锶锑双掺杂La_2NiMnO_6陶瓷的相变行为及介电性能(英文)

采用传统固相法制备了La2-x Srx NiMn1-x Sbx O6(x=0,0.04,0.08,0.12)陶瓷。研究了La2-x Srx NiMn1-x Sbx O6的晶体结构、电学性能和介电性能的变化规律。结果表明:随着Sr、Sb含量的增加,La2-x Srx NiMn1-x Sbx O6由单斜和菱形混合相逐渐变化成单斜相,交流电导率逐渐降低。锶锑共掺杂降低了La2NiMnO6的介电常数和损耗。La1.96Sr0.04NiMn0.96Sb0.04·O6的激活能略低于具有混合相结构的La2NiMnO6的激活能,但是指前因子比La2NiMnO6的低一个数量级。     

Nd2O3掺杂对BCZT陶瓷结构及介电性能的影响

采用固相反应法制备Ba0.92-xCa0.08Ndx(Zr0.18Ti0.815Y0.0025Mn0.0025)O3(BCZT-Nd,x=0、0.005、0.010、0.020)陶瓷,研究了Nd2O3掺杂对Ba0.92Ca0.08(Zr0.18Ti0.82)O3(BCZT)陶瓷结构及介电性能的影响。结果表明,不同含量Nd3+作为施主掺杂离子进入A位和含量均为0.25%(摩尔分数)的Mn2+和Y3+作为受主掺杂进入B位均能提高BCZT陶瓷的致密性,细化晶粒作用明显,所有样品均为单一的四方BaTiO3相结构。随Nd2O3掺杂量增加,BCZT-Nd陶瓷介电峰值温度Tm向低温方向移动,相变弥散程度增强,Nd3+含量≥0.005mol时即表现出明显的弛豫铁电体特征。     

铁钕掺杂K0.5Na0.5NbO3陶瓷的压电介电性能

采用传统陶瓷制备技术制备了新型的K0.5Na0.5NbO3+0.2%molFe2O3+x%molNd2O3压电陶瓷,研究了该体系陶瓷的压电性能及介电性能。研究结果表明,在烧结温度为1120℃、4 h时,该体系陶瓷均具有相对较好的电学性能,并在x为0.2时性能最佳,其压电常数d33为125pC/N,机电耦合系数Kp为37%,机械品质因素Qm为155,介电常数εr为561,介质损耗tanδ为0.08。     

Ni掺杂对BaTiO3陶瓷物相及介电性能的影响

采用固相反应法制备了BaTi_1-xNi_xO₃（x=0、0.01、0.05、0.08、0.1、0.2）陶瓷,研究了不同Ni掺杂量对BaTi_1-xNi_xO₃陶瓷的相结构和介电性能的影响。采用X射线衍射技术（XRD）分析了BaTi_1-xNi_xO₃陶瓷的相结构;采用阻抗分析仪测试BaTi_1-xNi_xO₃陶瓷介电性能。XRD分析结果表明:随着Ni的掺杂量的增加,BaTi_1-xNi_xO₃陶瓷的晶相由四方相逐渐转变为六方相,当Ni的掺杂量为x=0.1时,BaTi_1-xNi_xO₃完全变为六方相。随着Ni含量的增大,所有六方相的BaTi_1-xNi_xO₃的晶格常数都变大,且相对介电常数ε_r整体降低而介电损耗tanδ呈现先减小后增大的趋势。     

CaTiSiO5掺杂对钛酸钡锶陶瓷介电性能的影响

采用传统固相烧结法,利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等方法系统研究了CaTiSiO5掺杂量对(Ba,Sr) TiO3(barium strontium titanate,BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响.结果表明:CaTiSiO5掺杂的BST陶瓷材料的介电损耗都比较小,但是对材料居里峰的移动和展宽效应都明显.随着CaTiSiO5掺杂量的增加,BST陶瓷的介电常数(εr)先增大然后减小,介电损耗(tanδ)先增大然后减小,变化不大,交流耐压强度(Eb)先增大然后减小,容温变化率先减小然后增大.当掺杂CaTiSiO5质量分数为0.8％时,BST陶瓷的综合介电性能较好:介电常数(εr)=2540,介电损耗(tanδ)=0.0036,耐压强度(Eb)=5.6 kV/mm(AC),在-30～85℃温度范围内,容温变化率为-18.9％ ～ 20.6％,容温特性符合Y5S特性.     

