首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
本文实验研究了加热器电极电阻与面电阻以及导电银浆涂覆宽度之间的关系,根据实验数据获得了ITO(Indium Tin Oxides)加热器的经验公式,并结合实际生产应用讨论了影响ITO加热器的因素,为特种显示器在极端低温环境下的ITO加热器设计提供了重要的技术支持。  相似文献   

2.
《新材料产业》2005,(11):79-79
显示器专业市调机构Displaybank10月6日公布的《2006年大型LCD市场展望》报告指出,预期明年大尺寸LCD的供过于求比率将在9.4%左右。低于原先预估,且在LCD业界可接受的范围内.  相似文献   

3.
低温沉积ITO膜的透光率及电磁屏蔽特性的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用射频磁控溅射技术,在水冷的有机玻璃(PMMA)和聚乙烯对苯二甲酯(PET)柔性膜上,低温沉积ITO薄膜。研究了膜厚对其形貌、光电以及电磁屏蔽特性的影响。结果表明,表面形貌随膜厚的增加有明显变化,进而对样品的光电性能产生明显影响,可见光平均透光率在75%~86%,电阻率在1×10-3Ω.cm~3×10-3Ω.cm范围内变化;其样品的总屏蔽效能也随着膜厚的增加而逐渐增大。通过适当调节膜厚,可分别实现样品最大平均透光率86.41%,最小电阻率1.19×10-3Ω.cm,最大屏蔽效能超过15 dB。  相似文献   

4.
低温沉积ITO透明导电膜的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过探讨半导体氧化物ITO膜的透光和导电机理,用反应性直流磁控溅射的镀膜工艺,在有机玻璃上低温镀制(ITO)膜,研究ITO膜溅射工艺参数与透光和导电性能的关系,实现了在低温下镀制(ITO)膜的技术,其透光率≥80%以上,表面电阻≤30Ω/□.  相似文献   

5.
塑料基体低温沉积ITO薄膜的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
综述了塑料基体低温沉积ITO薄膜国内外的最新研究现状,并指出了现在存在的问题,认为实现低温沉积、保证薄膜的光电性能和改善薄膜表面质量是3个关键技术.同时结合自己的研究工作,提出了相应的解决方法和建议.  相似文献   

6.
玻璃基片表面沉积ITO薄膜赋予玻璃诸多优异的电学、光学性能,但ITO薄膜的沉积也使得玻璃在可见光区透过率下降10%左右,在近红外区呈现高吸收、强反射现象,一定程度上弱化了ITO玻璃的部分应用。通过ITO多层减反膜的设计可以有效地解决上述问题,拓宽ITO薄膜玻璃的应用范围。本文首先阐述ITO薄膜沉积后光学曲线及该曲线各波段光学性能变化的理论解释,进而概述常规的减反膜系设计方法及膜层材料选择,并重点介绍ITO多层减反膜系的相关研究动态,本文结尾对ITO多层减反膜的设计和制备进行了展望。  相似文献   

7.
磁控溅射低温沉积ITO薄膜及其光电特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用直流反应磁控溅射法低温沉积ITO薄膜,用XRD、SEM和UV—Vis分别表征ITO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱,研究了氧分压、溅射功率及薄膜厚度等工艺参数对薄膜光电性能的影响,结果表明,氧分压过大时,ITO薄膜中有大量的位错和缺陷,使薄膜的电阻率变大,导电性变差;氧分压过小时,薄膜中将有大量氧空位产生,导致晶格变形,使电阻率增加。随着溅射功率增大,在相同时间内薄膜厚度增加,方块电阻减小,薄膜电阻率降低。随着薄膜厚度增加,制备的薄膜晶体结构相对完整,载流子浓度和迁移率逐渐增大,薄膜电阻率变小,进而对样品的光电性能产生明显影响。  相似文献   

8.
胡云慧  彭传才 《真空》1999,(2):33-36
在In-Sn合金靶反应磁控溅射的情形下,固定其片温度、氧分压、抽速和其它相关条件,仅靠改变溅射电流来沉积一定主阻的ITO膜。实验表明:随着工艺过程的进行,溅射电流总要呈现逐渐增加的趋势。本文分析了产生这种现象的种种原因,并指出影响工艺稳定的一个非常重要的因素是In-Sn合金靶本身。  相似文献   

9.
采用均相共沉淀法制备出掺铌纳米ITO粉末,粉末经模压、高温烧结成高密度ITO靶(相对密度达99%以上),用直流磁控溅射法制备掺铌铟锡氧化物薄膜(Indium Tin Oxides简称ITO膜)。通过样品电阻实时监测装置,研究分析了溅射成膜时电阻变化规律及真空环境等对样品光电性能的影响。采用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计、X射线衍射(XRD)及电子能谱仪(EDX)对样品进行了测试分析,结果表明:掺铌ITO膜的电阻率最小可达到2.583×10^-4 Ω·cm,可见光范围(400—800nm)平均透过率最高可达到93%。  相似文献   

10.
ITO膜的制备方法和TD—360型立式ITO透明导电膜生产线   总被引:3,自引:1,他引:2  
赖勇建 《真空》1998,(1):22-26
本文介绍了用铟锡(IT)合金靶和氧化铟锡(ITO)烧结靶制备ITO膜的特点;采用ITO靶时溅射工艺参数对ITO膜性能的影响;以及我们自行设计制造的TD-360型立式ITO生产线的特点。试验运行表明:国产ITO导电玻璃生产线生产的产品完全能够达到国外同类产品水平。  相似文献   

