硅基量子点器件

硅基量子点器件由于其独特的性能以及和硅集成电路相容的特点成为研究的重点。量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能,从而在微电子和光电子器件方面有着重要的应用价值。本文介绍了硅基量子点器件的一些应用,包括单电子晶体管、红外探测器、发光二极管。     

半导体量子点的器件应用

半导体量子点的生长和性质已成为当今研究的热点。以Ｓ－Ｋ生长模式已成功地生长了无缺陷的半导体量子点。由于其较强的量子效应,量子点结构的光电器件和电子器件有望比量子阱结构的器件具有更好的性能。介绍了量子点在光电器件中的一些应用,包括单电子晶体管、激光器和红外探测器等。     

军用光电子器件的标准化

简述光电子技术在军事应用中的作用和地位，介绍了国内军用光电子器标准化现状，并对今后工作开展提出若干建议。     

光电子器件的发展

本文分别对光电子学有源器件、无源器件、控制器件及光电子集成器件等进行了评述,并且着重指出,光电子器件是发展光电子学及其应用的重要基础。     

量子点激光器研究进展综述

本文综述了量子点激光器的研究进展。介绍了量子点激光器的结构原理、生长及其优化；对量子点激光器光电特性从实验和建立模型进行描述；给出以速率方程描述的量子点激光器的动态特性如光增益均匀展宽、激射光谱控制、激发态迁移等；最后展望了量子点激光器的研究方向。     

量子点结构垂直辐射器件

最近几年自组织多量子点半导体异质结构研究的重大进展不仅推进了它的基本物理性质研究,也促进了半导体光辐射源的实际应用。一个有意义的研究方向是使用多量子点作为微光学谐振腔的发光二极管和垂直腔面发射激光器的激活层。这种器件的主要优点是输出辐射发射角窄、波长的温度稳定性好和制造测试的组合工艺性稳定。虽然850nm和980nm波段微谐振腔发光二极管和垂直腔面发射激光器工艺发展顺利,但制造1.3mm和1.55mm波段实用的类似器件却要解决一系列原则问题[1]。垂直谐振腔器件的腔镜使用分布布拉格反射器,它由两种不同折射率的交替层（每…     

半导体光电子器件的研究进展

文章综述ＣＬＥＯ’９４及ＩＱＥＣ’９４会议报道的有关光电子器件的发展状况，叙述了大功率ＬＤ、蓝绿光ＬＤ、垂直腔面发射半导体激光器、可调谐ＬＤ及ＯＥＩＣ的最新研究进展。     

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术，近年来，越来越受到世界各国的重视。本文主要介绍纳米光电子学的基本概念，发展模式，纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。     

Progress of Si-based Optoelectronic Devices

Si-based optoelectronics is becoming a very active research area due to its potential applications to optical communications. One of the major goals of this study is to realize all-Si optoelectronic integrated circuit. This is due to the fact that Si- based optoelectronic technology can be compatible with Si microelectronic technology. If Si - based optoelectronic devices and integrated circuits can be achieved, it will lead to a new irtformational technological revolution. In the article, the current developments of this exciting field are mainly reviewed in the recent years. The involved contents are the realization of various Si- based optoelectronic devices, such as light- emitting diodes, optical waveguides devices, Si photonic bandgap crystals, and Si laser,etc. Finally, the developed tendency of all-Si optoelectronic integrated technology are predicted in the near future.     

ICP刻蚀技术及其在光电子器件制作中的应用

简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀设备的结构和刻蚀机理，报道了ICP刻蚀硅、二氧化硅和Ⅲ—Ⅴ族材料的一些最新进展，重点介绍ICP刻蚀技术在光电子器件制作方面的进展和应用前景。     

有机半导体薄膜的光学和电学性质研究

采用真空热蒸镀技术制备了NPB有机半导体薄膜和单层夹心结构器件,通过透射谱测量研究了薄膜的光学能隙、折射率和消光系数等光学性质,结果表明有机半导体薄膜具有直接带隙半导体的光学性质,并且其折射率色散性质遵循单振子模型.另外,通过分析器件的电流-电压特性研究了薄膜的电导率、载流子迁移率和载流子浓度等电学性质.这些实验结果对于有机光电子器件的结构设计具有一定的参考价值.     

自动交换光网络中光电子器件的进展

光网络正在向高速大容量、良好的扩展性和智能化的方向发展。自动交换光网络的出现是光传送网技术的重要突破,光电子器件功能的增强与性能的提高将对其实现与发展起决定性作用。本文介绍了自动交换光网络中一些光电子器件的重要特性和发展趋势。     

GaN基短波光电器件的研究进展

介绍了GaN基发光器件、电子器件以及GaN基紫外光(UV)探测器的研制和发展概况,描述了GaN基短波光电器件的研究进展并对其应用前景进行了展望。     

硅基光电器件研究进展

在信息处理和通信技术中,光电子器件起着越来越重要的作用,然而,因为硅是间接湿润地导体,度图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却遇到很大困难,为解决这一困难,人们发展了多种与同电子集成电路兼容的光电子器件制造技术,本文介绍最近几年这方面技术的发展状况。     

"半导体器件物理"的教学探讨

"半导体器件物理"是微电子专业和电子科学与技术专业的核心基础课,是联系半导体物理和集成电路的关键环节.在工程教育背景下,本文从教学内容、教学方法和手段、实践教学等方面进行了深入的探讨.该教学模式可以降低理论学习的难度,实现理论教学和自主学习相结合,提高教学质量.     

硅光电负阻器件的构成原理与分类

将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法     

量子器件的计算机模拟

综述了量子器件的几种输运模型及其模拟结果 ,并对量子器件物理模型及其辅助设计提出了设想。