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磷化铟汽相外延已用于沉积制备 FET 所需的亚微米多层结构。该结构是沉积在绝缘掺铁衬底上,由缓冲层、表面沟道层和 n~(++)接触层组成。缓冲层之 N_d-N_d<10~(14)cm~(-3)、μ_(77°K)>50,000cm~2/v·s。表面沟道层掺硫,其厚度为0.3~0.5μm,载流子浓度控制在8×10~(16)cm~(-3)到2×10~(17)cm~(-3),相应的298°K 电子迁移率为3900cm~2/v·s 和3000cm~2/v·s,并且没有观察到性能随沟道层的减薄而退化的现象。由于材料具有极好的横向均匀性,从而用实验证明了生长 n~(++)层能使接触电阻减少以及采用隐埋沟道能引起栅的改善。发展了用于测量载流子浓度分布的金属-氧化物-半导体技术,当FET 的沟道掺杂浓度为2×10~(17)cm~(-3)时,用这种技术能提供6000(?)的耗尽。 相似文献
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为了弄清用 Ga/AsGl_3/H_2方法生长的外延层和 GaAs 衬底之间界面处高阻层的形成而进行了试验。外延层在下列条件下生长:(a)改变生长过程中衬底的温度;(b)在生长开始阶段引入过量的砷蒸气。外延层在高砷压下生长时,界面上没有高阻层存在,替代它的是一个非常薄的低阻区。这种现象被定量地解释为是由于砷蒸气压偏离了反应系统的稳态条件。高阻层在不同温度下的霍耳测量结果表明,高阻是由能级距离价带边缘大约为0.5电子伏的深受主所致,并推断与砷空位有关。 相似文献
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使用Ga-AsCl_3-H_2系统和双室反应管的方法,连续生长具有掺铬缓冲层的FET材料.以铬和SnCl_4作掺杂剂分别生长高阻缓冲层和n-n~+层.阐述影响多层外延质量的一些因素和实验结果.用本方法制管的多层外延材料制作C-X波段功率FET,得到了较好的结果. 相似文献
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本文论述在常压CVD硅外延系统中,通过e_qP=B-A/T,分别计算出SiH-Cl_3、PCl_3和BCl_3的A和B二常数值。采用低温深冷工艺,进一步提高硅源的纯度,通过控制SiHCl_3的蒸汽压,在晶向为(111)和(100),掺硼电阻率(4~8)×10 ̄(-3)Ω·cm的抛光衬底硅片上,生长出外延层电阻率为350Ω·cm(杂质浓度3.5×10 ̄(13)/cm ̄3),外延层厚度达120μm的p/p ̄+/硅外延片,制成器件的击穿电压可达1000V。 相似文献
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讨论了外延及注入制作的薄层GaAs Hall器件如何获得高的磁线性度.GaAs Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离,但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿,在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中,可以得到在2.5T的强磁场下,±0.04%的高磁线性度. 相似文献
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讨论了外延及注入制作的薄层GaAs Hall器件如何获得高的磁线性度.GaAs Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离,但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿,在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中,可以得到在2.5T的强磁场下,±0.04%的高磁线性度. 相似文献
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为了找出汽相生长 GaAs 外延层和衬底之间交界面处产生高阻区的原因,用改变反应系统中的衬底温度或砷压来生长外延层。也在氢气氛下或 GaCl/As_4/H_2气流里做了衬底热处理实验。甚至当反应达稳定状态以后开始生长时就出现了高阻居。然而单是在氢气中热处理时表面载流子密度变化不大,在 GaCl/As_4/H_2气流中热处理时从未掺杂衬底表面到几乎半绝缘处的变化区域在几微米以内。实验结果好像说明,如果反应系统中的气体腐蚀稍稍超过生长,那么在 GaAs 表面或在交界面处就会产生高阻区。也列出了高阻区的光电响应和光致发光的测定数据。 相似文献
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为了弄清在 GaAs 汽相外延层和衬底交界面之间引起高阻层的深中心的能级,确立了三种测量方法:(1)肖特基势垒电容与时间的关系,(2)肖特基势垒反向电流与温度的关系,(3)高阻区的光电导。在不同温度下测得的电容随时间变化,从中可以发现,在深阱处的电子激活能大约为0.89电子伏。当耗尽层夹在高阻区内时,则肖特基势垒的反向电流比起通常的反向电流约大三个数量级。有关反向电流与温度的关系以及高阻区中光电导光谱的测量结果表明,在价带上面存在着三个深能级,其范围大约为0.3~0.6电子伏。在高阻区,观察到了非本征负光电导。 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1994,(4)
GaAsFET高输出放大MMIC据日本《电子技术))1994年第6期报道,日本三菱电机公司开发了高效率的MMIC,用于模拟便携电话的发射系统。由GaAsFET两级放大器构成,在3.4V低压情况下,输出功率为31dBm(典型),效率达60%(典型),其... 相似文献
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陈桂章 《固体电子学研究与进展》1981,(2)
本文报导一种采用双室矩形反应管生长p~+-n_1-n_2-n~(?)多层汽相外延技术.Zn和Sn分别为P型和N型掺杂剂.本技术能避免杂质存贮效应,使多层外延的浓度分布陡峭,p~+层中Zn对n_1层施主补偿小,n_1浓度下降一个数量级时n_1-n_2之间的过渡区为0.05~0.l微米,n_2-n~(?)之间的过渡区约0.5微米.本工作还研究了不同衬托倾斜角α和反应气流速度对外廷层横向均匀性的影响.实验证明,当α=22°时,运用局部气流加速法使外延层横向均匀性得到了明显改善.对于面积为4.5平方厘米的多层材料,5~7微米厚的n_2层,其横向厚度的最大偏差为±4.6%;亚微米厚的n_1层,其横向厚度是最大偏差为±17%;n_1层横向浓度的最大偏差为±5.1%.实验证明,用本技术生长的p~+-n_1-n_2-n~(?)多层材料,在保证有较高的输出效率的前提下,提高了器件的可靠性.材料性能优于传统的液相外延技术.制备IMPATT器件的典型结果为:在8千兆赫下最高的连续波输出功率达2.93瓦,效率20.5%、与Pt H-L结构的器件相比.工作寿命显然较长.文中还对Zn的掺杂行为进行了初步的讨论. 相似文献
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采用Ga/AsCl_3/H_2体系,用SnCl_4作掺杂剂,已生长了用于双栅FET的n~+-n-n~-多层外延材料.在一次外延生长中连续生长的n~+-n-n~-多层外延材料的外延层厚度和载流子浓度的均匀性良好.用该材料制作的双栅FET的微波特性也有明显改善.在2GHz和8GHz下,NF分别为0.9dB和2.8dB,相关增益G_a分别为15.5dB和18dB. 相似文献