腔内磁光调制激光系统多稳态输出特性

从磁光调制器在激光腔内的基本特性出发,系统地分析了带负反馈装置的腔内磁光调制激光系统的输出特性,得到了输出具有多稳态的结论,并讨论了腔内存在激活介质时系统的多稳态输出特性。此外,还给出了激光系统的控制参数对输出特性影响的数值计算结果。     

磁-光显微成像亚表面检测系统的研究

磁-光显微成像检测由于受到光强的变化、磁-光薄膜磁畴的变化等外界因素影响,检测系统获取的磁-光图像的分辨率不高.文章从涡流激励装置的设计、磁-光薄膜的选择及制备和图像处理的设计出发,分析了影响磁-光图像分辨率的因素,提出了相应的改善办法,并进行了大量的试验验证,实验结果验证了该设计方法的可靠性.     

用于光纤通信系统的磁光隔离器及其磁光材料

介绍了磁光隔离器及其在光纤通信系统中的应用，并讨论了其相应的磁光材料的发展和最新进展。     

大克尔角磁光材料测试系统试验研究

磁光存储系统中,存储信息的介质——磁光材料膜的读/写性能直接影响了系统信噪比和信号质量,直接擦写等性能指标,因此,研制和开发高性能磁光材料是改善系统性能的直接手段.本文介绍了一个磁光材料读/写性能测试系统以及利用该装置对大克尔角磁光材料MnBiAl样品进行的静态读/写试验,测试结果可以为分析和改进这种新型磁光材料的读/写性能及其实用性提供有益的数据.     

一种基于组合光调制的光侧电度表的设计

用矩阵方法分析了电光调制在前、磁光调制在后的组合光调制。得出了能利用这种组合光调制对电能实现光测结论，进而设计出光测电度表。     

一种新型磁光开关的理论分析与磁路设计

介绍了一种新型的磁光开关器件（magneto-optic switch)，重点阐述了磁光晶体旋光的原理和磁光晶体的光学性质，并从理论上分析了磁光晶体的旋光角度和控制磁光效应的螺线管产生的非轴线磁感应强度，并对磁路进行了设计与计算。     

应用磁光调制器的高分辨率偏振消光测量系统

对文献 [1]的自动椭偏仪的部件偏振消光测量系统作了改进 ,用 Verdet常数为 0 .31min/ Oe· cm的铽玻璃作磁光调制材料 ,设计了新型磁光调制器和驱动电路 ,对偏振光进行直流加交流调制 ,结合使用超低噪声选频放大器和锁定放大器 ,消光角测量的重复性标准差 S3不大于 0 .0 0 0 4°     

一种基于正交线偏振光的高精度方位测量方法

为了解决传统基于正弦波磁光调制的方位测量方法 存在小角度精确测量时信号微弱、处理难度大等问题,提出了一种基于正交线偏振光磁光调 制的方位精 确测量方法。首先简单阐述了传统方位测量原理,分析了小角度范围内测量时信 号微弱的根本原因;其次提出了改进的方位测量方法,在阐述测量装置结构原理 的基础上,建立了基于磁光调制后两束正交线偏振光的光强模型,通过分析发现 两路调制后混合信号中交流信号的极值点信息均与方位角相关,且同一位置对应 的极值点信息具有相位相反的特性,采用二者相减的方式增强了有用信号的幅 值,提高了数据采集精度。仿真结果表明,通过各种情况下与传统方法中参与方 位角计算的信号幅值对比,文中提出的方法能够明显增强信号幅值,利于提高数 据采集精度和方位测量精度。     

近红外波段GdBiIG单晶的磁光性能

用Bi_2O_3作为助熔剂,在坩埚可加速旋转的单晶炉内成功地生长出GdBiIG单晶体.将单晶体沿(111)面切割、磨抛成薄片状样品,以磁光调制倍频法测得近红外波段(0.9～1.7μm)磁光旋转谱;并同其它几种稀土铁柘榴石材料相比,发现GdBiIG的磁光优值大,是制作非互易光学器件较为理想的法拉弟旋转介质.     

一种基于正弦波磁光调制的空间大范围方位自动对准方法

针对基于正弦波磁光调制的方位对准系统存在方位失调角对准范围小的问题,在阐述了方位对准原理、分析磁光调制后混合信号成分的基础上,提出了一种空间大范围方位自动对准方法。通过磁光调制前后交流信号(AC)的相位对比得出了判断失调角正负的方法,利用方位对准系统中下仪器的初始架设位置和转动方式实现了初始光强的自主测量,在此基础上利用大角度范围内采集的磁光调制后的直流信号(DC)建立了粗略失调角的计算模型,并详述了具体实现方案,下仪器在粗略失调角信号的控制下逐渐转动至小角度范围内。之后,利用磁光调制后采集的交流信号实现了小角度范围内失调角的精确测量,两个模型紧密配合保证了空间大范围方位自动对准。仿真结果表明,提出的方法理论上可以实现-90°～90°范围内较高精度的自动对准,有效扩大了方位失调角的对准范围,解决了传统的方位对准范围小的问题。     

高功率微波场中In-BiCaVIG晶体的磁光记录特性

报道了铟铋钙钒铁石榴石 (In BiCaVIG)晶体在高功率微波场中的新颖磁光记录特性。In BiCaVIG晶体受峰值功率约 10 0MW ,频率约 10GHz ,脉宽约 5 0ns的高功率微波脉冲作用后 ,晶体的磁旋光角发生了变化。其变化的大小与晶体通光方向上的磁场峰值大小有关 ;旋光角变化的方向与晶体的初始磁旋光状态有关。这种记录着高功率微波峰值磁场的旋光状态的变化可以保持几天或更长时间 ,能够用静磁场消除。     

