23MnNiMoCr54钢中温回火冲击功的理论计算

利用固体与分子经验电子理论（EET）,分析矿用圆环链23MnNiMoCr54钢中温回火组织特征相,计算特征相及相面电子结构参数n′A,Δρ′,σN和σ,利用电子结构参数计算了23MnNiMoCr54钢中温回火后的冲击功,计算结果与实际吻合较好。     

23MnNiMoCr54钢中温回火冲击功的理论计算

利用固体与分子经验电子理论(EET),分析矿用圆环链23MnNiMoCr54钢中温回火组织特征相,计算特征相及相面电子结构参数n′A,Δρ′,σN和σ,利用电子结构参数计算了23MnNiMoCr54钢中温回火后的冲击功,计算结果与实际吻合较好。     

RAlX系列化合物的价电子结构、结合能和磁矩

针对RAlX(R=La,Ce,Pr;X=Ge,Si)系列化合物，基于固体与分子经验电子理论（EET）构建含4f电子的稀土元素Ce和Pr的杂化表。对EET理论中的K公式进行适应性修正，用修改后的公式计算单质稀土Ce和Pr的内聚能、熔点和磁矩等性能，计算结果与试验结果相符，验证了杂化表的可靠性。用新的杂化表计算Weyl半金属RAl X(R=La,Ce,Pr;X=Ge,Si)的价电子结构（VES）、结合能与磁矩，计算得到的键长和磁矩与试验结果基本一致。结果表明：RAlX化合物的VES与晶体结构、结合能和磁矩有很强的相关性。     

300M钢低温回火组织电子结构参数及强度计算

利用固体与分子经验电子理论(EET)分析300M钢低温回火组织特征相,计算了特征相最强共价键上共价电子对数的统计值及合金相原子状态组数和合金相界面电子密度差的统计值及相界面上存在的原子状态组数,利用电子结构参数计算了300M钢低温回火后各结构单元的强化权重,最后计算出300M钢低温回火后的强度。结果表明,低温回火后强度的计算值为2 278.2 MPa,计算结果与实际符合较好。     

LaNi5及其氢化物的价电子结构理论计算

运用固体与分子经验电子理论(EET),定量分析LaNi5溶氢前后的价电子结构变化。结果表明:LaNi5中,平行于xoy平面内原子间的键合较强,而平行于z轴方向原子间的键合很弱,原子键合呈现明显的各向异性分布。LaNi5H7中,Ni—H键的键能远大于La—H键,正是通过这两种元素的协调作用,形成中等强度的化学键,有利于可逆的吸放氢反应发生。EET理论给出的电子结构计算结果与第一原理的计算结果相吻。LaNi5溶氢后,平均晶格电子数显著减少,脆性增加,同时考虑到LaNi5中原子键合的各向异性分布,因此该合金反复吸放氢后易粉化。     

Mo强化23MnNiMoCr54钢机理的电子层次研究

利用固体与分子经验电子理论(EET),计算23MnNiMoCr54钢中温回火组织特征相的电子结构参数。根据固溶强化作用因子和界面强化系数的计算结果,从电子层次研究了Mo强化23MnNiMoCr54钢的微观机理。结果表明:对于23MnNiMoCr54钢中温回火组织,Mo主要强化了α-Fe-C结构单元,对界面强度影响不大。     

Re强化Ni基单晶合金微观机制的电子层次研究

利用固体与分子经验电子理论(EET),计算镍基单晶合金的电子结构参数。根据计算结果,从电子层次探讨Re强化镍基合金的微观机理。结果表明:镍基合金中加入Re元素,基体和增强体的电子结构参数nA′均不同程度增大,使γ与γ′相的结构单元中原子键结合能力增强;使镍基合金γ与γ′相的原子状态数σN均增大,增加了基体和增强相的稳定性;γ与γ′相界面的原子状态组数增加,进而提高了合金的蠕变强度。     

