薄膜介质可变电容器止端力矩的设计与分析

<正> 薄膜介质可变电容器在收音机、收录机中占据着很重要的位置,它的质量好坏直接影响着整机的声誉。薄膜介质可变电容器在收音机、收录机中是常动元件,在选择电台的调谐过程中使用者常常由一个止端旋到另一止端,久而久     

大功率陶瓷真空可变电容器的使用与维护

DF-100APSM短波发射机的平衡/不平衡转换器中采用的是CKTB2300/10/160陶瓷真空可变电容器,本文就此电容器的使用和维护及常见故障进行了分析。     

新颖的双间隔RF MEM可变电容的设计与模拟

设计了一种可用于射频(RF)通信系统中的MEM平行板可变电容,采用新颖的双间隔(two-gap)结构、金属铝极板、折叠“Y”形支撑和厚度不均的可动极板。用CoventorWare软件模拟了电容的C-V特性,当控制电压从0变化到10V时,RF信号电容相应从0.37pF增加到5.64pF,变容比约为15.24∶1;用HFSS软件模拟了电容的S11参数,电容的品质因数Q在1.8GHz下约为77.78。     

大功率短波发射机陶瓷真空可变电容器的使用与维护

本文对陶瓷真空可变电容器在使用中需要注意的问题进行了分析探讨,并根据亲身体会介绍了真空电容器的维护经验.     

T形和Ⅱ形电阻电路等效变换的教学探讨

本文给出了5种T形和Ⅱ形电阻电路等效变换公式的推导方法。它们是:基于等效定义、基于等效性质、基于能量守恒定律、基于戴维南定理和基于二端口参数矩阵等推导方法。基于这5种推导方法,笔者给出了切实可行的教学建议。本文的讨论对从事电路教学的教师具有一定的参考价值。     

X波段MEMS可变电容的设计与制作

对一种适合于X波段通信系统的RF MEMS可变电容进行了结构设计和工艺实现。该电容用高阻硅作为衬底材料,采用凹形和T形梁结构,整个结构由金材料组成;静电驱动,采用驱动信号与微波信号分离的方法。用有限元分析软件Ansys对该电容进行了模拟,随着驱动电压的变化,电容上极板产生位移变化,电容值相应地发生变化;设计了相应的工艺流程,实现了X波段MEMS可变电容的工艺制作和测试,该工艺与集成电路工艺兼容。S参数测试结果表明,在9GHz时Q值可达32.5,电容调节范围为28.8%。     

射频微机械可变电容的研究与进展

对国内外有关微机械可变电容的研究做了综合阐述,包括改变介质的可变电容、改变重叠面积的可变电容和改变间隔的可变电容.并对其中有代表性的电容结构进行了说明,对其获得的零偏压下的电容量值、Q值以及调节范围进行了比较.     

矩形波导T形接头的可视化教学

本文基于Matlab和HFSS协同仿真的方法,动态模拟了电磁波在矩形波导T形接头中的传播过程。这种仿真方法在开发多媒体教学课件方面具有优越性和高效性,便于实现可视化教学的目的,可以使抽象的理论教学生动而形象,为提高教学质量提供技术支持。     

异步电机T形等效电路的数学推导方法

本文研究了一种易于学生理解的异步电机T形等效电路的推导方法。该方法根据异步电机的几个最基本的公式,采用简单的数学运算逐步推导出异步电机T形等效电路．它涉及的公式和推导方法都是最基本的,学生自学即可很容易理解、接受。     

加载倒T形并联枝节的微带低通滤波器设计

针对传统的高低阻抗微带低通滤波器和开路端短截线微带低通滤波器体积较大、过渡带较缓且插入损耗较大的问题,采用高阻抗传输线单元加载并联倒T形枝节方法,构成带阻滤波支路,抑制了寄生通带,减小了滤波器面积。以7阶切比雪夫低通滤波器为例进行了设计和测试。实验结果表明,倒T形并联枝节滤波器截止频率为5.06 GHz,通带内最大插入损耗小于0.95 d B,在5.61~13.6 GHz内阻带抑制超过21 d B,而滤波器的面积比传统的开路端短截线微带低通滤波器减小20%。     

