NH_3－氮化N_2O~－生长氧化物的MOS特性

ＮＨ＿３－氮化Ｎ＿２Ｏ￣－生长氧化物的ＭＯＳ特性＝ＭＯＳｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＮＨ＿３ｎｉｔｒｉｄｅｄＮ＿２Ｏ￣－ｇｒｏｗｎｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｙｏｏｎ，Ｇ，Ｗ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３，１...     

SIMOX中的氧化堆垛层错与用硅片粘合获得绝缘体上硅结构

ＳＩＭＯＸ中的氧化堆垛层错与用硅片粘合获得绝缘体上硅结构＝ＯｘｉｄａｔｉｏｎｓｔａｃｋｉｎｇｆａｕｌｔｓｉｎＳＩＭＯＸａｎｄｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｏｂ－ｔａｉｎｅｄｂｙｗａｆｅｒ－ｂｏｎｄｉｎｇ［刊，英］／Ｂｏｕ...     

带阈值电压补偿电流源的10位125MHzCMOS数字／模拟转换器

带阈值电压补偿电流源的１０位１２５ＭＨｚＣＭＯＳ数字／模拟转换器＝Ａ１０－ｂ１２５－ＭＨｚＣＭＯＳｄｉｇｉｔａｌ－ｔｏ－ａｎａｌｏｇｃｏｎｖｅｒｔｅｒ（ＤＡＣ）ｗｉｔｈｔｈｒｅｓｈｏｌｄ－ｖｏｌｔａｇｅｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄｃｕｒｒｅｎｔｓｏｕｒｃｅ...     

Silicon-on-insulator 1×2 Y-junction Optical Switch Basedon Waveguide-vanishing Effect

Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ１×２Ｙ－ｊｕｎｃｔｉｏｎＯｐｔｉｃａｌＳｗｉｔｃｈＢａｓｅｄｏｎＷａｖｅｇｕｉｄｅ－ｖａｎｉｓｈｉｎｇＥｆｅｃｔ①②ＺＨＡＯＣｅｚｈｏｕ（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＸｉｄｉａｎＵｎｉｖｅ...     

学习RTOS的教科书

美国工程师Ｊｅａｎ　Ｊ．Ｌａｂｒｏｓｓｅ写的“Ｍｉｃｒｏ　ｃｌｏｓ－ＩＩ，ｔｈｅ　Ｒｅａｌ－Ｔｉｍｅ　Ｋｅｒｎｅｌ”一书是学习实时操作系统（ＲＴＯＳ）的良好教材，它的中译本已经由工业出版社出版。书名为《？ｃ／ＯＳ－ＩＩ源码公开的实时嵌入式操作系统》。？ｃ／ＯＳ－ＩＩ是一个源码公开的、可免费用于教学、科研目的ＲＴＯＳ，最新的商业版本售价５５美元（见ｗｗｗ．ｕｃｏｓ－ＩＩ．ｃｏｍ）。它的前身？ｃ／ＯＳ，ｔｈｅ　Ｒｅａｌ－Ｔｉｍｅ　Ｋｅｒｎｅｌ一书出版于１９９２年。？ｃ／ＯＳ和？ｃ／ＯＳ－ＩＩ是专门为…     

薄膜SOI／CMOS器件结构的设计考虑

薄膜ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件结构的设计考虑＝Ｄｅｓｉｇｎｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎｓｆｏｒｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩ／ＣＭＯＳｄｅｖｉｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊，英］／Ａｏｋｉ．Ｔａｋａｈｉｒｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，－１９８９．５...     

结合D／A转换和FIR滤波的一种高速可编程CMOs接口系统

结合Ｄ／Ａ转换和ＦＩＲ滤波的一种高速可编程ＣＭＯｓ接口系统＝Ａｈｉｇｈ－ｓｐｅｅｄｐｒｏ－ｇｒａｍｍａｂｌｅＣＭＯＳｉｎｔｅｒｆａｃｅｓｙｓｔｅｍｃｏｍｂｉｎｉｎｇＤ／ＡｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎａｎｄＦＩＲｒｉｌｔｅｒｉｎｇ［刊，英］／Ｈｅｎｒｉｑｕｅｓ...     

SOI MOSFET的跨导

ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的跨导＝Ｔｒａｎｔｃｏｎｄｕｃ－ｔａｎｃｅｏｆｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒＭＯＳＦＥＴ＇ｓ［刊，英］／Ｃｏｌｉｎｇｅ，Ｊ．Ｐ∥ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．Ｌｅｔｔ．－１９８５．６（１１）．－５７３～５７４用背栅偏压作...     

器件与电路技术

器件与电路技术ＷＤ９４５０１大晶粒多晶硅薄膜晶体管的伪亚阈特性＝Ｏｎｔｈｅｐｓｅｕｄｏ－ｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄｃｈａｒａｃｔｅｒｌｓｔｉｃｓｏｆｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ－ｓｉｌｉｃｏｎｔｈｉｎ－ｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｗｉｔｈｌａｒｇｅ...     

