区熔硅单晶掺杂公式的探讨

中子嬗变掺杂法已广泛应用于区熔硅单晶生产中,然而常规掺杂法具有方法简易灵活,生产周期短,成本较低的特点,仍不失其使用价值。本文从真空提纯理论入手,引入了掺杂区熔后料棒杂质浓度的表达式,得到了适用于区熔硅单晶生产的常规掺杂公式并进行了有关工艺理论上的探讨。     

新型区熔硅单晶

新型区熔硅单晶北京有色金属研究院成功地研制出φ１００ｍｍＮ＜１１１＞ＮＴＤ区熔硅单晶，它是用于制做高电压、大电流功率器件的一种新型材料。晶体直径φ１００ｍｍ；电阻率范围５０～３００Ω·Ｃｍ；径向电阻率不均匀性≤６％；晶体少数载流子寿命≥１００μｓ；晶...     

历产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大。大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产Φ１０１ｍｍ区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索，成功实现了在国产设备上搠制Φ１０１ｍｍ区熔硅单晶。填补了空白，节约了外汇，打破了迷信，为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心。     

硅单晶掺杂技术探讨

一、什么是掺杂 硅的本征电阻率很高,约为2.3×10~5欧姆·厘米,而大多数的半导体硅器件诸如硅可控整流器,二极管,晶体管,集成电路等都仅需用N型或P型,电阻率低于200欧姆·厘米的硅单晶。因此必须采用一定的手段对     

大直径（100）区熔硅单晶生长的特点

大直径〈１００〉区熔硅单晶生长的特点谭伟时陈勇刚孙华英周旗钢（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：大直径区熔硅单晶１引言随着电力电子器件的飞速发展，高反压、大电流半导体器件对硅单晶的质量要求越来越高：纯度高、直径大、无位错、无旋涡缺陷及电...     

在国产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条件摸索,成功实现了在国产设备上拉制φ101mm.区熔硅单晶.填补了空白,节约了外汇,打破了迷信,为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心.     

在国产炉上研制区熔D101mm硅单晶

高反压，大电流电力电子器件的发展要求FZ硅单晶直径进一步增大，大直径FZ硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产D101mmFZ硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索。成功实现了在国产设备上拉制D101mmFZ硅单晶。填补了空白。节约了外汇。为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心。     

直拉硅单晶双元素掺杂工艺

前言直拉硅单单晶中常用的掺杂元素有磷P、硼B、砷As、锑Sb等。众所周知N型硅单晶是采用P、As、Sb三种元素作为掺杂剂,P型硅单晶是利用元素B作为掺杂剂。随着电子工业的发展,基础材料硅在质量、品种上近几年都发     

直拉硅单晶生长的数控方法

本文研究了一个直拉硅单晶生长的试验系统。它是一种多功能高交叉的改进设备,已证明新工艺的可行性,并可作为建造生产设备的基础。两年来每周生长单晶的结果,证明在一些重要方面数控优于模拟控制。首先,全过程的可重复性及对全过程的紧密控制使生产率提高了30%。此外,还可以一种相对恒定的拉速生长晶体,并主要以温度来实现对直径的控制。产出的晶体具有平滑和光亮的外园表面,没有模拟控制生长的晶体所具有的典型波状外观。     

加热线圈内径计算公式的应用——改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的工艺探讨之三

本文叙述了加热线圈内径计算公式的实际应用及与三相适应的晶体生长工艺。     

小内径加热线圈的提出——改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的工艺探讨之一

关于改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的工艺报告,共分三篇,即:《小内径加热线圈的提出》、《加热线圈内径计算公式的原理和推导》、《加热线圈内径计算公式的应用》,报告将先后在本刊发表。 本文对一九七六年一月发表的《提高区熔硅单晶截面电阻率均匀性的工艺探讨》一文,作了必要的修改和补充。介绍了区熔法〈111〉方向N型高电阻率的硅单晶工艺中,采用了小内径加热线圈、低功率、粗腰生长工艺,改善了径问电阻率的不均匀性,并对小内径加热线圈导致径向电阻率不均匀性改善的机理,作了初步的分析。     

