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MOSFET功率开关器件的散热计算 总被引:3,自引:0,他引:3
文中介绍了以MOSFET为代表的功率开关器件功率损耗的组成及其计算方法,给出了功率器件散热器的热阻计算方法和步骤.简要说明了在采用风冷散热时应遵循的一般准则。 相似文献
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提出了一种全新思路的功率MOSFET驱动电路。该电路采用数字电路结构,分立器件少,易实现模块化,波形控制十分灵活,工作频率很高,适用于高频软开关的开关电源及DC/DC变换器。 相似文献
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本文描述,论证并用实例说明了一种选择SOI MOSFET适当模型的实验方法。选择的准则是由薄膜和(半)体器件模型所预测的稳态电流——电压特性导出的。通过揭示(看似正确的)实际经验模型所产生的明显的模拟误差,突出了选择适当模型的必要性。 相似文献
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M.Pavier M.Standing P.Cutler A.Sawle C. Blake A.Woodworth 《电子设计应用》2005,(10):105-106
本文探讨了可以用于生产厂封装的器件的各种热管理方案,并且引用了国际整流器公司的测试数据,来评估使用小型散热器改善这些器件散热性能的优点,并研究了在进行通电循环的情况下,在器件上直接安装散热器对器件可靠性的影响。 相似文献
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大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术 总被引:1,自引:0,他引:1
《今日电子》2003,(2):51-52
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies,SMPS)的整流组件,不过,在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MOSFET和双极型晶体管不同,它的栅极电容比较大,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此,栅极驱动器的负载能力必须足够大,以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容(CEI)的充电。在计算栅极驱动电流时,最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容(CISS)和CEI混为一谈,于是会使用下面这个公… 相似文献
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给出一套具有较高精度且同时适用于数字电路和模拟电路CAD的短沟MOS器件直流模型。该模型精确、高效,可移植到HSPICE等通用线路分析软件中。结合解析和数值两种参数提取方法,文中采用局部优化参数提取法进行MOS器件参数提取。优化算法采用单纯形直接搜索法。参数提取过程中考虑了输出电导的精确性。通过对1.2μmCMOS工艺NMOS器件的测试及参数提取,并进行模型计算,结果表明理论和实际值符合很好。 相似文献
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全固态电视调频发射机目前使用的都是大功率MOSFET晶体管,使用较多的是飞利浦公司生产的BLF278和摩托罗拉公司生产的MRF151G,由于其输入阻抗很高,栅极感应的电荷不易泄放,因此产生较高的感应电压,造成栅极的绝缘层容易击穿而损坏,所以在使用中要特别注意。 相似文献
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快捷半导体推出称为QFET系列的新一代功率MOSFETs,具有低通导电阻(R_(DS_(on)))和低栅极电荷(Q_g),因而产生较小的开关损耗,从而提高开关电源(SMPS)的效率,改善SMPS的性能。 相似文献
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热阻是衡量功率MOSFET器件散热能力的重要参数,对其准确测试与分析具有重要意义。基于结构函数理论,同一功率MOSFET器件在不同条件下进行两次实验,通过积分结构函数分离点来确定器件热阻。该方法简单准确,可重复性好,实验测试结果为0.5 K/W,与有限元(FE)建模获得的0.44 K/W符合较好。对比两不同批次器件的微分结构函数,其中一种器件微分结构函数发生0.2 K/W偏移,超声波扫描(SAM)发现该器件焊料层存有空洞,该方法可用来判断器件内部工艺的好坏。 相似文献
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