一种MEMS热驱动可变电容的分析模拟

文中设计并分析了一个MEMS热驱动可变电容,它的下极板固定于衬底,上极板通过热致动器驱动。热致动器由冷臂和热臂组成,一端通过锚点固定于衬底,一端连接在电容器上极板。热驱动器通过电压驱动使MEMS电容器上极板上下运动。文中作者使用有限元方法模拟了150～300μm加热臂长在0～4 V电压条件下的电容变化值和温度变化,有限元模拟结果表明其电容变化率最大可达10倍。     

一种基于SOI材料的新型可调谐光衰减器的设计

设计了一种新型的、基于SOI材料的可调谐光衰减器,其调制区采用了独特的双脊型PIN结构,增强了注入电流场与光场的重叠,提高电注入效率.用BPM方法分析了波导结构的传输损耗,用有限元法分析了二维PIN结的电注入特性.结果表明该结构的光衰减器有良好的性能.     

一种基于SOI材料的新型可调谐光衰减器的设计

设计了一种新型的、基于SOI材料的可调谐光衰减器，其调制区采用了独特的双脊型PIN结构。增强了注入电流场与光场的重叠，提高电注入效率．用BPM方法分析了波导结构的传输损耗，用有限元法分析了二维PIN结的电注入特性．结果表明该结构的光衰减器有良好的性能．     

一种新型二分电容DAC的设计

为了进一步减小电容阵列DAC占用的面积,提出了一种可用于SAR ADCs的二分电容阵列(三段电容阵列,T-SC)结构。与传统二段电容阵列相比,提出的二分电容阵列在不增加对电容匹配性要求的前提下,减少了芯片面积。在理论上分析了该结构的电容失配和寄生效应,归纳提出了一种计算电容阵列DAC DNL的简易公式。Matlab仿真结果与理论分析有较好的一致性,三段电容阵列结构能够实现较好的二进制权重特性;根据提出的计算DNL的简易公式进行参数设计,仿真DNL标准偏差为0.51 LSB,与理论计算0.5 LSB相差0.01 LSB。     

一种新型RF MEMS 单刀双掷开关的设计与仿真

本文介绍了一种利用单驱动电压控制通路选择的新型RF MEMS单刀双掷开关,利用三维仿真软件Ansoft HFSS和ANSYS进行仿真和优化设计该开关的性能。仿真结果表明：驱动电压为22V,开关时间为22μs,在中心频率30GHz处,开关处于down状态下的插入损耗为0.42dB,回波损耗为43dB,隔离度为29dB;而当开关处于up状态的插入损耗为0.53dB,回波损耗为19dB,隔离度为28dB,该开关的性能仿真和优化设计达到理想情况。     

基于硅基IPD技术的新型S波段带通滤波器设计

将无源器件内埋或集成在封装基板中,是射频系统级封装(SIP)的小型化面临的首要问题之一.基于硅基集成无源器件(IPD)技术,借鉴经典的级联四角元件(CQ)滤波器拓扑,提出一种四电感互耦结构.利用集总LC谐振器和分布式互感耦合原理,在交叉耦合节点处以加载电容的方式引入频变耦合节点,实现了一款新颖的S波段四阶带通滤波器,尺寸仅为1.5 mm×l mm,其通带内最小插损约为-3.5 dB@ 2.8 GHz,-1 dB带宽为2.63～2.96 GHz,在带外形成两个传输零点位置:-41.5 dB@2.29 dB@3.34 GHz.该滤波器结构形式新颖,可以整体集成到硅基板中,为射频系统级封装一体化集成提供支持.     

基于PERL技术的硅基PIN光电二极管的设计与仿真

缺乏高质量的硅光电接受器件一直制约着全硅光电子回路的发展。分析讨论了PERL太阳能电池的高效光电特性技术,并将其应用于硅光电二极管,设计了一种高响应度,高截止频率的硅基PIN光电二极管的器件结构,说明了该结构的技术特点与制备工艺。使用SUPREM-IV仿真器对该器件进行了模拟仿真,讨论了I层的长度与厚度对器件性能的影响。     

高调节范围RF MEMS压控电容的设计与模拟

对传统平行极板MEMS压控电容的局限性进行了理论分析,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容.它的特点在于使用了三对极板,其中的一对是电容极板,另外两对是控制极板.电容极板用于传输交流信号,而直流控制电压施加在控制极板上.使用有限元分析软件Ansys对其进行了建模与仿真,得出其调节范围高达214%,大大超出了传统的平板电容在调节范围上的自然限制(50%).设计了该电容的工艺流程.其工艺流程比较简单,很容易集成在标准的CMOS集成电路中.