,直流偏移为8μV;对于pA级分辨率,其输出噪声电压频谱密度仅为17.75 nV/(Hz)~(1/2),输出总噪声为409μV;可用于μA~pA范围内的核辐射探测器电流信号测量。     

离子注入型与金硅面垒型半导体探测器温度特性比较

半导体探测器性能受温度影响较大,影响着辐射探测系统的稳定性和测量精度。本文设计了一个温度测试电路,通过温度测试实验分别得出了离子注入型和金硅面垒型半导体探测器的温度特性曲线。测试结果表明,离子注入型半导体探测器的温度特性明显优于金硅面垒型半导体探测器。本文的结果可为半导体探测器的使用、筛选提供参考。     

GaAs化合物半导体光电导型探测器

本课题研发的GaAs化合物半导体光电导型探测器可用于脉冲辐射束的探测。化合物半导体GaAs、InP光电导探测器加上恒定电压，在脉冲X、γ射线束的照射下，光电导探测器的电阻下降，而在电极输出端输出正比于电阻变化的电流脉冲信号。本实验采用面垒工艺技术制备GaAs光电导探测器。     

基于P-Si型半导体探测器的多通道剂量计

本文介绍一种应用于辐射场在线和实时检测、在核医学领域对受检患者放疗剂量进行监测和测量的多通道剂量计.该仪器采用了高精度的P-Si型半导体探测器.仪器经过初步应用,射线敏感能量区在0.1-15 MeV之间;最低探测灵敏度为0.05 Gy/min;输入偏流约为50×10-15 A;剂量线性理想,并配有打印机、LCD等设备,增加了仪器的智能性.     

化合物半导体探测器

根据半导体核辐射探测器对材料的要求,在z>30,E_g在1.3—2.6eV间的二元化合物半导体中,HgI_2、CdTe和CdSe可能是三种最好的材料,讨论了用这三种材料制成的探测器性能。介绍了我国核探测器用化合物半导体的研制情况。     

电流型银激活探测器标定技术

为测量DPF脉冲中子产额,设计了电流型银激活探测器。该探测器由中子慢化体、天然银片、塑料闪烁体和光电倍增管组成。定义了该探测器测量DPF快脉冲中子产额时的探测灵敏度。采用高压倍加器稳态中子源对电流型银激活探测器的探测灵敏度进行了标定。稳态中子源的绝对中子产额由伴随粒子法给出。通过计算机自动记录探测器在饱和照射后其输出电流随时间的变化曲线,通过分析变化曲线求解特征参数,进而得到电流型银激活探测器在距离14 MeV脉冲中子源1 m处时的探测灵敏度为1.843´10⁹ nA^－1。在包含因子k为2时,探测灵敏度的扩展不确定度小于17.5 %。     

金-硅面垒型半导体探测器

本文扼要地叙述了金-硅面垒探测器的制备工艺过程,并对此探测器的各种性能,包括伏安特性、势垒电容、噪声、对Po~(210)源α粒子的响应讯号、能量分辨率、温度效应和γ辐照效应等方面作了比较系统的测量。对结果进行了讨论。同时利用测得的结果探讨了一些探测器本身的半导体性能,如平均电离能ε_0和材料的寿命τ等。最后介绍了用表面复盖有硼膜和铀层的这种探测器记录中子的情况。     

半导体射线探测器简介

一、发展过程最初(约1930年)研究核射线在晶体上作用,表明射线的存在引起导电现象。但是,由于测得的幅度小、存在极化现象以及缺乏合适的材料,很长时间以来阻碍用晶体作为粒子探测器。就在这个时期,气体探测器(象电离室、正比计数器、盖革计数器)广泛地发展起来。 1945年,范·希尔顿首先较实际地讨论了“传导计数器”(Conductjon counter)。在晶体上沉积两个电极,构成一种固体电离室。为分离入射粒子产生的载流子,须外加电压。许多人试验了各种各样的晶体。范·希尔顿和霍夫     

碘化汞核辐射半导体探测器

由于硅(锂)和锗(锂)探测器都需要在液氮温度下保存和工作,因此人们集中发展了原子序数高的、能在室温下工作的半导体探测器。现在主要研究的室温半导体化合物探测器有砷化镓、碲化镉和碘化汞。HgI_2是七十年代发展起来的一种新型室温核辐射探测器。由于它具有很高的原子序数和较大的禁带宽度,因而它的光电吸收截面大、探测效率高、能在常温下工作,体积小,使用方便。它可探测的能量范围较大,但更适合于探测能量在几个keV至150keV的X射线和γ射线。在医学生物学、放射性监测、野外探矿、能谱分析等方面有     

平面工艺Si电流型X射线探测器研制

该项目主要研究X射线能谱及时间谱测量、强流脉冲X射线束测量所需的平面工艺硅电流型探测器。主要工作在于模拟核爆中高功率Z-pinch等离子体辐射研究中测量等离子体产生的X射线能谱及时间谱和用于X光束诊断和高功率Z-pinch等离子体辐射研究。该型探测器用于探测极低能量     

半导体探测器噪声的测量

一、引言半导体探测器是近几年内迅速发展起来的新型探测元件。与其他探测元件相比,它具有很多的优点。主要优点之一,是有良好的能量分辨率。但是,器件给出的讯号幅值较小,在它本身的噪声的干扰下,能量分辨率变坏。为了能够充分发挥器件固有的高能量分辨率这一优点,所以要对探测器的噪声进行研究。半导体探测器最为重要的电性能是结电容与漏电流。结电容降低了讯号的幅值,漏电流会发生起伏,从而引起了噪声。由漏电流起伏所引起的噪声包括:由体漏电流的起伏所引起的散粒噪声和两种由频率倒数所表征的闪烁噪声。一种闪烁噪声是由探测器表面的复合中心     

利用激光掺杂技术制造半导体结型探测器

本文介绍用激光掺杂技术在高阻硅中掺入杂质来制造核辐射结型探测器的方法。测试结果表明,所制作的这种探测器性能良好稳定,一致性好,制作周期短。     

测量反应堆快中子注量率的电流型宽禁带半导体探测器设计

为解决强流混合场快中子注量率实时测量的难题,本文基于反冲质子法,以耐辐照性能强、噪声低的半绝缘型（SI）GaN半导体材料为基础,采用带石墨平衡体及聚乙烯转换靶的并联结构,设计补偿式电流型探测器的方案,有效地降低了γ射线灵敏度。利用该探测器测量了西安脉冲堆1#径向孔道内混合场的快中子注量率,其结果与已有测量结果符合较好,验证了该方案的可行性。