射频溅射法制取ZnS·Ag发光薄膜

用烧结ＺｎＳ·Ａｇ蓝色荧光粉靶在钇铝柘榴石单昌基片上射频溅射制了ＺｎＳ·Ａｇ蓝色发光薄膜。讨论了基片温度及放电气体中Ｈ２Ｓ的含量对薄膜发光特性的影响。实验表明，基片加热温度应控制在５００℃左右，放电气体中Ｈ２Ｓ含量应控制在０．２％左右，所制得的薄膜具有和Ｐ２２－Ｂ１荧光粉相同的发光光谱。     

射频溅射法制作Y2O2S∶Eu发光薄膜

在钇铝石榴石单晶基片上用射频溅射法制取了Y2 O2 S∶Eu红色发光薄膜。利用正交试验法 ,对溅射气体 (Ar H2 S)中H2 S浓度、退火气氛中SO2 与H2 的比例、退火温度和退火时间等工艺条件进行了优化试验。给出了实验结果并对其进行了讨论。     

射频溅射法制作Y2O2S：Eu发光薄膜

在钇铝石榴石单晶基片上用射频溅射法制取了Y2O2S:Eu红色发光薄膜。利用正交试验法，对溅射气体（Ar H2S)中H2S浓度、退火气氛中SO2与H2的比例、退火温度和退火时间等工艺条件进行了优化试验。给出了实验结果并对其进行了讨论。     

制备工艺对ZnS：Ag纳米颗粒发光性质的影响

采用水热法制得ZnS：Ag纳米颗粒，并研究了制备工艺细节对产品发光性质的影响。在一定的工艺条件下，可以得到与体材料相近的中心位于445nm左右的发光，归属于硫空位相关的电子陷阱施主扣银相关的空穴陷阱受主的复合；改变反应物的加入顺序，或采用鼓风迅速冷却时，则在表面作用影响下，只能得到峰值位于490nm左右的较弱发光，归于硫空位相关的表面缺陷发光。     

新型掺铈钇铁石榴石磁光薄膜材料

对新型掺铈钇铁石榴石磁光薄膜材料(Ce:YIG)的制备工艺、磁光特性及理论分析进行了较全面的评述,并指出今后研究的方向。     

Ca_(1-1.5x)WO_4:Eu_x发光薄膜的射频溅射制备技术研究

以Ca0.64WO4:Eu0.24陶瓷为靶材,采用射频溅射法在硅片上沉积了Ca1-1.5xWO4:Eux薄膜,利用正交试验研究了溅射时间、气压和功率对Ca1-1.5xWO4:Eux薄膜的红光(616 nm)发光强度的影响;并利用荧光光谱仪和X射线光电子能谱(XPS)仪研究了薄膜的发光性能和成分。极差分析说明,溅射气压、时间和功率都会影响薄膜的发光强度,溅射时间的影响尤为重要。为提高发光强度,溅射气压宜控制在0.2 Pa左右,溅射时间在140 min。成分分析表明,薄膜中钙元素含量显著低于靶材中的含量,但铕元素含量显著偏高。研究还表明,靶材中Ca、W、O和Eu元素的溅射产额比为1∶1.79∶1.84∶2.28。XPS分析和光致发光谱都说明,薄膜中的Eu元素同时存在+3和+2价。