自旋电子学、自旋电子器件及GaAs中电子自旋弛豫研究

评述了自旋电子学及自旋电子器件的发展,自旋电子器件的应用,半导体自旋电子学的研究内容及目前的研究现状．给出了我们的有关GaAs中电子自旋偏振与相干弛豫的研究结果．     

磁性材料、超导材料和器件

O48,TN42006060036自旋晶体管的最新研究进展/钟智勇,刘爽,唐晓莉,石玉,刘颖力,张怀武(电子科技大学微电子与固体电子学院)//微纳电子技术.―2005,42(12).―546～553.自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件。对基于自旋劈裂的磁     

半导体技术

O471.12006010424分子束外延生长的(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究/徐晓华,牛智川,倪海桥,徐应强,张纬,贺正宏,韩勤,吴荣汉,江德生(中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室)//物理学报.―2005,54(6).―2950～2954.报道了(GaAs1-xSbx/InyGa1-yA     

真空电子技术

O461,O6132005040073介质阻挡放电制备臭氧的实验研究/陈艳梅,凌一鸣(东南大学电子工程系)//电子器件.―2004,27(4).―653～657.臭氧应用极为广泛,但产生效率偏低及运行成本高等因素制约着它的应用范围.该文简要介绍了介质阻挡放电与臭氧检测方法碘量法,详细记录了放电电压、气体流量、放电时间、温度、介质材料和放电间隙宽度几个方面对臭氧产量的影响.图10表0参6O462.42005040074碳纳米管场发射阴极的厚膜工艺研究/王琪琨,朱长纯,田昌会,史永胜(西安交通大学电子与信息工程学院)//电子器件.―2004,27(4).―543～546.研究了制备碳纳米管(…     

Fe/GaAs中自旋注入效率的研究

自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、容易增加集成密度等优点正引起人们的空前关注.文中阐述了自旋的漂移-扩散方程,并对以Fe/GaAs为代表的铁磁性金属/半导体结构(FM/SC)进行了简单分析.如果选取参数适当,可以在Fe/GaAs结中获得较大的自旋注入效率.     

磁性材料、超导材料和器件

O4812006020146MCo12原子簇的电子结构和磁性性质研究/邝向军(西南科技大学理学院)//电子科技大学学报.―2005,34(3).―336～339.利用分离变分局域自旋密度泛函方法,对正二十面体MCo12原子簇的电子结构和磁性性质进行了研究,结果表明:原子簇的中心原子与表面原子之间具有键长收     

磁性材料、超导材料和器件

O48 2010020144一步法合成锐钛矿相和金红石相TiO2的光催化活性的研究/宋绵新,边亮,赵效勇,戴清清(西南科技大学材料科学与工程学院先进建筑材料四川省重点实验室)//四川大学学报(自然科学版).―2009,46(5).―1429～1434.     

光电子技术

O432007050148晶体几何结构及入射角度对自抽运相位共轭特性影响的研究/王晓颖,石顺祥(西安电子科技大学技术物理学院)//光学学报.―2006,26(9).―1382～1386.基于两块不同尺寸的Cu:KNSBN晶体自抽运相位共轭实验,研究了光折变晶体的几何结构及入射角度对自抽运相位共轭特性的影     

电气测量技术及仪器

TH1122011011887连杆机构运动学几何代数求解综述/廖启征(北京邮电大学自动化学院)//北京邮电大学学报.―2010,33(4).―1～11.介绍了连杆机构研究中涉及几何学的一些问题,包括平面、空间连杆机构;串联、并联机构的建模与求解;机构运动分析与综合等。在建模和求解方面,主要介绍了目前对上述问题进行研究的一些新方法以及利用计算机对这些问题进行处理时出现的问题和应采取的措施。图4表0参49     

磁性材料、超导材料和器件

O482006040184BC2N纳米管的电子态和电学性质/严明,黄春晖(福州大学物理与信息工程学院)//福州大学学报(自然科学版).―2005,33(5).―580～583.采用ROHF对BC2N纳米管进行构型全优化,并用密度泛函理论的DFT/ROB3LYP方法计算了BC2N纳米管的电子态分布。根据其分子轨道能量数据、电子态分布曲线和成键电子云密度分布图形,研究讨论了掺入硼氮对碳纳米管导电性的影响,并与碳纳米管和硼氮纳米管作了比较。图4表0参17O4822006040185相界面的Moiré条纹研究/刘红荣,杨奇斌(湘潭大学现代物理研究所)//湘潭大学自然科学学报.―2005,27(4).…     

