电子束辐照对GaN基白光LED发光性能的影响

研究了低能电子束辐照对GaN基白光LED发光性能的影响。利用电子束模拟空间电子辐射,对白光LED灯板进行电子束辐照,并与辐照前的灯板比较,研究其光学性能,尤其是色度学性能的变化。试验结果表明,在电子束辐照后,LED的光效退化,色温增强,蓝光峰值波长蓝移,荧光粉激发作用增强。最后总结了辐照前后的平均蓝光峰值波长、黄光相对峰强以及色温的变化值与辐照剂量的对应关系。同时对实验结果进行机理分析和讨论。本实验对照明用白光GaN基LED的辐照研究以及改性实验有指导作用。     

P-AlInP限制层掺杂对AlGaInP红光LED发光亮度影响

针对四元系AlGaInP红光发光二极管在制备过程中,材料的掺杂特性对于器件性能影响巨大,尤其是AlInP限制层材料的掺杂,对于器件光电性能具有明显的影响。在实际生产过程中P型掺杂浓度的波动非常大,明显影响到红光LED的发光均匀性。从不同的AlInP限制层P型掺杂浓度与LED发光亮度的关系入手,探索研究AlInP限制层P型掺杂浓度对LED发光亮度影响的规律,所得研究结果对于LED的器件结构设计以及MOCVD外延材料生长有一定的指导意义。     

元素掺杂对LED器件空间辐射性能的影响

发光二极管(LED)是卫星光通信系统中重要的光源部件,它的工作性能直接影响着光通信系统的可靠性。对粒子辐照条件下LED器件的少数载流子寿命和输出光功率变化进行了深入的理论分析,依据理论分析展开数值模拟计算。结果表明,提高LED有源区Zn元素掺杂浓度可有效降低少数载流子的辐射寿命,在提高LED输出功率的同时有效提升器件的空间抗辐射性能。     

InGaAlP LED发光特性分析

InGaAlP LED发光效率高，性能稳定，应用相当广泛。在InGaAlP LED的应用中，发光特性是相当重要的参数，而发光强度和半强度角是LED发光特性的两个主要参数。介绍了不同的InGaAlP LED芯片结构．分析了其发光特点及封装后的发光特性，讨论了不同的反射式支架结构对其发光特性产生的不同影响。     

电子束与等离子体互作用产生的宽带微波辐射

近年来，电子束与等离子体互作用产生高功率宽带微波辐射，由于其具有可调谐等优点而受到国际上普遍关注，这一互作用过程的辐射机制目前大致分为等离子体辐射和电子束辐射两大类，本文在简介了有关实验情况后，对几种辐射机制，包括逆Ｃｏｍｐｔｏｎ散射，孤立子场中群聚电子的辐射，非线性等离子体电流引起的辐射等作了评述。     

电子束真空辐射固化技术基础研究

提出了电子束真空辐射固化技术新概念，并对该技术的固化机理等进行了阐述。通过对液态低聚物辐射固化条件和SDS-Ⅱ型曝光机的加速电压、曝光剂量等曝光参数的分析研究，得出SDS-Ⅱ型曝光机可以用于液态低聚物辐射固化的结论。在此基础上使用SDS-Ⅱ型曝光机在20kV的加速电压、2μC／em^2的曝光剂量下，对经真空挥发处理过的三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)液态低聚物进行了曝光试验，得到了固化结构。基本上证明了电子束真空辐射固化液态低聚物的可行性，为微机电三维微结构的加工提供了一种新方法。     

大功率InGaN蓝光LED的电子束辐照效应

采用Monte-Carlo模拟与实验研究相结合的方法,针对大功率InGaN蓝光LED进行了电子束辐照效应研究。根据InGaN蓝光LED芯片材料的特点,在CASINO软件中建立了结构模型。运用Monte-Carlo模拟分析了以不同能量的电子束射入芯片材料时,电子的运动区域及能量损耗等变化情况。使用光谱辐射计对辐照前后LED进行测试,从宏观的角度研究了电子束对LED光电特性的影响。结果表明:InGaN材料对能级越低的电子能量吸收能力越强,能级越低的电子束对InGaN蓝光LED芯片的光通量及辐射通量辐照损伤影响越大。     

LED灯辐射安全测试的研究

近年来,我国LED产业发展非常迅速,LED也应用得越来越广泛。现在人们已经开始将LED光源应用于照明行业中,本文主要对LED灯在辐射安全方面进行探讨。并对LED灯辐射安全测试方法的研究做了相关介绍。     

新型超高亮LED的特性与应用

<正> 与早期的LED发光二极管相比较,新型超高亮LED最显著的特点是亮度提高了近百倍。早期LED的发光强度仅十几～几+mcd,而新型超高亮LED的发光强度最低也可达到1500mcd。另一个明显的区别是发光管颜色的产生机理不同。早期LED是通过着色封装材料来得到某一种颜色的光,也就是说封装材料起着滤色片的作用。而新型超亮LED外壳都是无色透明树脂封装,其发光体本身就能发出某一波长的光,从     

表面织构对红光LED发光的影响

运用蒙特卡罗法模拟二维红光LED表面织构对LED光提取效率的影响.模拟了不同形状的表面织构对应的光强变化率.选取刻蚀深度为4μm、腐蚀宽度为2μm、倾角为40°、周期为2μm的表面图形对LED进行粗化实验.结果显示,引入表面织构后光强比常规LED提高了20.56%;并对模拟结果与实验结果进行了分析,结果表明引入表面织构可以有效地提高LED的光提取效率.     