锰掺杂Bi0.5Na0.41K0.09TiO3+xMnO2陶瓷的电学性能

采用传统陶瓷工艺、按照Bi0.5Na0.41K0.09TiO3+xMnO2的配方进行称量,其中x=0、0.005、0.01、0.03、0.05,共5个组分,制备出了无铅压电陶瓷坯体,在其烧结温度下进行烧结,制备了新型压电陶瓷Bi0.5Na0.41K0.09TiO3+xMnO2,并研究了该体系陶瓷的电学性能,测试其压电常数(d33)、机电耦合系数(Kp)、机械品质因素(Qm)、介电常数(εr)、介质损耗Tanδ及其电滞回线,并分析掺杂量对其性能的影响。     

α/β相变对多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响

采用反应烧结工艺,通过添加硬脂酸,制备孔径为0.8mm,孔隙率在55%左右的具有宏观球形孔的低密度多孔氯化硅陶瓷,研究了α/β相变对多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响.通过调节氮化温度和时间,可得到具有不同β相相对含量(质量分数,下同)的多晶氮化硅陶瓷.结果表明:氮化温度高于1 400℃时发生α/β相变,随着氮化温度的提高和...     

烧结温度对Y3+掺杂Ba0.62Sr0.38TiO3陶瓷介电性能的影响

采用固相合成法,以BaCO3、SrCO3和TiO2等为原料,Y2O3为掺杂剂,制得了Ba0.62Sr0.38TiO3系介质瓷,研究了烧结温度对体系介电性能的影响。结果表明:随着烧结温度的升高,试样的体积密度在1300℃时出现一个极大值,达到5.353g/cm3,之后随温度继续升高略有减小,而试样的气孔率随烧结温度的变化则与之相反,且在1300℃时达到极小值1.54%;试样的介电峰值先升高后下降,在1280℃时达到最大值,与此同时,试样Tm移向低温方向,Tm的这种变化与试样的晶粒尺寸略有增大,以及Y3+更容易进入晶格B位位置有关。     

锰掺杂对压电陶瓷介电性能的影响

采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷（PZN-PMS-PZT）。考察了不同剂量锰掺杂对压电陶瓷的室温介电常数（εTr)，介电常数温度谱以及居里温度（Tc)的影响。实验结果表明：随着Mn含量的增加，压电陶瓷的室温介电常数εTr减小；由于内偏置场的影响，居里温度Tc随锰含量的增加而增加。     

SrCO3掺杂对BMT陶瓷结构及介电性能的影响

采用固相烧结法制备SrCO3掺杂Ba（Mg1/3Ta2/3）O3（BMT）微波介质陶瓷,研究SrCO3质量（下同）掺量w（SrCO3）=2%～8%对BMT微波介质陶瓷结构和介电性能的影响。结果表明：添加适量SrCO3可以促进烧结并在一定程度上提高BMT陶瓷体系的B位离子1：2有序度;当w（SrCO3）=6%时,陶瓷致密...     

Mg~(2+)掺杂对PZT陶瓷材料介电性能的影响

系统地研究了Mg2+掺杂对PZT材料相结构及介电性能的影响,结果表明:Mg2+的添加阻止了陶瓷晶粒的过分长大,起到了细化晶粒的作用,改善其烧结性能,降低了烧结温度;由于晶格发生畸变,体系的相结构由三方相向四方相过渡;Mg2+的引入使PZT陶瓷材料的红外光谱图明显向高波数的方向移动,并且显著提高了材料的介电常数,有效降低了其介电损耗,使材料的介电性能得到了明显优化。     

