亚稳态氖原子光刻的实验研究

用亚稳态氖原子束进行了原子光刻实验。用栅网作掩膜 ,以扩散泵油的有机分子在高能亚稳态氖原子作用下所生成的碳膜作抗蚀剂 ,在硅片上刻蚀出分辨率为 2 μm的微结构 ,为进一步的纳米级原子光刻技术的研究打下了基础。     

52Cr原子束激光生荧光稳频技术

通过分析^52Cr原子光刻对激光系统的技术要求，详细介绍了一种基于原子束激光感生荧光（LIF）光谱技术的稳频方法。     

~(52)Cr原子束激光生荧光稳频技术

通过分析52Cr原子光刻对激光系统的技术要求,详细介绍了一种基于原子束激光感生荧光(LIF)光 谱技术的稳频方法。     

原子光刻制备铬原子纳米条纹的实验研究

原子光刻技术可以制备高重复性的铬原子纳米条纹光栅,这种光栅可以作为纳米节距标准,实现对高精度的扫描探针式显微镜、电子显微镜等高端仪器的校准。高真空腔体中的固态铬原子受高温喷发出气态原子束,运动的原子束在冷却激光场和激光驻波场的分别作用下,实现原子束的准直与汇聚,沉积在位于激光驻波场后面的InP基片上。经过3h的堆积,得到间距为212.78nm,高度为9nm 的铬原子纳米条纹光栅。针对条纹生长速率较慢的问题,分析了具体原因,为后续工作提供参考。     

原子光刻促使芯片面积更小

7年前,贝尔实验室的物理学家发明了原子光刻技术,即使用中性原子代替光在表面刻蚀图形,目前已在世界范围内进行研究。尽管在工业上得到应用还需一段时间,但使科学家们感兴趣的是该技术提供了一个可以将现有依赖于光的光刻方法制造的芯片面积缩小10倍的方法。     

52Cr原子光刻制作纳米结构研究

纳米结构制作技术中,原子光刻具有独特的优势.为了能够达到纳米制作的要求,并得到所需的沉积条纹,设计了一套实验装置,并分别对原子光刻技术中的原子源、激光系统、稳频系统、原子准直系统和沉积结果进行具体的分析.根据所设计的实验装置,采用分步实验的方式,对各子系统进行了相关数据的采集和测试.其中,稳频精度达到了0.26 MHz精度,铬原子发散角经激光冷却系统由4.5 mrad降低到了0.9 mrad,最后沉积的纳米条纹间距为234 nm条纹高度约为0.276 nm.     

用于铬原子光刻的超高真空原子源的研制

原子光刻技术中,良好原子源的产生是最为基础的条件.针对实验中对原子束的具体要求,设计了一套超高真空原子源产生装置,主要参数为:系统工作真空度优于 5.0×10-5Pa,铬原子源温度为1650℃,铬原子最可几速率为960m/s,原子炉口所喷射出的铬原子数为N=1.5×1017s-1.     

用于激光原子囚禁的二极管激光器的稳频和移频

用饱和吸收光谱法对二极管激光器进行了稳频,使得激光器的等效线宽小于1～MHz,并利用声光调制器使激光的频移量得到控制,能满足激光冷却与囚禁原子对激光频率稳定性和频移量的要求,实现了Rb原子的激光囚禁。     

驻波透镜聚焦原子束制作纳米图形研究

介绍了将激光驻波聚焦原子束技术用于制作纳米级图形的基本原理和实验系统设计。研究了驻波透镜对原子束的聚焦特性及像差，数值结果显示原子束在置于焦平面处的基底上所沉积的条纹半高宽为10nm左右，可以实现纳米级超微细图形的制作。同时给出了实验装置及初步实验。     

增强腔在大失谐原子光刻中的应用

对增强腔在大失谐光场原子光刻中的实现进行了详细的讨论 ,通过增强腔对激光光束的压缩和功率的增强可达到近共振原子光刻的要求。数值结果显示相对于近共振原子刻印结果 ,在增强腔下光束中心处沉积的原子条纹宽度将更细 ,为原子刻印提供了一种实现条纹精细度较高的新型方案。     

