微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的研究

本文采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体,在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ－射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４,接近Ｃ３Ｎ４的化学比;Ｘ射线衍射谱说明薄膜主要由β和α－Ｃ３Ｎ４组成;ＦＴ－ＩＲ谱和Ｒａｍａｎ谱支持Ｃ－Ｎ键的存在。     

等离子体聚合有机硅（HMDSN）薄膜及其特性研究

等离子体聚合有机化合物六甲基二硅胺烷（HMDSN）讨论了等离子体聚合有机硅薄膜聚合过程和有关机理，在高频等离子体聚合系统中合成的聚合条件是高频电源功率为100V，频率为5.4Hz，用电感偶合到真空放电管，氩（Ar)气和有机硅单体的比例为1：2。有机硅热玻璃基片上的聚合速率为2.5-5nm/min。聚合薄膜无色透明，折射率1.1；介电常数3.2；窠质损耗正切0.04，随温度而变化，电阻率为10^14Ω.cm。用红外吸收光谱检测表明薄膜分支少，聚合度高。     

Comparison of GexSi1—x Grown by UHV／CVD from Si2H6／GeH4 and SiH4／GeH4

Using double crystal X-rays diffraction (DCXRD) and atomic force microscopy (AFM), the results of Ge x Si 1- x grown by UHV/CVD from Si 2H 6 and SiH 4 are analyzed and compared. Adsorbates can migrate to the energy-favoring position due to the slow growth rate from SiH 4. In this case, a Si buffer that isolates the effect of substrate on epilayer could not be grown, which results in a pit penetrating into epilayer and buffer. The FWHM is 0.055° in DCXRD from SiH 4. The presence of diffraction fringes is an indication of an excellent crystalline quality. The roughness of the surface is improved if grown by Si 2H 6; however, the crystal quality of the Ge x Si 1- x material became worse than that from SiH 4 due to much larger growth rate from Si 2H 6. The content of Ge is obtained from DCXRD, which indicates the growth rate from Si 2H 6 is largest, then GeH 4, and that from SiH 4 is least.     

有机铜薄膜的等离子体聚合研究

提供了一种用等离子体聚合制备金属－ 有机化合物ＣｕＡＡ 薄膜的实验研究。指出ＣｕＡＡ薄膜随工艺条件的不同可呈现出不同的颜色和电性能，尤其是其电阻率变化范围可达６ － ７ 个数量级。对所制备的ＣｕＡＡ薄膜进行了红外光谱分析和扫描电镜分析。     

微波等离子体化学气相沉积法制备C_3N_4薄膜的研究

本文采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),高纯N2(99.999%)和CH4(99.9%)作反应气体,在多晶Pt(99.99%)基片上沉积C3N4薄膜。X-射线能谱(EDX)分析结果表明N/C原子比为1.0～1.4,接近C3N4的化学比;X射线衍射谱说明薄膜主要由β和α-C3N4组成;FT-IR谱和Raman谱支持C-N键的存在。     

球状微米金刚石的制备过程及其场发射性能的研究

在纯平的陶瓷衬底上面,利用磁控溅射方法镀上一层金属钛。对金属钛层进行表面缺陷处理后,放入微波等离子体化学气相沉积腔中,利用正交实验方法制备出场发射性能最优的薄膜,通过扫描电镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等仪器,研究了薄膜的微观表面形态、结构组成等,得到了该薄膜是球状微米金刚石薄膜的结论。并进一步研究了最优场发射薄膜的发射机理。     

淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响

利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的ａ－ＳiＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐ(ｒｆ)）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的吸收峰强度的影响,同时研究了退火条件对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中含氢基团的影响。     

链状碳纳米管的制备及其场发射性能研究

本文是利用微波等离子体化学气相沉积的方法,在钛金属层上快速制备出由众多内部中空、外观呈锥形链状的碳纳米管组成的碳膜。通过扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱等仪器分析了碳纳米管的组成。在真空条件下,测量了碳纳米管链薄膜的场电子发射特性。用热动力学过程解释了锥形碳纳米链的生长机理。     