耗尽态SIMOX MOS晶体管的低频噪声

耗尽态ＳＩＭＯＸＭＯＳ晶体管的低频噪声＝Ｌｏｗ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｎｏｉｓｅｉｎｄｅｐｌｅｔｉｏｎ－ｍｏｄｅＳＩＭＯＸＭＯＳｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊．英］／Ｅｌｅｗａ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．－１９９１．３８（２）．－３...     

超薄SOI MOSFET漏击穿机理的分析

超薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ漏击穿机理的分析＝Ａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅｄｒａｉｎｂｒｅａｋｄｏｗｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｉｎｕｌｔｒａ－ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，ｓ［刊，英１］／Ｙｏｓｈｉｍｉ．Ｍａｋｏｔｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤ...     

极薄SOI MOSFET的2维解析模型

极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...     

适用于短沟道MOSFET亚阈值沟道长度调制的简单二维模型

适用于短沟道ＭＯＳＦＥＴ亚阈值沟道长度调制的简单二维模型＝Ａｓｉｍｐｌｅｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｍｏｄｅｌｆｏｒｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄｃｈａｎｎｅｌ－ｌｅｎｇｔｈｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｉｎｓｈｏｒｔ－ｃｈａｎｎｅｌＭＯＳＦＥＴ＇ｓ［刊，英］／Ｇ...     

RNO栅极介质通过再氧化步骤的p沟热载流子最佳化

ＲＮＯ栅极介质通过再氧化步骤的ｐ沟热载流子最佳化＝ｐ－Ｃｈａｎｎａｌｂｏｔ－ｃａｒｒｉｅｒｏｐｔｉｍｉｚａ－ｔｉｏｎｏｆＲＮＯｇａｔｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓｔｈｒｏｕｇｈｔｈｅｒｅｏｘｉｄａｔｉｏｎｓｔｅｐ［刊，英］／Ｄｏｙｉｅ，Ｂ．Ｓ．…／／ＩＥＥ...     

用低压化学汽相淀积制备TiO_2薄膜

用低压化学汽相淀积制备ＴｉＯ＿２薄膜＝ＴｈｉｎＴｉＯ＿２ｆｉｌｍｓｐｒｅｐａｒｅｄｂｙｌｏｗｐｒｅｓｓｕｒｅｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［刊，英］／Ｒａｕｓｃｈ，Ｎ．…Ｊ．Ｅｌｅｃ－ｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．－１９９３，１４０（１）．...     

PSpice Modeling of Opto-electronic devices Using ABM Components

ＰＳｐｉｃｅＭｏｄｅｌｉｎｇｏｆＯｐｔｏ┐ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓＵｓｉｎｇＡＢＭＣｏｍｐｏｎｅｎｔｓＪｉａｎｐｉｎｇＣＨＥＮＤｉｅｔｅｒＳＴＯＬＬ１（ＮａｔｉｏｎａｌＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｎＬｏｃａｌＦｉｂｅｒ－ＯｐｔｉｃＣｏｍｍｕｎｉ...     

On the Realization of Current－Mode Continuous－Time Operational Transconductance Capacitance Filter

ＯｎｔｈｅＲｅａｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＣｕｒｒｅｎｔ－ＭｏｄｅＣｏｎｔｉｎｕｏｕｓＴｉｍｅＯｐｅｒａｔｉｏｎａｌＴｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅＣａｐａｃｉｔａｎｃｅＦｉｌｔｅｒ￥ＧｕｏＪｉｎｇｂｏａｎｄＨａｎＱｉｎｇｑｕａｎ（ＣｈａｎｇｃｈｕｎＰｏｓ...     

反应离子刻蚀引起的SiO_2电特性辐射损伤评估

反应离子刻蚀引起的ＳｉＯ＿２电特性辐射损伤评估＝Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎｏｆｒａｄｉａｔｉｏｎｄａｍａｇｅｏｎｅｌｅｃ－ｔｒｉｃａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＳｉＯ＿２ｄｕｅｔｏｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇ［刊，英］／Ｔｓｕａｋａｍｏｔｏ...     

用选择氧化物沉淀的7次掩模CMOS工艺

用选择氧化物沉淀的７次掩模ＣＭＯＳ工艺＝Ａ７－ｍａｓｋＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓｗｉｔｈｓｅｌｅｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［刊，英］／Ｈｏｒｉｕｅｈｉ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，１９９３．４０（８），－１４５５～～...     

热氮化对SiO_2／Si界面辐照加固强度的影响

热氮化对ＳｉＯ＿２／Ｓｉ界面辐照加固强度的影响＝Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｔｈｅｒｍａｌｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎｏｎｔｈｅｒａｄｉａ－ｔｉｏｎｈａｒｄｎｅｓｓｏｆｔｈｅＳｉＯ＿２／Ｓｉｉｎｔｅｒｆａｃｅ［刊．英］／ｄｅ－ｃａｓｔｒｏ，Ａ．Ｊ．…∥Ｊ．Ａｐｐｌ．...