密封封装内部水汽含量判据研究

密封封装内部的水汽对于半导体器件的可靠性是一种威胁,由此导致的硅表面铝金属线的腐蚀是一种主要的失效机理。为了防止密封封装内部发生腐蚀失效,从而提高器件的可靠性,美军标和我国国军标均给出了内部水汽含量的试验流程和判据。然而另一些研究表明,水汽的单独存在并不会导致铝线腐蚀失效。研究了水汽在密封器件的腐蚀失效机理中的作用,对硅表面铝线的腐蚀过程进行了数学描述,分析了目前标准中内部水汽含量判据,并给出了防止密封器件腐蚀失效的建议。     

密封半导体器件内部水汽含量的控制

叙述了器件内部水汽含量的来源和对可靠性的影响,采用控制技术后达到了良好的效果。     

晶体管封装腔内水汽含量的分析与控制

本文在对现有国军标晶体管封装腔内水汽含量检测及分析的基础上,提出了降低腔内水汽含量的有效办法和途径,经改进封装后的国军标晶体管,其腔内水汽含量从原来的27300－26200PPm下降到274－542PPm,改善了将近两个数量级,大大低于GJB33A－97规定的500PPm的标准要求,器件可靠性的提高,必将为广大军用户重点国防工程,军事装备的系统可靠性创造美好的前景。     

半导体器件和集成电路水汽含量控制的研究

半导体器件和集成电路水汽含量偏高,会影响产品的电性能和可靠性。随着可靠性要求的提高,半导体器件和集成电路的内部水汽含量要求控制在5×10^-3以下。导致水汽含量偏高的原因有3个方面：一是壳体的密封性能差;二是预烘焙不够充分或封帽时控制不当：三是封帽时氮气的纯度不高。针对这3个方面因素分别提出了相应的解决办法,将封装产品的水汽含量稳定地控制在5×10^-3以下,一般内控指标要求在2×10^-3以下,才能保证产品批次性质量要求,从而提高产品的可靠性．     

气密性封装内部水汽含量的控制

气密性封装内部水汽含量过高,会使芯片及电连接系统发生各种物理化学反应,从而造成器件参数不稳定甚至失效,为了保证空封半导体器件的可靠性,生产上不仅需要检测器件封装的气密性,而且需对器件内部水汽含量进行有效的控制。因国内许多生产单位不具备对内部水汽含量进行有效控制的条件和检测设备,因而通过本文的讨论并采用有效防止水汽存在或引入器件的内部,使水汽含量控制在规定的范围内(GJB548A-96、GJB33A-97规定内部水汽含量为:100±5℃,烘24小时以上,小于5000ppmV,且这是最低要求)。因要使器件(未经钝化处理)无因水汽引起的失效,最稳妥的办法是使器件内部水汽含量小于500ppmv;实际上,对大多数器件内部水汽含量若能保持在1000ppmv 以下即能保证器件可靠运行。我们采用合金烧结芯片、合金封帽的器件其内部水汽含量控制在300ppmV 左右,聚合物导电胶装片、合金封帽的在1200ppmV 左右,银玻璃装片、Pb-Sn-Ag 合金封帽的在3000ppmV 左右,即便有某些偏差,亦能保证内部水汽含量控制在较低的范围内,使生产的器件可靠性大大提高,并能100%通过水汽含量检测。     

混合微电路内部水汽含量控制技术

根据气密性封装混合微电路内腔残余气体数据的测试结果,对水汽含量超标的样品进行了深入分析。提出了一种阻断分离法,可用于分析混合微电路水汽失效的原因。采用该方法,对可能引起水汽失效的外壳密封性问题、粘结胶放气问题,以及内部元器件及组装材料放气问题分别进行了试验验证与组合分析,找到了与水汽失效相关的各种原因及控制办法。根据试验分析结果,系统地提出了控制混合微电路内部水汽及其他杂质含量的有效方法。     

陶瓷封装电路内部水汽的稳定性控制

简述了集成电路陶瓷封装内部水汽含量的不稳定性,主要是由粘接材料导电胶在高温下分解释放出的水汽所造成的.不同的封装温度内部水汽含量不一样.说明导电胶应充分固化,尽可能在较低的温度下进行封盖.     

微电路封装产品内部水汽含量的分析与控制方法

为了使我所微电路封装产品能广泛满足航空、航天及其他特殊领域对内部水汽含量的要求(≤5000ppm),提出了降低金属或陶瓷结构封装的微电路封装产品内部水汽含量的控制方法和工艺要求。     

光电耦合器内部水汽含量控制

分析了光电耦合器内部水汽的来源,在此基础上提出了降低产品内部水汽含量的方法,提高了元器件的质量和可靠性.对比了改进前后产品的内部水汽含量.     

集成电路可靠性的进展

本文概述了集成电路可靠性的发展情况,着重对大规模集成电路的栅氧化层击穿、热电子效应、电迁移等失效机理进行了分析,并介绍了几种有关集成电路的可靠性试验和筛选方法。     

SOI集成电路的ESD保护技术研究进展

近年来，随着SOI技术的快速发展，SOI集成电路的ESD保护已成为一个主要的可靠性设计问题。介绍了SOI ESD保护器件方面的最新进展，阐述了在SOI ESD保护器件设计和优化中出现的新问题，并进行了详细的讨论。     

半导体光集成电路

半导体光集成电路(PIC)是光电子集成电路(OEIC)的一个分支,它侧重于光学互连的导波光电子器件的单片集成。由于Ⅲ-Ⅴ族材料外延晶体生长和相关工艺技术方面的进步,这一研究领域最近取得明显进展。本文讨论了集成有源和无源光波导的某些必要技术,并介绍了几种典型器件。     

模拟集成电路中的保护电路分析

本文主要介绍了模拟集成电路中各种保护电路的工作原理,并对常见集成电路中的保护电路作了详细分析。     

SCR器件在CMOS静电保护电路中的应用

静电放电(ESD)对CMOS电路的可靠性构成了很大威胁。随着CMOS电路集成度的不断提高，其对ESD保护的要求也更加严格。针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况，文章总结了SCR保护电路发展过程中各种电路的工作机理。旨在为集成电路设计人员提供ESD保护方面的设计思路以及努力方向。     

硅集成电路发展趋势及展望

本文阐述了硅集成电路的发展趋势,并对集成电路的市场进行了展望。     

Electrical Overstress of Integrated Circuits

Common misconceptions regarding electrical overstress (EOS) and the failure characteristics of integrated circuits (ICs) are summarized, analyzed and clarified. In order to avoid EOS fails right from the beginning of the IC design process, a methodology is proposed that accounts for the special characteristics of ICs and their applications in order to deal with EOS in the design, handling and application of ICs.     

集成电路成品率研究

集成电路的成品率是集成电路制造中的一个重要问题。只有高水平的集成电路成品率，才能降低集成电路成本，带来集成电路的高质量及高可靠性。文章首先介绍了成品率的要领然后研究了成品率的理论计算方法有经验，半经验公式，最后简单地概述了提高集成电路成品率的实践途径。     

CMOS集成电路低功耗设计方法

近年来，功耗问题已成为VLSI设计，尤其是在电池供电的应用中必须考虑的重要问题之一。文章通过对CMOS集成电路功耗起因的分析，对CMOS集成电路低功耗设计方法和设计工具进行了深入的讨论。