区熔锗废料的提纯

一前言区域提纯是制取高纯锗的一种有效方法。但是在生产过程中总是产生一些杂质含量较多的废料,返回进行化学处理,增加了生产成本。如这些废料按照常规方法进行区域提纯,必然导致产品合格率的降低,如表1所示。     

加热线圈内径计算公式的原理和推导——改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的工艺探讨之二

在《小内径加热线圈的提出》一文及西德W.Keller的报告中,都以大量的实验数据证实了采用小内径加热线圈等工艺,是改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的有效途径,但都缺乏理论上的论证。 本文对区熔法加热线圈所造成的熔区和磁场空间,分别建立了数学—物理模型,再从能量转化和能量守恒的原理出发,推导了在最佳耦合状态下加热线圈和原料直径的关系,最终获得了加热线圈内径计算公式。 加热线圈内径计算公式的原理和推导过程,实际上也是从理论上对小内径加热线圈得以改善径向电阻率不均匀性的机理,作了比较透彻的论证。     

硅单晶的热处理问题

一、引言硅单晶的热处理工艺在我国已开始受到重视,并开展了这方面的研究工作。在国外,热处理工艺已经是许多半导体硅生产厂家的必要工艺环节。热处理的好处在于: (a) 稳定电阻率,改善截面均匀性,消除杂质条纹; (b) 消除晶体内应力和机械损伤; (c) 稳定位错,减小它的有害影响; (d) 消除微缺陷,杂质微沉淀。     

世界最长的高质量硅单晶

日本三菱材料公司和三菱硅材料公司共同开发出半导体用硅单晶的连续制造法,在该公司中央研究所进行的拉制试验中,成功地制造出直径6英寸、长2米的世界最长的高质量硅单晶。     

硅单晶片研磨液的研究

论述了研磨液在硅单晶片加工中所起的重要作用以及当今国内外研磨液的发展状况，通过实验研究有效地解决了目前研磨液存在的悬浮，金属离子的去除及表面颗粒吸附问题，并对研磨液的污染及其净化处理进行了分析。     

液芯钢锭的加工方法

据“3、”1987;(11)报道,提高钢锭装炉热函(焓)是实现开坯车间降低单位热耗的主要措施之一。通过充分地利用前工序余热,特别是在浇铸之后,加快钢锭的输送等措施是可以达到目的的。     

多级转子动平衡试验方法探索

老式的弹性体式动平衡台用于压缩机转子的动平衡，不仅灵敏度差，而且操作要求高。本文作者从实践中摸索出了一种将动平衡三圆法应用到多圆盘转子中去的方法，并给出了理论依据。     

拉制硅单晶的两项新技术

日本三菱材料及大阪钛制造两公司分别开发出两项拉制硅单晶的新技术.三菱材料公司开发的连续 MOZ 法,是将边加磁场边拉制的磁控管 CZ(MCZ)法与传统的切克劳斯基单晶拉制法(直拉法)组合,可将影响半导体特性的氧浓度降低,能在较宽范围内控制氧的浓度,而且,在拉制中添加的杂质(掺杂剂)浓度也可保持均匀.     

大规模集成电路用硅单晶的研究

进一步研究了提高硅单晶的质量,取得了良好的结果。采用减压拉晶工艺,研究炉室内气体运动状态,调节氩气流量,及时有效地排除反应产物,碳的含量得到了显著的降低,多数单晶样品的碳含量≤5×0~(16)/厘米~3。系统地研究了消除旋涡缺陷的途径。设计出一个梯度适宜、热对称性良好的温度场,合理选择晶体生长参数,获得近似平坦而微凹的结晶前沿,注意氧含量的控制,能够做到90%以上的 P 型〈111〉,〈100〉单晶为无旋涡缺陷。无旋涡缺陷单晶生长工艺有助于单晶径向电阻率均匀性的改善,径向电阻率不均匀度一般均可≤8%。