磁性材料、超导材料和器件

O481,O511 2007010185正常金属/自旋三重态p波超导体结隧道谱的奇异性/李晓薇,刘淑静(淮阴师范学院物理系)//物理学报.―2006,55(2).―834～838.利用Blonder,Tinkham和Klapwijk理论计算了正常金属/绝缘层/正常金属/自旋三重态的p波超导体结的隧道谱和平均电流。计算结果表明:在自旋三重态p波超导结的隧道谱中存在零偏压电导峰、零偏压电导凹陷和双凹陷结构,并有微分电导随偏压震荡的现象出现,在I-V曲线上出现电流台阶。这些结果在理论上支持Sr2RuO4的超导态是自旋三重态p波超导态。图3表0参16     

半导体技术

O4712006050505电子在半导体多势垒结构中隧穿现象的研究与进展/王洪梅,刘丕均,张亚非(上海交通大学微纳科学技术研究院)//固体电子学研究与进展.―2005,25(4).―450～455.文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点,论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展     

真空电子技术

O462007030118用扫频测量技术研究石英晶体微天平/崔苇苇,孔涛,阴泽杰,朱大鸣(中国科学技术大学近代物理系)//核电子学与探测技术.―2006,26(2).―255～256.石英晶体微天平是一种高灵敏的质量检测仪器,已经用于液相、气相、镀膜、生物大分子等方面的研究。简单介绍了一种新的思     

光电子技术

O432007020288反Opal及二维非线性光子晶体的研究/倪培根,程丙英,张道中(中国科学院物理研究所光物理实验室)//中国科学院研究生院学报.―2006,23(2).―277～287.通过向SiO2Opal模板中填充钛酸乙酯制备TiO2光子晶体,观测到光子晶体带隙位置的移动达62nm,并发现光子晶体的有序度     

工程数学

O152007060003一类周期辛矩阵对特征值问题的向后误差分析/刘新国,栾世宝(中国海洋大学数学系)//山东大学学报(工学版).―2007,37(1).―94～98.给出一类周期特征值问题的向后误差分析,定义了特征对的范数型结构向后误差,并给出了显式表达式。图0表0参4O151.212007060004一类矩阵特征值的Gerschgorin型包含域/钟一兵,关履泰(肇庆学院数学系)//中山大学学报(自然科学版).―2007,46(2).―5～7,19.首先获得了矩阵非奇异的一类条件,在该基础上,给出了一类矩阵特征值的Gerschgorin型包含域,最后给出了一个数值例子。图1表0参5O1522007060005关于…     

真空电子技术

O461,O539 2010020213远程氩气等离子体引发接枝丙烯酸改性聚丙烯微孔膜的研究/张素贞,程诚,兰彦,孟月东(中国科学院等离子体物理研究所)//真空科学与技术学报.―2009,29(5).―556～561.采用远程氩气等离子体对聚丙烯(PP)微孔膜进行表面亲水处理,并引     

电磁场与微波技术

O44 2010020963基于RWG基函数和LL基函数的电磁场积分方程矩量法对比/张雪峰,李会容,赵延文,闫珉(攀枝花学院材料工程学院)//四川大学学报(自然科学版).―2009,46(4).―1025～1030.     

工程数学

O152010050003一类广义分数阶时间迟滞微分方程的一些结果/魏谞婷,卢旋珠(福州大学数学与计算机科学学院)//福州大学学报(自然科学版).―2010,38(2).―166～171.研究一类更广义的分数阶时间迟滞微分方程,证明了该方程的解的存在唯一性以及解的连续性,分别运用步长法和Laplace变换法得出了方程的     

磁性材料、超导材料和器件

O482.2,O482.312007050039Tm3 掺杂玻璃激光致冷新方案的理论分析/孙海生,贾佑华,印建平(华东师范大学物理系光谱学与波谱学教育部重点实验室)//光学学报.―2006,26(10).―1522～1525.提出了一种用于块状Tm3 掺杂玻璃ZBLANP(ZrF4-BaF2-LaF3-NaF-PbF2)激光致冷的新方案,即通过两     

真空电子技术

O461,O484.12006050127大气压等离子体制备类二氧化硅薄膜的实验研究/程诚,方鹏,朱晓东,耿松,詹如娟(中国科学院基础等离子体物理重点实验室中国科学技术大学近代物理系)//真空科学与技术学报.―2005,25(4).―293～296.该文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为硅的先驱粒子,氮或氩气