稀土对CrB价电子结构的影响

根据固体与分子经验电子理论(EET),计算不同Y的质量分数对CrB价电子结构影响。结果表明:(Cr1-xYx)B 中Y的质量分数增加,最强键和次强键共价电子数减少,价电子结构均匀分布因子上升,(Cr1-xYx)B韧性提高。     

Al-Mg-Si合金时效强化初期的价电子理论研究

为了在电子结构上揭示Al-Mg-Si合金时效强化初期的机理,利用"EET"理论中的键距差法(BLD法),计算了Al-Mg-Si合金中过饱和固溶体相、GP区以及β相的电子结构;解释了Al-Mg-Si合金高温淬火后,过饱和固溶体产生GP区而不是直接产生β稳定相的过程。     

Re强化Ni基单晶合金微观机制的电子层次研究

利用固体与分子经验电子理论（EET），计算镍基单晶合金的电子结构参数。根据计算结果，从电子层次探讨Re强化镍基合金的微观机理。结果表明：镍基合金中加入Re元素，基体和增强体的电子结构参数 nA′均不同程度增大，使γ与γ′相的结构单元中原子键结合能力增强；使镍基合金γ与γ′相的原子状态数σN均增大，增加了基体和增强相的稳定性；γ与γ′相界面的原子状态组数增加，进而提高了合金的蠕变强度。     

Ta对镍基高温合金电子结构参数的影响

建立镍基合金的计算模型,利用固体与分子经验电子理论（EET）计算镍基高温合金特征相的电子结构参数,研究Ta对合金电子参数的影响。结果表明：Ta元素提高了Ni基合金中γ与γ′相最强共价键上共价电子对数nA的统计值n′A以及原子状态组数σN;Ta元素降低了γ′/ Ni界面的Δρ′,极大提高了界面上使电子密度保持连续的原子状态数σ,进而提高了γ′/ Ni的界面稳定性和γ′相的组织稳定性。     

Cu-Cr合金固溶体的电子理论分析

基于固体与分子经验电子理论(EET),对纯金属晶体Cu、Cr以及Cu-Cr合金固溶体进行价电子结构分析,从相空间价电子结构角度探讨合金元素的合金化行为。纯金属晶体的计算结果表明:Cu处于第9杂阶,Cr处于第7杂阶;合金元素Cr的溶入,能够提高纯铜晶胞的原子键引力,强化铜基体,从电子结构层次分析合金元素Cr对基体产生的固溶强化作用。     

钢中磷化物的相价电子结构及其对冷脆的影响

非金属元素P在晶界偏析且能引起冷脆的研究很多,但在电子结构层次上P偏析及引起冷脆的原因尚不十分清楚。基于"固体与分子经验电子理论(EET)",建立Fe3P的相空间电子结构计算模型,计算γ-Fe-P、Fe3P和稀土磷化物(REP)的价电子结构,并利用相结构因子nA分析非金属元素P偏析及引起冷脆的原因。计算结果分析认为,nA较小的γ-Fe-P相结构单元首先在晶界处偏析,当磷偏析浓度达到较高时,nA较大的Fe3P才在晶界处析出,引起冷脆现象;因REP的nA比γ-Fe-P的nA小,稀土元素加入后,稀土元素比Fe先扑捉到P元素形成稀土磷化物,从而改善磷的偏析并消除Fe3P引起的冷脆。     

Cu-Zn合金固溶体的价电子结构分析

基于固体与分子经验电子理论(EET),对Cu及Cu-Zn合金固溶体的价电子结构进行分析,计算一组表征金属和合金相性质的价电子结构参数统计值n′A,E′A,研究价电子结构参数σΝ与合金稳定性的关系。计算结果表明,Cu的统计值n′A,E′A与相应的最可几值nA,EA,的计算偏差分别为5.72%和6.86%;Zn原子的加入,提高Cu晶胞中最强共价键的结合能力,使n′A由0.353937增大到0.391175,起到了固溶强化作用;同时,Zn原子溶入,使σΝ急剧增大,增强基体的稳定性。     