MnO2-CuO-TiO2共掺Al2O3陶瓷低温烧结和微波介电性能的研究

作为重要微波介质材料之一,Al₂O₃陶瓷介电性能优良,在微波电路方面得到广泛应用。但Al₂O₃陶瓷的烧结温度较高,制备工序需消耗大量能源。低成本降低烧结温度对Al₂O₃陶瓷的进一步发展具有重要意义。本论文通过MnO₂-CuO-TiO₂掺杂实现了Al₂O₃陶瓷的低温烧结,并对其烧结行为和微波介电性能进行了研究。结果表明,MnO₂、CuO、TiO₂的质量分数分别为0.7%、0.5%、0.8%时,复合掺杂可以大幅降低Al₂O₃陶瓷的烧结温度,所获陶瓷具有良好的微波介电性能。在烧结温度为1 250℃时,Al₂O₃陶瓷的密度可达3.92 g/cm³,介电常数ε_r=10.02,品质因子与谐振频率的乘积Q×f值...     

Eu掺杂对Bi5Fe0.5Co0.5Ti3O15陶瓷电磁性能的影响

用传统固相烧结法制备了Bi5–xEuxFe0.5Co0.5Ti3O15(BEFCT–x:x=0,0.35,0.55,0.85)陶瓷样品,对比研究了它们的结构和电磁性能。X射线衍射分析表明:掺杂未导致明显杂相,材料的剩余极化(2Pr)随掺杂量的增加呈先增加后减小的变化趋势,在Eu掺杂量为0.55时,材料的2Pr达到最大值,为11.2μC/cm2,升幅达143%,可以由Eu掺杂导致氧空位的抑制和铋氧层的破坏所形成的竞争机制解释。随Eu含量的增加,材料的剩余磁化单调上升,最大达到0.28 A m2/kg,比未掺杂时增加了2个数量级,从晶格失配、耦合增强以及共生结构等方面的综合效果解释了这一现象。材料的介电温度谱显示,Eu掺杂未明显损害材料的热稳定性,Eu掺杂所导致的介电损耗行为可能与氧空位或其他点缺陷有关联。     

双钙钛矿La2NiMnO6多晶靶材的制备及结构表征

通过固相烧结法制备了符合脉冲激光沉积(PLD)镀膜所用的双钙钛矿La2NiMnO6多晶靶材。利用热重—差热分析仪(TG-DTA)分析了La2NiMnO6多晶靶材成相过程及热学性质,并用X射线衍射仪(XRD)和偏光显微镜对不同烧结温度下制备的La2NiMnO6多晶靶材的相组成和形貌结构进行了表征。结果表明,烧结温度到达700℃之后La2NiMnO的晶粒成相基本完成,其最优化烧结温度约为1 100℃。     

Mn含量对Al掺杂PMN-PMS-PZT陶瓷介电性能的影响

采用传统的固相烧结法制备了Pb1.07[(Mn1/3Nb2/3)1/2(Mn1/3Sb2/3)1/2]0.08(Zr0.828Ti0.092)O3+x wt%Al2O3+y wt%MnO2(x=0.1,0.3,0.5,0.7;y=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10,0.12)热释电陶瓷,在对不同组分Al掺杂PMNPMS-PZT陶瓷材料介电性能对比寻优的基础上,逐步增加Mn的含量,研究不同Mn增量下,对最优Al掺杂PMNPMS-PZT热释电陶瓷相结构、晶粒生长以及介电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)分析显示Al掺杂PMNPMS-PZT陶瓷和在最优Al掺杂基础上增加Mn的含量都不会引入新的杂相,扫描电子显微镜(SEM)分析表明当x=0.30,适当增加Mn的含量,有助于陶瓷晶体的均匀致密,但一旦添加过量则又会产生不好的影响。实验结果表明:采用530℃排塑,烧结1190℃,保温2 h,当x=0.30,y=0.08时,PMN-PMS-PZT热释电陶瓷具有较好的相结构和介电性能,其中介电常数εr约为210,介电损耗tanδ约为0.16%,压电系数d33约为66.00 pC/N。     

