在兰宝石上射频溅射ZnO单晶薄膜的结构及SAW特性

用射频溅射法已在兰宝石的(O001)和(0112)面上外延生长了ZnO单晶薄膜.研究了这些薄膜的晶体结构和电特性.对兰宝石(0112)面上沿ZnO薄膜C轴传播的SAW测量了包括相速度,耦合系数,传播损耗及延迟温度系数等声表面波(SAW)特性.通过中心频率为1050兆赫的滤波器证明了这种结构对于高频SAW器件的可用性.     

接近于1.5千兆赫的SAW谐振器

现在,SAW谐振器已经在1.5千兆赫附近工作。现在已经能生产频率比过去的高一个数量级的,稳定的基模振荡器和高Q滤波器。这些SAW器件,可以使现代通讯和雷达系统的分系统或组件变得比较小,简单,并降低功耗。在本文中将讨论工作于0.5—1.5千兆赫之间的SAW谐振器的基本结构,制作技术和特性及其应用。 最简单的声表面波(SAW)谐振器,等价于已广泛使用于振荡器和窄带滤波器的声体模式晶体谐振器。一个SAW谐振器,由表面上有两个分布式反射器和一个或几个电-声叉指换能器的压电晶片构成。反射器应构成一个能够约束表面波的谐振腔,而叉指换能器应能使能量进入并离开谐振腔。图1是一个SAW     

ZnO/玻璃结构SAW TV-IF滤波器的研制

本文扼要地叙述了一种结构新颖、性能优良、材料来源丰富、价格便宜、适宜批量生产的ZnO/玻璃结构的SAW TV-IF滤波器的设计方法,结构样式及材料特点.并简要地提示了有关制作工艺及注意问题.     

8千兆赫介质带通滤波器

本文描述了介质窄带带通滤波器的设计方法,介绍了8千兆赫圆柱形介质谐振器窄带滤波器.该滤波器的中心频率为8059兆赫,带宽为±25兆赫,通带插损分别小于0.5分贝(三谐振器)和0.8分贝(四谐振器),阻带衰减分别大于25分贝(三谐振器)和35分贝(四谐振器),通带内驻波特性,其反射损耗大于25分贝.     

ZnO/IDT/金刚石结构SAW滤波器的设计和制作

传统材料制备的声表面波(SAW)滤波器的中心频率f大多位于较低的频段(f<500 MHz),但是无线通信频段逐渐向着高频化的方向发展,因此在SAW器件领域中引入高声速材料如金刚石以提高中心频率成为一种必然趋势。基于金刚石材料、采用ZnO/IDT/金刚石新型结构,设计了交错叉指结构和镜像阻抗连接结构的叉指换能器(IDT)参数。通过优化的工艺制备流程,获得了金刚石SAW滤波器样品。最后采用RF探针台对样品进行了性能测试和数据分析。测试结果表明制备的SAW滤波器样品的测试结果与理论值比较符合,交错叉指结构滤波器获得了很低的插损,镜像阻抗连接结构滤波器有效地提高了带外抑制度。样品IDT指宽2μm,SAW滤波器中心频率可达0.775 GHz。     

调频广播接收机10.7兆赫SAW滤波器的设计考虑

设计10.7兆赫SAW滤波器的关键是如何将高性能、低成本和利于批量生产诸问题结合起来,以适应民用的要求。本文对设计方案和基片材料的选择作了仔细的讨论,并报导了试验结果。     

兰宝石上的高质量CdTe外延膜

用有机金属汽相淀积法(OMCVD)在CdTe上外延生长Hg_(1-x)Cd_xTe已试制成功。这种令人鼓午的结果表明:向研制大规模低成本生产这种重要的红外探测器材料迈出了重要的一步。然而,要成功地实现这种器件生产法就需要有高质量大面积CdTe衬底。用生产块体单晶CdTe来提供这种衬底太贵,对满足这种需要不大可能。另一种方法是在现成的衬底上生长CdTe薄外延层,其后再生长Hg_(1-x)Cd_xTe。首先研究用OMCVD法生长Ⅱ-Ⅳ化合物的是Manasevit和Simpson。在此初步研究     

高可靠ZnO薄膜SAW TV奈氏滤波器

本报告叙述ZnO薄膜SAW TV接收机奈氏(Nyquist)滤波器及TV台解调器.滤波器由层状结构组成.溅射ZnO压电薄膜沉积在硼硅玻璃基片上,Al叉指电极插在ZnO膜和玻璃基片之间,而Al对向电极沉积在ZnO膜表面 ZnO膜的厚度大约是SAW波长的3%,变迹用改变对向电极形状来实现.找到了降低TV-VIF滤波器不可避免的插入损耗的先进的SAW设计,因此VIF级可以在没有任何前置放大器的情况下工作.精确的设计实现TV台的标准解调器;在通带内振幅平坦度0.05dB而群延迟波纹为10ns,这些滤波器显示出10ppm/℃和100ppm/25,000小时的漂移这样极好的频率稳定性.这种SAW滤波器目前正在生产.     