非晶氟化碳膜的制备与性能研究

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）的方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体质量流量比R（R=m（CH4）：m（CH4＋C4F8））条件下制备了非晶氟化碳（a-C：F）薄膜.采用X光电子能谱（XPS）和傅里叶变换红外（FTIR）光谱技术分析了a-C：F薄膜的化学结构.FTIR分析表明,a-C：F薄膜中含有CFx（x=1～3）,CF=C以及位于a-C：F交联结构末端的CF2=CF等基团,没有迹象表明有C-H存在.XPS C1s峰各结合态与结合能的对应关系分别为：CF3（295 eV）,CF2（293 eV）,CF（291 eV）,C-O（289 eV）,C-CFx（x=1～3）（287 eV）以及位于a-C：F交联结构末端的C-C（285 eV）.随着气体质量流量比R的增大,a-C：F薄膜中的F含量和位于a-C：F交联结构末端的C-C含量减小,而交联C-CFx含量增大.而且当气体质量流量比R增大时,a-C：F薄膜介电常数随着电子极化减小以及薄膜密度增大从2.1上升到2.4,漏电流随着π价带态和π＊导带态之间带隙的减小而上升,薄膜热稳定性随着破坏薄膜交联结构的CF3和CF2=CF等不稳定成分的减少以及C-CFx交联结构的增多而上升.     

H2-O2混合气氛刻蚀制备金刚石纳米晶薄膜

提供了在镜面抛光Si衬底上沉积平滑的纳米金刚石（NCD）薄膜的方法。采用微波等离子体化学气相沉积（CVD）系统，利用H2、CH4和O2为前驱气体，在镜面抛光的Si基片上制备了直径为5cm的NCD薄膜，用扫描电镜（SME）和共焦显微拉曼光谱分析其表面形貌和结构特点。分析表明，利用这种方法可以制备出高sp^3含量的NCD薄膜。通过与沉积时间加长而沉积条件相同情况下合成的金刚石微晶薄膜形貌相对比，分析了H2-O2混合气氛刻蚀制备NCD薄膜的机理。分析表明，基底的平滑度对O2的刻蚀作用起到重要的影响；在平滑的基底上，含量较少的O2的刻蚀作用也很明显；随着基底的平滑度下降，混合气氛中O2的刻蚀作用逐渐减弱。     

利用正交实验制备金刚石薄膜及其场发射的研究

场发射阴极金刚石薄膜的制备方法有很多,本文是利用微波等离子化学气相沉积的方法制备薄膜,文中详细介绍了正交分解法实验制备金刚石薄膜的过程。并对薄膜进行扫描电镜、拉曼光谱、X射线实验,分析了其形貌与结构;用场发射二级结构研究薄膜的场发射性能,简单分析了金刚石薄膜的成因和场发射的性能。     

SiH_4-NH_3-N_2体系LPCVD氮化硅薄膜的研究

通过傅立叶红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)研究了SiH4-NH3-N2体系在不同气体原料比情况下,低压化学气相沉积(LPCVD)SiNx薄膜的化学组成,利用原子力显微镜观察了SiNx薄膜的微观形貌,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的折射率。结果表明:当原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)较小时(R<2),获得富Si的SiNx薄膜(x<1.33),折射率较高。当氨气远远过量时(R >4),获得近化学计量的的SiNx薄膜(x = 1.33),折射率处于1.95~2.00之间。在适当的工艺条件下,获得的SiNx薄膜H、O含量很低,薄膜表面均匀、平整。     

SnO_2-Sb薄膜材料的制备及气敏性能

利用等离子体化学气相沉积法制备了ＳｎＯ２－Ｓｂ导电薄膜，测试了ＳｎＯ２－Ｓｂ的气敏效应。结果表明，该薄膜对ＮＯ２气体有较好的气敏特性。当测试温度升高，其气敏响应时间相差无几，但恢复时间变短，同时气敏灵敏度相对提高，当温度达到２００℃以上时，灵敏度基本恒定。同时还可看出，不同阻值的薄膜其气敏灵敏度相差不大。     

掺磷a—Si：H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究

用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料，对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明，掺磷a-Si：H薄膜的电阻率随磷掺杂比（PH3/SiH4）的增大和气体温度的升高而降低，但随退火温度的升高而增大，掺磷a-Si：H薄膜的电阻温度系数随薄膜自身电阻率的增大而增大，但随环境温度的升高而降低。     

超纳米金刚石薄膜场发射特性的研究

超纳米金刚石(UNCD)是一种全新的纳米材料，具有许多独特性能。介绍了Si微尖和微尖阵列阴极沉积超纳米金刚石薄膜的工艺及其场发射特性。研究发现，适当的成核工艺和微波等离子体化学气相沉积工艺可在Si微尖上沉积一层光滑敷形的金刚石薄膜；沉积后阴极的电压-电流特性、发射电流的稳定性以及工作在氧气环境下的发射特性都获得明显提高。讨论了超纳米晶金刚石薄膜阴极的发射机理。