锰掺杂钴铁氧体粉体的磁性能和介电性能

采用传统陶瓷工艺制备了Mn掺杂非正分Co铁氧体Co0.7 MnχFe2.3-χO4粉体样品.用X射线衍射仪、振动样品磁强计及阻抗分析仪研究样品的结构、磁性能和介电性能.研究表明:样品均以单相尖晶石结构存在,掺Mn降低了材料Curie温度,也使矫顽力和饱和磁化强度减小,Mn掺量χ=0.7时,材料的Curie温度、矫顽力和饱和磁化强度分别为314.5℃,6.9×103 A/m和13.1×103A/m,均小于未掺Mn时的值;材料的介电性能也与Mn掺量有关,在一定的频率下,随Mn掺量的增加电阻率先减小后增大,而介电常数和介电损耗则先增大后减小.     

锆元素不同掺杂方式对钛酸钡陶瓷介电性能的影响

研究了锆元素不同掺杂方式对钛酸钡陶瓷介电性能的影响.采用固相法制备出掺杂比例为1mol%的zrO<,2>-BaO和ZrO<,2>两种掺杂方式的钛酸钡陶瓷样品,对其进行多方面的表征.实验结果表明.ZrO<,2>-BaO掺杂与ZrO<,2>掺杂的钛酸钡晶格常数、介电性能会发生不同的变化,这是由锆元素不同掺杂情况对钛酸钡的作...     

Mn掺杂BaTi_4O_9陶瓷结构和介电性能

用电子陶瓷工艺制备主晶相为BaTi4O9(BT4)的介电陶瓷 ,研究用锰掺杂的BaTi4O9陶瓷的结构和介电性能。XRD研究表明BaTi4O9属正交晶系 ,空间群Pmmn ,晶格常数为a =1.45 3nm ,b =0 .3 79nm ,c=0 .62 9nm ,每个原胞有两个分子 ,钛原子位于变形的氧八面体之中。这种氧八面体的极化类似于或大于在BaTiO3和PbTiO3铁电相观察到的极化。锰掺杂极大地增强了Q值 ,在 1MHz下测得的Q值为 125 0 0 .而没有掺杂的陶瓷有高的损耗 ,这可能是由于在空气中烧结时形成Ti3+ ,显然锰的作用是在缺陷平衡中作为一种补偿剂 ,依据反应 :Mn3+ +Ti3+ Mn2 + +Ti4+ ,可能有助于Ti4+ 的形成 .BaTi4O9陶瓷具有优良的介电性能 :低介质损耗、中等介电常数和低的介电常数温度系数 .此种陶瓷制造成多层陶瓷电容器开拓了一种新的应用领域 .     

Al2O3掺杂对Cu3Ti2Ta2O12陶瓷微观结构及介电性能的影响

采用固相反应法制备了Al₂O₃掺杂Cu₃Ti₂Ta₂O₁₂ (CTTAO)陶瓷,研究了其晶相组成、微观结构、复阻抗及介电性能。研究结果表明：CTTAO陶瓷样品为立方类钙钛矿结构,空间群Im3。随着Al₂O₃掺量的增加,样品的平均晶粒尺寸、介电系数和介电损耗均先减小后增大。结合复阻抗谱分析表明,CTTAO陶瓷具有半导性晶粒和绝缘性晶界构成的非均匀性微观结构,低频下的介电损耗主要由晶界电阻决定,利用内部阻挡层效应(IBLC)和MaxwellWagner极化弛豫模型,可解释CTTAO的巨介电响应。     

Sr1-xBaxNb2O6钨青铜铁电陶瓷的结构与介电性能研究

通过固相反应法合成了Sr1-xBax Nb2O6(SBN)钨青铜型铁电陶瓷,并对其结构、介电性能进行了系统的研究.结果表明在所研究的成分范围内,SBN陶瓷均形成了四方钨青铜相,但是SBN25陶瓷的主相为焦绿石相,其他3种成分的SBN陶瓷均为四方钨青铜单相.SBN陶瓷均存在一个明显的弥散介电峰,峰值温度随x的增加从室温(SBN25)升高到130℃左右(SBN60);同时峰值温度随频率往高温偏移,为典型的弛豫铁电相变.