11.
ITO膜的化学稳定性与刻蚀特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
茅昕辉  陈国平 《真空》1994,(5):25-27
本文讨论了ITO膜的稳定性和刻蚀特性。比较了多种ITO膜的刻蚀液,得出加热至100℃的45%HI溶液和加热至50℃的HCI和HNO3的混合溶液人的刻蚀特性较为理想。  相似文献   

12.
膜窗系统是重离子束流治癌装置中隔离大气和真空的重要系统。通过应力分析,选择高强度膜(Hostaphon)和加强纤维衬底(Kevlar)联合使用,既可以使束流通过,同时中子产额少,还可以承受大气压力。采用双层真空结构,消除膜材料的漏气效应,使与膜窗相连的主系统真空度达到了10-6Pa。  相似文献   

13.
在有机材料柔性衬底上沉积ITO膜,需要在低温及无损伤(即避免离子轰击及热损伤等)情况下进行.为满足此要求,采用电子束蒸发法来实现在PI衬底上沉积ITO膜,对沉积参数如电子束特性、氧分压及衬底温度对薄膜质量的影响进行了研究;对薄膜结构、表面形貌、电学及光学特性进行了检测.最后,在PI衬底上获得高质量ITO膜,其可见光透过率超过90%,电阻率低于5×10-4 Ω*cm.  相似文献   

14.
采用低温直流磁控溅射法针对附有有机聚合物玻璃磁控镀制ITO薄膜,通过四探针、紫外可见分光亮度计对样品进行表征,研究了基底温度、溅射功率对ITO薄膜光电性能影响,试验表明:在附有有机聚合物的玻璃上低温直流磁控溅射法制备ITO薄膜,随着基底温度的增加方块电阻先下降后增加,透过率先增加后略微减少;随着溅射功率的增加,薄膜方块电阻减少,透过率降低。  相似文献   

15.
李宪华 《真空》2000,(6):38-39
本文介绍了塑料 ITO膜磁控溅射卷绕镀膜机的研制 ,就采用磁控溅射卷绕法制备 ITO膜的设备及成膜过程的一些工艺问题进行了探讨  相似文献   

16.
ITO膜透明导电玻璃的应用前景及工业化生产   总被引:12,自引:1,他引:11  
姜燮昌  胡勇 《真空》1995,(6):1-8
本文综述了ITO膜透导电玻璃的应用前景,列举了当前国内外市场现状及预测。透明导电玻璃是液晶平板显示器(LC)的主要材料,LCD顺应时代的潮流,作为人机接口产品将获得比半导体产业更大的增长率。日本达到了38%。90年代由于信息高速公路和多媒体的发展迎来了LCD时代。作者列举了ITO膜透明导电玻璃的应用实例和镀膜工艺,以及适用于工业化生产设备。认为,作为批量生产,连续直流磁控溅射是当前理想设备。它可以克服产品质量的不均匀性、不稳定性,可实现自动化生产,而且完全有条件实现设备主机国产化.机械部沈阳真空技术研究所,93年以来已先后成功的研制了两条生产线,镀出的ITO膜透明导电玻璃指标完全达到了国外同类产品水平。  相似文献   

17.
《新材料产业》2001,(1):36-36
横店集团电子陶瓷有限公司不断加大科技投入力度,使公司生产规模、产品档次得到快速提升。到目前为止,该公司生产的高压聚焦片产品已占据国内市场主要份额,并且已打入国际市场。2000年5月,该公司已具备4in×4in、4.5in×4.5in、4in  相似文献   

18.
低温磷化膜形成过程的研究   总被引:16,自引:4,他引:12  
徐惠芳 《材料保护》1995,28(6):17-18
低碳钢试样经不同时间磷化后,用扫描电镜观察所形成的磷化膜,并监测磷化过程中试样的开路电位随时间的变化规律。研究结果表明,无定形低温磷化膜的形成过程,主要由基体浸蚀期、无定期完整膜层形成期、膜增厚及网状微裂纹形成期组成。试样的开路电位能很好地反映低温磷化膜的生成过程,可用来监控磷化膜的生长。  相似文献   

19.
王桂花 《影像技术》2008,20(1):28-31
液晶显示器(LCD)的用途从电脑显示器、笔记本电脑到液晶显示电视(LCD-TV)不断发展,市场规模持续快速增长。关于LCD高精细度、高灰度、高对比度的各种开发连续不断。LCD表面保护膜以前多使用AG(Anti-Glare)膜,后来又上市了有上述作用的、可作为表面保护模的防反射(AR=Anti-Reflection)膜。该反射膜反射率低,并且表面物性高,本文介绍了产品设计和构成技术。  相似文献   

20.
大空间坐标尺寸测量研究的现状与发展   总被引:5,自引:0,他引:5  
大空间范围内的坐标尺寸测量是大型装备制造及精密工程安装的基础支撑技术之一,也是精密测量技术的热点和难点问题.随着当前重大基础装备工业的快速发展,大空间坐标尺寸测量的重要性和迫切性日渐突出,现有的测量方法和技术已经不能满足应用要求,必须发展新的测量方法和仪器设备,以此为背景,结合正在发展的大尺寸组合式测量方法,阐述了大空间坐标尺寸测量的应用现状、组合式测量方法、全局空间测量与控制等几方面问题,试图反映该技术领域的技术现状、关键问题和发展趋势,为相关研究和工程应用提供部分参考依据.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号