纳米光刻对准方法及其原理

对准技术对光刻分辨力的提高有着重要作用。45nm节点以下的光刻技术如纳米压印等,对相应的对准技术提出了更高的要求。对光刻技术发展以来主要用于接近接触式和纳米压印光刻的对准技术做总结分类,为高精度的纳米级光刻对准技术提供理论研究基础和方向。经过分析,从原理上将对准技术分为几何成像对准、波带片对准、干涉光强度对准、外差干涉对准及莫尔条纹等五种对准方法。最后结论得出基于条纹空间相位的对准方法具有最好的抗干扰能力且理论上能达到最高的对准精度,而其他基于光强的对准方法的精度更易受到工艺涂层的影响。因此,基于干涉条纹空间相位对准的方法在纳米级光刻对准中具有很好的理论前景。     

用于提高光刻分辨率的光学成像算法的研究

通过对光刻系统中光学成像系统的模拟,提出了改善光刻分辨率的途径以及基于卷积核的计算光强的方法,并介绍了光学系统的传输交叉系数具体计算过程.建立准确描述由于掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸变化的光刻工艺模型,有助于开发由成品率驱动的版图设计工具,自动地实现深亚微米下半导体制造中先进的掩模设计、验证和检查等任务.     

电子束光刻制备5000line/mm光栅掩模关键技术研究

为了制备高线密度X射线透射光栅掩模,分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响;利用几何校正技术和低灵敏度的950 k的PMMA电子束抗蚀剂,克服了电子束的邻近效应对厚胶图形曝光的影响.采用电子束光刻和微电镀的方法制备了5 000line/mm x射线透射光栅的掩模,并将栅线宽度精确控制在100 nm～110 nm,为X射线光刻复制高线密度X射线透射光栅创造了有利条件.     

影响全息光刻图形质量的因素

使用矩阵转换方法,对全息光刻中全息掩模衍射效率进行了数值模拟计算,讨论了记录介质显影前后特性的改变和再现时全息掩模复位精度对光刻图形质量的影响,并找出了影响图形质量的主要因素.在此基础上设计了实验系统,最后得到了分辨率基本上只受初始光掩模分辨率限制的光刻图形.     

Two-Photon Polymerization Lithography for Optics and Photonics: Fundamentals,Materials, Technologies,and Applications

The rapid development of additive manufacturing has fueled a revolution in various research fields and industrial applications. Among the myriad of advanced 3D printing techniques, two-photon polymerization lithography (TPL) uniquely offers a significant advantage in nanoscale print resolution, and has been widely employed in diverse fields, for example, life sciences, materials sciences, mechanics, and microfluidics. More recently, by virtue of the optical transparency of most of the resins used, TPL is finding new applications in optics and photonics, with nanometer to millimeter feature dimensions. It enables the minimization of optical elements and systems, and exploration of light-matter interactions with new degrees of freedom, never possible before. To review the recent progress in the TPL related optical research, it starts with the fundamentals of TPL and material formulation, then discusses novel fabrication methods, and a wide range of optical applications. These applications notably include diffractive, topological, quantum, and color optics. With a panoramic view of the development, it is concluded with insights and perspectives of the future development of TPL and related potential optical applications.     

光学光刻现状及设备市场

概述了当前光学光刻技术现状及今后发展目标 ,并结合设备市场介绍了ASML、Canon、Nikon 3大设备制造商概况。     

限散射角电子束光刻技术及其应用前景

在下一代光刻(NGL)技术中,限散射角电子束光刻(SCALPEL)技术工艺简单、成本较低,因此是集成电路生产厂家首选的光刻方案之一。本文论述了SCALPEL的工作原理、加工工艺和方法、SCALPEL系统等,并对比分析了SCALPEL在NGL研发中的技术优势及其应用要点。     

光刻技术在微电子设备的应用及发展

介绍了光刻技术在微电子领域的应用,具体分析多种短波长光刻技术的最新进展,并对在0.1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望。