单晶兰宝石管性能的主要结构缺陷及其检测方法

本文介绍了单晶兰定优越的性能及其在电光源领域的应用，阐述了该种晶体中存在的主要结构缺陷及其对材料性能的影响；论述了检测该类缺陷的理论并给出具体方法。     

单晶兰宝石管性能的主要结构缺陷及其检测方法

本文介绍了单晶兰宝石优越的性能及其在电光源领域的应用；阐述了该种晶体中存在的主要结构缺陷及其对材料性能的影响；论述了检测该类缺陷的理论基础并给出了具体方法。     

R频段(2.65—40千兆赫)波导滤波器

本文给出了R频段矩形波导带阻和带通滤波器的实验结果。借助计算机辅助设计能达到规定的滤波器插损和反射系数指标。衰减特性的计算值与测量值非常吻合,而且不需要进行实验调整。     

防止用于SAW电视中频滤波器的LiNbO_3单晶的开裂

本文讨论了制作SAWTVIF滤波器的工艺中LiNbO_3单晶和晶片的开裂,并提出了解决问题的方法。     

TriQuint发布SAW滤波器p/n 856756

TriQuint半导体公司发布最新的用于GPS（全球定位卫星）导航系统的SAW滤波器p／n 856756，该超低失真、高抗扰的滤波器为客户提供了更多的选择。TriQuint滤波器在对PND用户进行精确定位时，相比其他的无线信号，GPS信号到达地面时其功率水平较低。在接收信号链中的TriQuintSAW滤波器能够滤除非GPS信号源的其他噪音信号，同时降低GPS信号本身的损耗。WWW．triquint．com     

2～4千兆赫钇铁柘榴石调谐振荡器

一、前言人们知道,以1946年Griffihs最初发表的钇铁柘榴石(YIG)单晶为代表的柘榴石系铁氧体,在微波领域内呈现出极为尖锐的电子自旋共振现象,而且其共振频率在很宽的频带范围内,对于外加的直流磁场保持线性的比例关系。由此,使直流磁场的电磁铁的励磁电流变化,就可进行宽带电子调谐,而且在向全固体化方向发展的微波机中,可望获得广泛的应用。例如代替空腔谐振器的YIG滤波器、代替真空管式反波振荡器的     

ZnO/玻璃层状结构SAW器件的刻蚀工艺探索

本文介绍ZnO/玻璃层状结构器件的刻蚀,Al膜和ZnO膜腐蚀溶液的选择,以及腐蚀时腐蚀液浓度,温度和时间对器件的影响.     

基于ZnO/PI结构的柔性SAW器件有限元仿真研究

柔性电子的发展使微机电系统对柔韧性和延展性的需求日益增加,我们提出了一种基于ZnO和聚酰亚胺叠层结构的声表面波(SAW)器件。该文采用COMSOL软件对该结构的SAW器件进行二维有限元仿真分析,得到了器件阻抗随频率变化的特性,以及直观的谐振频率下粒子位移特性,并分析了不同ZnO厚度对瑞利波的频率和相速度的影响。为验证仿真的准确性,我们采用磁控溅射工艺和紫外光刻机制备了三组柔性SAW器件,其波长均为16μm,ZnO厚分别为1.2μm、2.3μm和4μm,器件的实测结果与仿真数据进行了比较。结果表明,制备的SAW器件特性与仿真结果具有很好的一致性,且仿真和实验都验证了随着ZnO厚度的增加,等效声速和谐振频率增大的结论。     

适用SAW器件的ZnO/Ti/Si薄膜制备及缺陷分析

在Si(100)衬底和Ti/Si(100)衬底上分别制备了ZnO薄膜,探讨了Ti缓冲层对ZnO薄膜结构和缺陷的影响,利用X射线衍射(XRD)测试了ZnO薄膜的晶体结构及择优取向,利用原子力显微镜(AFM)观察ZnO薄膜的表面粗糙度(RMS),利用光致发光(PL)光谱检测了ZnO薄膜的缺陷,利用四探针法测试了ZnO薄膜的电阻率。结果表明,在Ti/Si(100)衬底上、衬底温度350℃的条件下,制备的ZnO薄膜表面光滑、缺陷少、电阻率高且具有高C轴取向。本文这一工作对于压电薄膜缺陷分析及高性能ZnO的声表面波(SAW)器件研制有重要意义。     

ZnO/Ag/ZnO多层膜的制备和性质研究

采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶和直流磁控溅射Ag靶的方法制备了ZnO/Ag/ZnO多层膜。用X射线衍射仪、紫外–可见分光光度计、四探针测试仪和金相显微镜对ZnO/Ag/ZnO薄膜的结构、光学透过率、方阻和稳定性进行了研究。结果表明,ZnO(60nm)/Ag/(10nm)/ZnO(60nm)薄膜呈现多晶结构,薄膜在520nm处的光学透过率高达87.5%,方阻Rs为6.2Ω/□。随着顶层ZnO薄膜厚度的增加,ZnO/Ag/ZnO薄膜的稳定性提高。     

ZnO/蓝宝石结构声表面波滤波器试验研究

该文从理论上计算得到了ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构的声表面波相速度和机电耦合系数色散曲线。依据该色散曲线设计了ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构声表面波滤波器。采用在蓝宝石衬底上先制备ZnO薄膜然后再制作芯片结构的方案研制出了声表面波器件样品。研制过程中生长出了a面结构的ZnO薄膜,其中厚膜样品测试得到了3种声波模式,即模式0、1及2,模式0、1和2的频率分别为1 073.79 MHz,1 290.63 MHz和1 572.3 MHz, 因此,间接测得了模式0、1和2的相速度分别为3 865.67 m/s, 4 646.25 m/s和5 660.27 m/s。