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采用线性组合算符和幺正变换相结合的变分方法,研究电子与体纵光学声子强耦合情况下抛物量子阱中极化子的声子平均数。给出了抛物量子阱中强耦合极化子的声子平均数与量子阱受限强度和电子-体纵光学声子耦合强度的关系。结果表明:强耦合极化子的声子平均数随量子阱受限强度的增大而增大,随电子-体纵光学声子耦合强度的增大而增大。随着量子阱受限强度的减小,声子平均数趋于晶体材料的值。抛物量子阱受限强度和耦合强度的增大加强电声子之间的相互作用。 相似文献
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采用变分法研究了在外磁场作用下GaN/AlxGa1-xN无限抛物量子阱(PQW)中类氢杂质态能级,给出不同磁场下杂质态基态能、结合能随阱宽的变化关系以及能量随磁场强度变化的函数关系。数值结果表明:外磁场对类氢杂质能量和结合能均有明显的影响,杂质态能量随磁场的增强而显著增大,并且随阱宽的增大而增大;GaN/Al0.3Ga0.7 N PQW对杂质态的束缚程度比GaAs/Al0.3Ga0.7As PQW强。 相似文献
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为突出双声子相互作用对磁场内量子点中极化子的影响,简化了理论模型,把库仑势对电子质量的影响用电子在能带中的质量来代替。使用线性组合算符和么正变换对系统进行理论计算,导出了半导体量子点中磁极化子的基态和各部分能量。当考虑电子在反冲效应中反射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论了这种作用对半导体量子点中磁极化子基态能量的影响。通过数值计算表明,半导体量子点中磁极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的增加而增加。当磁场较弱时,声子之间的相互作用对极化子性质的影响是不能忽略的。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2018,(1)
采用线性组合算符和幺正变换相结合的变分方法,研究了电子与体纵光学声子强耦合情况下抛物量子阱中极化子的基态能量。给出了抛物量子阱中强耦合极化子的基态能量与量子阱受限强度和电子-体纵光学声子耦合强度的关系。通过数值计算,结果表明:强耦合极化子的基态能量随量子阱受限强度的增大而增大,随电子-体纵光学声子耦合强度的增大而减小。随量子阱受限强度的减小,基态能量趋于晶体材料的结果。抛物量子阱增强了极化子的基态能量。 相似文献
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采用线性组合算符与变分相结合的方法研究了温度对无限深量子阱中弱耦合束缚极化子性质的影响.推导出在弱耦合情况下,无限深量子阱中束缚极化子的基态能量和振动频率与温度的关系.选择GaAs晶体为例,进行数值计算.结果表明:温度升高时,量子阱中弱耦合束缚极化子的振动频率增大;温度升高、阱宽增大时,量子阱中弱耦合束缚极化子的基态能... 相似文献
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采用线性组合算符与变分相结合的方法研究了温度对无限深量子阱中弱耦合束缚极化子性质的影响。推导出在弱耦合情况下,无限深量子阱中束缚极化子的基态能量和振动频率与温度的关系。选择GaAs晶体为例,进行数值计算。结果表明:温度升高时,量子阱中弱耦合束缚极化子的振动频率增大;温度升高、阱宽增大时,量子阱中弱耦合束缚极化子的基态能量的绝对值增大。 相似文献
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采用变分方法研究GaAs/AlxGa1-xAs有限抛物量子阱中类氢杂质态能量和结合能随外电场和阱宽的变化关系.在计算中考虑了电子有效带质量和介电常数随空间坐标(或合金组分)的变化因素.结果表明,外电场对类氢杂质态能量和结合能均有明显的影响,并且这些影响随着阱宽的增大而增大.电子有效带质量和介电常数随空间坐标的变化效应使得类氢杂质态基态能量减小,结合能增大,此效应随着阱宽的增大明显变小. 相似文献
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采用线性组合算符和幺正变换方法研究了外场对抛物量子点中极化子的激发态性质的影响,导出了强、弱耦合情况下极化子的第一内部激发态能量E1、激发能量ΔE、共振频率ω与量子点的有效受限长度l0、电子-声子耦合强度α以及外场B的关系。数值计算结果表明,不论强、弱耦合,磁场中量子点内极化子的λ、E1、ΔE和ω都随l0的减小而增大,而且都随回旋频率ωc(磁场B)的增大而增加。另外,在弱耦合情形下,λ、ΔE和ω均与α无关,而E1随α的增大而减小。相反,在强耦合情形下,λ、E、ΔE和ω均随α的增大而增加。 相似文献
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量子阱中强耦合极化子的性质 总被引:4,自引:1,他引:4
采用改进的线性组合算符和变分相结合的方法,导出了量子阱中强耦合极化子的振动频率和有效质量;讨论了阱宽和电子-声子耦合强度对强耦合极化子的有效质量的影响以及极化子的速度对振动频率、基态能量、基态结合能和有效质量的影响。通过数值计算结果表明;强耦合极化子的有效质量随阱宽的增加而减少,随电子声子耦合强度的增加而增大;极化子的振动频率、有效质量和基态结合能随极化子速度的增大而增加,极化于的基态能量随速度的增大而减小。 相似文献