Correlated Color Temperature Tunable Multi-chip Light Emitting Diodes Light Source Design

One of the methods to derive white light from light emitting diodes（LEDs） is the multi-chip white LED technology, which mixes the light from red, green and blue LEDs. Introduced is an optimal algorithm for the spectrum design of the multi-chip white LEDs in this paper. It optimizes the selection of single color LEDs and drive current controlling, so that the multi-chip white LED achieves the target correlated color temperature （CCT）, as well as high luminous efficacy and good color rendering. A CCT tunable LED light source with four high-power LEDs is realized based on the above optimal design. Test results show that it maintains satisfactory color rendering and stable luminous efficacy across the whole CCT tuning range. Finally, discussed are the design improvement and the prospect of the future applications of the CCT tunable LED light source.     

透明导电ITO欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管

提出了一种透明导电氧化铟锡(ITO)欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺.在这个结构里,ITO还作为窗口层材料,增强电流扩展,并应用了高反射率的金属作为反光镜.用Au-Sn合金(Au∶Sn＝8∶2,重量比)作为焊料,把带有金属反光镜的AlGaInP LED(RS-LED)外延片倒装键合到GaAs基板上,并去掉外延GaAs衬底,把被GaAs衬底吸收的光反射出去.与常规AlGaInP吸收衬底LEDs(AS-LED)和带有分布布拉格反光镜(DBR)的AlGaInP吸收衬底LEDs(DBR-AS-LED)电、光特性的比较,用透明导电ITO做欧姆接触的AlGaInP薄膜RS-LED结构能极大提高光输出功率和发光强度.正向电流20 mA时,RS-LED的光输出功率分别是AS-LED和DBR-AS-LED的2.4倍和1.7倍;RS-LED 20 mA下峰值波长624 nm的轴向光强达到了179.6 mcd,分别是AS-LED 20 mA下峰值波长627 nm和DBR-AS-LED 20 mA下峰值波长623 nm轴向光强的2.2倍和1.3倍.     

Graded Heterojunction of AlGaInP High-brightness Light Emitting Diodes

A simple model of the graded heterojunction in AlGaInP compound semiconductors was introduced to analyze the band profile. The band profiles are analyzed with the different grading ways but the same grading length and under the different doping densities. The effect of the different grading lengths on the surplus of the potential of the spike to the potential of N region are also analyzed under the different doping densities.Through the experiments,it proves that the performances of high brightness light emitting diodes can be improved by the effects of the graded heterojunction.     

Graded Heterojunction of AIGalnP High-brightness Light Emitting Diodes

A simple model of the graded heterojunction in AIGalnP compound semiconductors was introduced to analyze the band profile. The band profiles are analyzed with the different grading ways but the same grading length and under the different doping densities. The effect of the different grading lengths on the surplus of the potential of the spike to the potential of N region are also analyzed under the different doping densities. Through the experiments, it proves that the performances of high brightness light emitting diodes can be improved by the effects of the graded heterojunction.     

发光二极管平板显示（一）

本文综述了发光二极管平板显示的发展和现状。     

发光二极管在光学辐射测量中的应用及进展

发光二极管(LEDl是一种半导体固体发光器件,在可见一近红外波段的光辐射测量和光电探测器的定标中,显示出高辐射亮度、高电光转换效率、可组合调配光谱分布、发光性能稳定等独特优点,可作为辐射度学、光度学和色度学研究的新型参考光源.同时因为体积小、功耗低,它在卫星遥感器的星上定标等领域正在获得越米越多的应用.简要综述近年来发光二极管在光辐射测量中的应用以及国内外这一领域的进展,展示了其广泛的应用前景.     

半导体发光器件技术现状及其产业发展趋势

本文根据最新资料，综述了上前国内外半导体发光器件的现状和发展趋势，并对我国应如何发展光电器件提出建议。     

适用于可见光通信的LED器件

认为研究发光二极管(LED)器件调制特性以及在高速调制状态下的发光特性是提升新型可见光通信系统性能的关键问题之一,LED器件调制特性的提升可以显著拓展可见光通信系统的应用范围。基于LED器件的调频特性,通过分析发光器件和封装的结构及其他关键光电性能,提出建议:通过降低RC时间以及载流子自发辐射寿命,有效改善LED器件的响应速率,提高LED的调制带宽。     

有机小分子掺杂的聚合物共混发光二极管

报道了用可溶性发光材料聚（２,５－二丁氧基苯）做发光材料,分别与母体聚合物聚乙烯基咔唑（ＰＶＫ）和聚甲基丙烯酸甲脂（ＰＭＭＡ）共混,并掺杂电子传输材料叔丁基联苯基苯基口恶二唑和空穴传输材料二胺衍生物作发光层,用铟锡氧化物和铝分别作正负电极,制作了两种蓝紫光有机／聚合物单层发光器件。通过比较两种器件的器件特性,发现以ＰＭＭＡ做母体的器件比用ＰＶＫ做母体的器件有更好的稳定性,器件开启电压为１０Ｖ左右,发光峰值波长均位于４２４ｎｍ,电致发光效率可达２．９％,比用ＰＶＫ做母体的器件效率高一倍多。     

InGaN绿光LED中p型GaN层的优化设计

InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降.由于量子阱结构生长完成之后的p型GaN的生长温度要远高于量子阱结构生长温度,因此,p型GaN的生长过程对多量子阱质量有重大影响.论文探讨了p型GaN的生长温度与厚度对绿光LED的材料结构及器件性能的影响.研究发现,p-GaN过高的生长温度和过大的厚度都能加剧多量子阱结构中In组分的波动,使得发光峰宽化,同时降低绿光量子阱的发光效率.论文据此提出了优化的p型GaN生长温度与厚度,探讨了量子阱保护层对InGaN绿光LED性能的影响,该结构有利于增强绿光LED发光波长的稳定性.