镍基单晶合金承温能力提高的电子层次探究

以第1代镍基单晶合金CMSX-2、第2代合金CMSX-4和第3代合金CMSX-10为研究对象,利用固体与分子经验电子理论(EET)计算3种合金的电子结构参数,在理论上探究镍基合金承温能力提高的本质原因。研究结果表明:CMSX-2、CMSX-4、CMSX-10合金γ与γ′相最强共价键上共价电子对数nA的统计值n′A、原子状态组数σN以及界面原子状态数σ的数值依次增加;γ-Me/Ni界面Δρ′的数值依次减小,γ′-Me/Ni界面Δρ′的数值依次增加;合金的承温能力与合金特征相的共价电子对数、原子状态组数及界面电子密度差密切相关。     

Mg-Al合金固溶强化的电子理论研究

基于EET理论,采用平均原子模型计算了Al的质量分数为0、2%、4%、6%、8%、10%的Mg-Al合金晶胞的电子结构参数统计值n′A;利用n′A获得了一组表征合金强化效果的固溶强化系数SMg-Al,其数值分别为1、1.008 73、1.017 47、1.026 29、1.035 11、1.043 94;研究了电子结构参数σN与合金稳定性的关系。结果表明:Al原子的加入,增大了Mg晶胞中最强共价键的n′A值和σN值,提高了原子间的结合力及基体的稳定性,起到了固溶强化作用;SMg-Al值随溶质含量的增加单调递增,合金的固溶强化效果越好。     

Ti-4.5Al-5Mo-1.5Cr合金(α+β)/β转变温度的价键理论计算

基于EET理论和钛合金相变基本理论,以纯钛的同素异构转变温度为依据,在计算合金相最强键共价电子对数nA、组织中α相和β相的晶胞权重、α和β稳定元素对相变温度的影响、相修正系数及β稳定元素温度系数的基础上,给出一种从价电子结构层次计算α+β两相钛合金(α+β)/β转变温度的方法。据此,计算Ti-4.5Al-5Mo-1.5Cr合金的(α+β)/β转变温度,理论计算值为945.48℃,实测值为925℃,理论计算值与实测值相对误差为2.21%。     

航天器介质内电场形成机理与防护方法分析

空间环境中各种高能射线与粒子会对航天器有机介质产生致命危害,其中高能电子会在航天器介质中沉积并最终形成较强的静电场.当介质内带电水平较高时会引发多频谱脉冲放电现象,严重影响航天器敏感电子系统的可靠性与寿命,严重时直接导致有机介质材料烧毁.通过分析有关航天器介质内带电机理与防护手段,总结了介质内电场计算模型与计算方法,并评价了两个影响介质内带电水平的重要因素及相关防护措施,认为对介质进行非线性电导率改性可能成为未来对介质材料进行全防护的最有效手段之一.最后分析了空间高能电子的磁鞘屏蔽法的原理与设计原则.     

推动综合电子信息系统发展的核心技术探讨

本文分析了军事综合电子信息系统的主要特征，从计算、通信两类信息技术发展的角度研究军事综合电子信息系统的发展历程，讨论了计算与通信技术在综合电子信息系统发展中的核心地位，最后以认识观、技术体制和运营模式为出发点提出促进我国综合电子信息系统产业发展的几点建议。     

Ti-Nb-V钢中第二相粒子对焊接HAZ晶粒度及韧性影响的价电子结构分析

基于"固体与分子经验电子理论"(EET),利用合金相和相界面的价电子结构参数统计值n′A、E′A、Δρ′、σ分析第二相粒子和固溶Nb对焊接HAZ组织和韧性的影响。结果表明:Nb元素固溶时,因Δρ′/σ值大于其他合金元素而使Nb具有强烈阻碍奥氏体晶界迁移的作用;第二相粒子Ti(V、Nb)C(N)析出时,形成相界面的Δρ′/σ较大,因而更能有效地钉扎奥氏体晶界而使高温奥氏体晶粒显著细化;第二相粒子析出后,能够促进新相铁素体生成,改善焊接HAZ韧性的机理也可追溯到n′A、E′A及Δρ′。上述分析结果与实验结果符合很好。