小于两倍槽宽槽孔导向孔添加方式探讨

对0．7mm×1．2mm槽孔分别添加0．4mm、0．55mm导向孔,并分别添加在槽孔中心,距槽孔边1mil及与槽孔边相切,得出添加0．55mm导向孔并其与槽孔边相切时,槽孔孔形最为优良,并且在添加0．55mm导向孔时,其不同添加位置对槽长影响最为显著。     

0402尺寸齐纳二极管

罗姆开发出超小型的0402尺寸齐纳二极管（0．4mm×0．2mm）,这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上,和以往的0603尺寸（0．6mm×0．3mm）相比,成功地将尺寸减少了55％。     

0402尺寸二极管：齐纳二极管

罗姆推出齐纳二极管0402尺寸（0．4mm×0．2mm）,这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上。本产品属于较小的半导体产品,和以往的0603尺寸（0．6mm×0．3mm）相比,成功地将尺寸减少了55％。     

XC6229：电压调整器

特瑞仕半导体推出超小型（0．75mm×0．75mm×0．3mm）最大输出电流300mA的高速LDO电压调整器XC6229系列产品。     

1SS361LP3：超微型二极管

Diodes公司推出采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品。这批首次推出的6．0V基纳二极管及开关二极管以0．6mm×0．3mm×0．3mm的规格供应。     

浅谈指示表的检定

指示表是利用齿条齿轮或杠杆齿轮传动,将测杆的直线位移变为指针的角位移的计量器具。百分表的分度值为0．01mm,测量范围为0-3mm、0-5mm、0-10mm。千分表的分度值为0．001mm,测量范围为0～1mm、0-2mm、0-3mm、0-5mm。指示表主要用于测量制件的尺寸和形状、位置误差等。     

PMEG2005BELD：肖特基整流器

恩智浦半导体推出采用1．0mm×0．6mm×0．37mm超小扁平SMD塑料封装DFN1006D-2（SOD882D）、能效比较高的肖特基整流器。     

SMT模板制造工艺与设计

例如：一个两排引脚的连接器,其引脚中心距2．5mm（984mil）,插件孔直径11mm（433mil）,元件引脚直径0．9mm（354mil）．PCB厚度12mm（472mil）,3．8mm以内无其它元件,能满足焊锡量的普通模板开口尺寸设计为：宽22mm×长51mm,模板厚度为0．15mm（591mil）.     

基站用低噪声放大器

MGA-12516、13516和14516超紧凑型基站用LNA可以达到相当低的噪声指数（NF,Noise Figure）,同时能够以超低功耗带来高增益性能表现。它们都采小型化4．0mm×4．0mm×0．85mm 16管脚四面扁平无引脚QFN封装。     

首尔半导体发表全球最薄高亮度LED厚度仅有0．17mm

首尔半导体近日发布了全球最薄的LED,厚度仅为0．17mm,能够产生现有LED2倍的亮度。首尔半导体现已申请此项技术的专利。 首尔半导体新LED芯片WH108,宽度为1．6mm,长度为0．8mm,高度为0．17mm,在厚度上有明显降低。WH108较目前产业现有LED的0．2mm厚度还要薄15％,芯片的发光亮度也达到240med,为目前5mA LED亮度的2倍。     

F100 HCMOS系列：振荡器

Fox Electronics Asia Ltd．推出F100 HCMOS系列小占位面积、低耗电量振荡器产品,适用于小型便携设备。该系列振荡器备有1．8V（F110系列）、2．5V（F140系列）和3．3V（F130系列）三种选择,频率范围在1．0MHz-80．0MHz之间,全部均采用侧高低至0．8mm、占位面积为2．0mm×1．6mm的紧凑型封装。     

MK-888SV超高性能全自动高速锡膏印刷机

1、世界最高水平的印刷重复精度±0．015mm以下（画像认识系统），能对应CSPBUMP Ф0．2m、QFP0．3mm及CHIP 0201。     

医用金属植入体的智能表面处理

日本神户市的二六制所利用粉末冶金法制造的烧结铁氧体磁体,有圆形的、矩形的、环形、球形等多种形状产品。矩形产品可制作长1～150mm、宽1～100mm、厚度为0．5～25．4mm规格的;圆形和环状产品则可提供直径〈12mm的制品。这种烧结铁氧体的温度系数为0．18～0．19-％／℃,密度为4．8～5．0g/mm^3,维氏硬度480～580HV,使用温度达300℃。     

意大利桑浦公司挤出生产线系列

LIA1：数据电缆（可做到8类缆）绝缘挤出生产线 串联生产线 高压物理发泡工艺 导体进线直径：最大2．5mm 最终导体直径：0．32mm～0．9mm 绝缘外径：最大3．0mm 最低／最高生产速度：300—3000m／min 绝缘材料：PE     

脉冲激光烧蚀靶材产生的等离子体初始发展过程的诊断

用基于光偏转的光纤传感器研究了脉冲激光烧蚀铝靶产生的等离子体及冲击波的初始发展过程,实验结果表明,在距靶0．4mm内,冲击波与等离子体薄层未分离,一起离靶高速运动;在0．4mm处,等离子体薄层发生二次电离,电离使等离子体向电离中心的周围膨胀,造成等离子体中心密度低两侧密度高,同时使冲击波与等离子体分离;由于扩散作用,在0．4mm到0．7mm之间,等离子体由中心密度低两侧密度高过渡到中心密度高两侧密度低;0．7mm以后,等离子体传输速度减慢,信号波形展宽,幅度减小直至消失;冲击波与等离子体分离后其传播速度随传输距离而衰减,在8mm处衰减成声波。     

三镜折叠腔设计中高次非线形方程组的求解

在固体激光器三镜折叠腔的设计过程中,涉及到二元高次非线性方程组的求解。充分利用VC^ 的可视化特性使程序介入到求解过程中,从而大大简化了方程组的求解算法,目标程序使用方便、收敛速度快及结果可靠。应用该程序设计了腰斑半径ω1=0．04mm、ω2=0．09mm和ω1=0．08mm、ω2=0．10mm时的折叠腔结构。结果表明：只需3次缩小解的分布范围,即可使设计结果与目标值的偏差低于0．01％。     

IHLP-1212AB-11／AE-11：电感器

Vishay Intertechnology推出两款新的采用1212外形尺寸的IHLP低外形、高电流电感器IHLP．1212AB．11和IHLP．1212AE．11,占位为3．0mm×3．6mm,分别具有1．2mm和1．5mm的超低厚度。     

无源元件

0．4mm细间距板对板连接器：连接器 TE推出一款新的0．4m细间距、堆叠高度仅为0．6mm的板对板（BtB）连接器,以满足对更加纤薄小巧的消费电子设备日益增长的需求。     

SiB437EDKT：P沟道TrenchFET功率MOSFET

VishayIntertechnology推出占位面积为1．6mm×1．6mm、高度小于0．8mm的8VP沟道TrenchFET功率MOSFETSiB437EDKT。     

硼酸铝钕晶体1.34μm激光实验研究

本文报道了我所生长的硼酸铝钕（NAB）晶体1．34μm脉冲激光特性。用3mm×22mm的氙闪光灯泵浦3mm×18mm的NAB激光棒时，获得46．7mJ的脉冲激光，总效率为0．56％，斜率效率为0．8％。