外加偏置磁场对静磁波模式及其频带的影响

本文完整地展现了磁光薄膜中任意倾斜的外加直流偏置磁场对微波静磁波激发模式及其带宽的影响,实现了对不同静磁模的统一考虑,为进一步分析磁光Bragg器件的衍射性能提供理论基础.计算分析表明:(1)当外加偏置磁场的大小不变时,传统磁化情形下的静磁波带宽最大,此时基于MSBVW的磁光Bragg器件较相应的MSFVW器件有更高的工作频率;(2)在适当倾斜的偏置磁场作用下,静磁反向体波(MSBVW)、静磁正向体波(MSFVW)和静磁表面波(MSSW)均可被激发,它们的激发频率依次增大;(3)通过倾斜偏置磁场可使MSFVW的频带向高频移动.     

斜入射时BiCaInVIG和GdYBiIG晶体旋光角变化的研究

搭建了磁光晶体的磁致偏振特性测试实验系统。利用此实验系统,在可调磁场下,对两种光通信用磁光晶体BiCaInVIG和GdYBiIG垂直入射与斜入射时旋光角的变化进行了测试。测试结果表明,该两类晶体均存在Faraday效应的各向异性。     

一种新型磁光开关的理论分析与磁路设计

介绍了一种新型的磁光开关器件（magneto-optic switch）.重点阐述了磁光晶体旋光的原理和磁光晶体的光学性质,并从理论上分析了磁光晶体的旋光角度和控制磁光效应的螺线管产生的非轴线磁感应强度,并对磁路进行了设计与计算.     

磁光晶体GdYBiIG的磁致退偏效应

建立了磁光晶体磁致偏振特性测试系统。该系统采用中心波长为1538nm的WGY型半导体激光器，在0～1500mT的大范围可调磁场下，对光隔离器用磁光晶体GdYBiIG样品的退偏效应进行了测试。测试结果表明，达到磁饱和或接近磁饱和时，GdYBiIG晶体的偏振性能最优；达到磁饱和后，随着磁场的增强，出现了磁致退偏效应。分析了磁致退偏效应的产生机理，给出磁致圆二向色性及磁致线双折射是产生退偏的原因。实验测试与理论分析表明，根据磁光晶体GdYBiIG这种退偏效应的规律性，在利用该类晶体制作磁光器件时，外加磁场强度稍大于它的磁饱和强度即可。     

Al／Si_3N_4／TbFeCo／Si_3N_4磁光盘厚度定量计算方法

研究用ＸＲＦ基本参数法计算磁光盘的厚度和组成，铝层厚度用ＡＩＫα线计算，两层氨化硅厚度都采用ＳｔＫα线计算确定，磁光记录层采用ＦｅＫα，ＣｏＫα和ＴｂＬα线来确定其厚度及组成。列出了膜厚方程，可由计算机很快解出，其结果与标准符合很好。     

在二氧化硅衬底上制备磁光Ce：YIG薄膜用于磁光波导型器件

对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究．用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片．上淀积Ce1YIG薄膜,再对此薄膜进行晶化处理,以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜．本文讨论了晶化过程中,Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能的影响．结果表明：采用波长为630nm的可见光测量,薄膜的饱和法拉第旋转系数θF为0．8deg／μm．同时,晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向,其居里温度点为220℃．所得Ge1YIG薄膜的参数表明：所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器．     

磁光/涡流成像无损检测技术的研究

文章介绍了磁光成像检测的基本原理、成像过程,并给出了初步的实验结果。它将磁 光和涡流效应相结合,可实现对金属材料表面或亚表面缺陷的快速、准确、可视化的无损检测。     

Direct Imaging of Antiferromagnet-Ferromagnet Phase Transition in van der Waals Antiferromagnet CrSBr

The advent of van der Waals (vdW) ferromagnetic (FM) and antiferromagnetic (AFM) materials offers unprecedented opportunities for spintronics and magneto-optic devices. Combining magnetic Kerr microscopy and density functional theory calculations, the AFM-FM transition is investigated and a surprising abnormal magneto-optic anisotropy in vdW CrSBr associated with different magnetic phases (FM, AFM, or paramagnetic state) is discovered. This unique magneto-optic property leads to different anisotropic optical reflectivity from different magnetic states, permitting direct imaging of the AFM Néel vector orientation and the dynamic process of the AFM-FM transition within a magnetic field. Using Kerr microscopy, not only the domain nucleation and propagation process is imaged but also the intermediate spin-flop state in the AFM-FM transition is identified. The unique magneto-optic property and clear identification of the dynamics process of the AFM-FM phase transition in CrSBr demonstrate the promise of vdW magnetic materials for future spintronic technology.     

精细表面下细小缺陷的磁光涡流成像实时探测

磁光涡流成像检测装置可实现精细表面下细小缺陷探测。在该装置中，通过物体表面上方的交流激励线圈实现传统的涡流感应，涡流所感应的磁场由法拉第效应来检测。为了实现表面下缺陷的检测目标，激光穿过安放在激励线圈中的特殊的磁光晶体，激光偏振方向在晶体中的旋转大小取决于检测区域磁场的大小，缺陷将使检测区域磁场分量发生变化并使偏振光的旋转角发生相应变化，通过一光学装置转化成“明”或“暗”图像，该光学装置由传统的显微镜、照明系统、偏振器和CCD图像传感器组成。给出了初步的实验探测结果。