金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化

金属氧化物半导体控制晶闸管(MCT)相比于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景.作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响.采用理论分析并结合仿真优化重点研究了MCT开启瞬态特性.通过对MCT开启过程进行详细地理论分析推导,给出了MCT开启过程中阳极电流和上升时间的表达式.结合Sentaurus TCAD仿真优化,将MCT开启过程中电流上升速率(di/dt)由40 kA/s提升至80 kA/s,极大地改善了器件开启瞬态特性.最后,总结提出了提高器件开启瞬间di/dt的设计途径.     

半导体脉冲功率开关RSD的开通电压特性研究

RSD(Reversely Switched Dynistor)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构高速大功率半导体开关器件，该器件采用控制等离子体层触发的开通模式。文章从理论上推导出其最大开通电压，并研完了该电压与器件结构参数之间的关系，给出了降低器件功耗的方法。     

分段式电流舵 D/A转换器抗di/dt噪声设计

设计了一个8位50MHzD/A转换器(DAC),采用5+3分段式电流舵差分输出结构,其中高5位采用温度计码方式译码,低3位采用二进制译码方式;从各电路模块设计结构上提高DAC抗di/dt噪声的能力;设计了一个低交叉点开关驱动电路,有效地降低了输出毛刺,减小了数字电路di/dt噪声的影响。采用VIS0.35μmCMOS工艺进行仿真,结果表明,微分非线性(DNL)和积分非线性(INL)均小于0.15LSB。     

提高晶闸管器件对di/dt的耐受能力的途径

介绍了晶闸管器件的通态电流上升率di/dt参数及其损坏晶闸管器件的机理，并进一步介绍了提高晶闸管器件的通态di/dt耐量的设计和工艺方法，及应用过程中限制晶闸管阳极电路的电流上升率，保护晶闸管器件的方法。     

改进的脉冲功率应用场合的半导体开关

本文回顾了作为电子管技术替代品的半导体开关，比如闸流管的应用。说明对称的GTO半导体闸流管是一个有用的半导体开关，适合于许多现存的脉冲场合。半导体闸流管作为一个脉冲开关，研究了它的进一步的优化，并讨论了在进一步的发展中利用一些诸如反并联二极管等辅助元件的限制。     

采用光导半导体开关的脉冲功率系统

光导半导体开关已用于脉冲功率系统,如点火装置、超宽带脉冲发射机、紧凑型加速器和电感储能设备等,光导半导体开关为现有的脉冲功率技术提供了多方面改进。介绍了在这些应用中的开关参量和一些特殊要求,并讨论了试验结果。     

脉冲功率电路参数对RSD开关预充时间的影响研究

文章介绍了高功率半导体脉冲功率开关-反向开关晶体管（Reversely Switched Dynistor,RSD）的工作原理,分析了RSD脉冲功率电路的特性。由磁开关的电压电流,得到了磁开关的动态电感与电流的量化曲线,在MATLAB仿真平台,分别建立了磁开关动态电感模型、RSD脉冲功率电路模型。计算了主回路元件参数对RSD开关的预充时间TR的影响。计算结果表明,主回路电阻负载在0.01～1Ω变化时,TR变化很小,主回路电感和1Ω以上的主回路电阻对TR影响较明显,计算结果与实验结果最大误差为5%,表明通过低压试验结果的计算,可较准确地预测高压试验的TR。     

数值模拟研究半导体断路开关的电流截断特性

半导体断路开关（SOS）效应的发现,促进了全固态脉冲功率源技术的发展和应用。采用一维流体模型,利用SOS数值模拟程序对SOS二极管P^＋-P-N-N^＋结构的电流截断特性进行了数值模拟研究。研究了SOS二极管P区扩散深度、外电路参数对SOS电流截断特性的影响。结果表明：P区扩散深度、次级储能电容C2、反向泵浦电感L^-的大小对SOS的反向电流截断时间均有较大影响;随着次级储能电容和反向泵浦电感的增大,电流截断时间增大,反向电流峰值和反向电压峰值减小。该研究对SOS二极管工艺设计和外电路优化设计具有理论意义和实用价值。     

基于半导体断路开关的脉冲功率源及其应用

半导体断路开关效应的发现促进了能连续重复频率运行的半导体断路开关和基于这种开关的高平均脉冲功率源的发展和应用,与其它应用于脉冲功率源的传统器件相比,基于SOS的脉冲功率源更简单、可靠,其脉冲重复频率可达到kHz。介绍了SOS和基于SOS的脉冲功率源的基本工作原理和特性,并总结了基于SOS的脉冲功率源最新的研究进展和应用。     

基于RSD的可重复脉冲电源

提出了一种运用谐振原理的可重复RSD脉冲电源。分析电路的工作特性并对其重要元件磁开关进行了重点设计。给出了实验结果，并提出了几种改进电路参数的方法。     

di/dt Noise in CMOS Integrated Circuits

This is an overview paper presenting di/dtnoise from a designers perspective. Analysis and circuit designtechniques are presented taking package parasitics into account.The main focus is on digital CMOS design, but analysis and designsuggestions can easily be extended to mixed-mode design.     

dU/dt引发的MOSFET误导通分析

分析了MOSFET误导通产生的原因,分别从原理和理论推导两个方面作了分析,主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件,得到哪些参数会导致误触发,最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET误导通产生,以及改进方法,对减少实际应用中MOSFET破坏性损坏有一定意义。     

半导体激光器电源中的反馈技术

本文讨论在半导体激光器电源中采用反馈技术来稳定激光器的驱动电流和输出光功率。     

半导体光开关工作电流和速率的理论分析

本文从载流子连续性方程出发，采用半导体双异质结概念，从理论上推出了计算半导体光波导开关工作电流和速率的理论公式，为器件选取工作电流和提高开关速率提供了理论依据．     

现代电力电子及电源技术的发展

电力电子技术是目前发展最快的技术之一，在各行各业的诸多领域中得到了广泛的应用，取得了明显的经济效益和社会效益。本文阐述了现代电力电子技术的发展过程，对电力电子技术的应用领域进行了分析，论述了现代电源技术的发展趋势。