肖脱基势垒红外摄象器件

本文介绍肖脱基势垒红外摄象器件的工作原理;最近的重大进展及几种典型器件的结构。尤其是光学谐振腔及对不均匀性的校正技术。     

PtSi—SBD光腔结构的共振吸收模型

研究了PtSi—SBD的结构和光产额。由光产额模型可知，采用薄PtSi光腔结构和降低肖特基势垒可提高量子效率。利用光的共振吸收模型，通过计算机模拟计算表明，引入抗反射层，优化光腔结构可以大大提高光的吸收率。同时，PtSi膜厚在1～2nm时，PtSi—SBD的量子效率系数最大。     

高性能128×128元PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵

设计并研制成功128×128元 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)焦平面列阵。介绍了该器件的工作原理。阐述了器件结构和设计思想,并就器件的性能参数进行了研究。     

高性能PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵

本文介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵(PtSi-SBIRFPA)的工作原理,阐述了肖特基势垒探测器的优化结构,分析了器件的优异性能,并给出了量子效率、灵敏度、暗电流、噪声等效温差和转移效率的典型曲线,评述了国内外PtSi-SBIRFPA的发展。     

PtSi／p－Si肖特基势垒红外探测器的研制

介绍了ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ肖特基势垒红外探测器（简称ＩＲ－ＳＢＤ）的优化结构及探测机理，给出了探测器的光增益模型，并对器件进行了制作及性能测试。器件在７７Ｋ下，反偏４Ｖ时的反向漏电流为５×１０（－６）μＡ，对１．５２μｍ红外光的灵敏度为２．６９×１０（－２）Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％。     

PtSi／p－Si肖特基势垒红外探测器的研制

介绍了ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ肖特基势垒红外探测器（简称ＩＲ－ＳＢＤ）的优化结构及探测机理，给出了探测器的光增益模型，并对器件进行了制作及性能测试。器件在７７Ｋ下，反偏４Ｖ时的反向漏电流为５×１０（－６）μＡ，对１．５２μｍ红外光的灵敏度为２．６９×１０（－２）Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％。     

PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列器件的发展与应用

概述军用热成象系统中硅化铂肖特基势垒外焦平面阵列器件的新近发展与应用。     

肖特基势垒红外焦平面技术研制动态

肖特基势垒红外焦平面阵列(SB-IRFPA)技术具有一系列独特的优点,其发展速度是目前各种焦平面阵列技术中最快的,本文综合评述肖特基势垒红外焦平面阵列技术的特点、结构形式、工作机理、目前在短波、中波和长波器件方面取得的进展,在量子效率改善方面采取的有效措施和阵列技术未来的发展趋势。     

高性能PtSi凝视红外焦平面列阵的研究与进展

本文叙述了国内外ＰｔＳｉ凝视红外焦平面列阵（ＦＰＡ）的研究发展状况。详细介绍了提高ＰｔＳｉ肖特基势垒探测器（ＳＢＤ）灵敏度的研究工作。这些ＳＢＤ工作温度约为８０Ｋ，应用于中红外波段（３～５μｍ）。象素数达５１２×５１２，１０２４×１０２４的凝视列阵已见报道。ＰｔＳｉＳＢＤＦＰＡ能在３００Ｋ实现热成象，其噪声等效温差（ＮＥａｒ）达到０．０３Ｋ。文中还介绍了我国研制的１２８×１２８元，２５６×２５６元ＰｔＳｉ凝视红外焦平面，并讨论了凝视ＦＰＡ的设计选择，最后对其特性进行了简要总结。     

PtSi／n—Si肖特基势垒二极管的研制

本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击穿电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分析。     

PtSi红外焦平面列阵研究的新进展

评述了ＰｔＳｉ消特基势势垒红外焦平面列阵的的研究进展。近年来，国外采用一些新的器件结构，制成了高性能的大型凝视ＰｔＳｉ红外焦平面列阵。     

凝视PtSi红外焦平面列阵的结构和性能

ＰｔＳｉ红外焦平面列阵的结构设计，必须有利于提高器件的性能参数。ＩＴＣＣＤ（内线转移电荷耦合器件）是迄今ＰｔＳｉ ＦＰＡ用得最多的读出结构，采用隔行扫描特点，对小象元尺寸，填充系数很难提高。而缩小象元尺寸，增大填充系数是大型凝视ＰｔＳｉ ＦＰＡ的发展方向和必由之路，为此，近年来国外采用了一些新的器件结构，如ＣＳＰ、ＬＡＣＡ、ＭＯＳ、ＤＳＩ、硅圆柱透镜列阵、混合式结构等，研制成了高性能的大型凝视Ｐｔ     

1 024元线列PtSi肖特基势垒红外CCD

介绍了我们研制的1 024元线列PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD).器件采用最小2微米设计规则,两层多晶硅结构.器件的像元尺寸为30 μm×30 μm.器件采用品字形排列,占空比为100%.1 024位探测器存储的电荷分两路CCD到同一个浮置扩散放大器上输出.器件在80 K温度下工作.在积分时间为4毫秒及镜头为F/1条件下,器件噪声等效温差为0.1 K.用1 000 K黑体测得探测率D·为9.8×109 cm·Hz1/2·W-1.器件响应不均匀性为4.8%.介绍器件设计及性能测试结果.     

PtSi-SBD光腔结构的共振吸收模型

研究了PtSi-SBD的结构和光产额.由光产额模型可知,采用薄PtSi光腔结构和降低肖特基势垒可提高量子效率.利用光的共振吸收模型,通过计算机模拟计算表明,引入抗反射层,优化光腔结构可以大大提高光的吸收率.同时,PtSi膜厚在1～2 nm时,PtSi-SBD的量子效率系数最大.     

凝视式肖脱基红外电荷耦合焦平面的鉴定

概述肖脱基势垒红外探测器为制造高度均匀的单片式红外电荷耦合器件(IRCCD)焦平面阵列提供了可能。在p型硅上,PtSi的势垒高度约为0.27电子伏,红外响应延伸到～4.6微米。资料[1～6]论证了PtSi的IRCCD的热成象,本文介绍热成象的测量结果,所测红外相机的单片硅焦平面采用肖脱基内光电发射二极管和CCD读出电路。制成了256元PtSi肖脱基势垒IRCCD线列和25×50元面阵;图1为线列的光学     

一种新的红外焦平面图像信号无线光输出协议

文中提出了一种针对红外焦平面图像信号无线光输出的高速数据链路层协议。该协议以IrDA标准的红外数据链路协议(IrLAP)作为参考，通过红外无线信道来实现点对点、高速、稳定的图像信号输出。协议的设计充分考虑了对多种红外传输速率的支持，以及位错误率(BER)、红外帧长度、应答分组大小等因素对系统传输吞吐量的影响，提出了寻找合适参数有效的计算方法，以及基于FPGA的红外无线视频传输平台的设计方法。实验结果显示，传输平台可以在16Mb／s的红外传输速率下长期稳定工作。这表明本协议适用于VFIR及更高速率的图像无线传输，经过不断地测试与完善，可为制订今后焦平面图像信号光输出规范提供参考。     

Si基有机异质结势垒特性的研究

在电阻率为０．２Ω．ｃｍ的ｐ－Ｓｉ衬底上沉积了厚度为２０ｎｍ的有机半导体材料四甲酸二酐（ＰＴＣＤＡ）薄膜,由此形成有机／无机异质结。从它们的能带结构出发,通过实验测试分析了这种有机／无机半导体异质结（ＯＩＨＪ）的电容－电压及电流－电压特性。