布朗大学研发高温超导用单晶Ni衬底

布朗大学的研究者正在研发一种单晶Ni衬底的制备工艺,它将替代目前高温超导涂层导体所使用的多晶织构衬底。研究者希望这种单晶Ni制备工艺比传统的衬底制备工艺更加简单和快速，并且能够升级为连续的制备工艺。     

薄膜理想台阶的制备方法研究

目的 研究台阶的形貌对台阶仪测试的影响,准确测试薄膜的厚度。 方法 分析制备台阶中存在的问题,针对这些问题设计了中轴线位置带掩膜条的掩膜板,并采用该新型掩膜板,在不同衬底上制备台阶,用台阶仪对薄膜的厚度进行测定。 结果 在薄膜中轴线附近做出的台阶,坡度陡峭,上下表面清晰。 Mo 衬底上制备出的薄膜厚度重复性较好;单晶硅衬底上制备的薄膜表面粗糙度较大;石英衬底上制备薄膜形成的台阶上下表面均较为平滑。 结论 使用新型掩膜板在石英衬底上制备出理想台阶,可较为准确地测试薄膜的厚度。     

钢坯剪断机压板装置的改进

在剪切机上，采用无动力液力压板装置代替弹簧压板装置，压板压力稳定，剪切钢坯断面质量提高。     

化学气相沉积金刚石薄膜衬底的研究进展

讨论了化学气相沉积金刚石薄膜的各种衬底材料。气相合成金刚石衬底材料分为3类，第一类是能和碳形成碳化物的衬底；第2类是与碳不起反应（不形成碳化物）但能溶碳的衬底；第3类是既不与碳反应又不熔碳的衬底。第一种一般与金刚石薄膜有比较好的粘合性，后两种虽然使金刚石成核容易，但衬底材料与金刚石薄膜结合性较差。采用预处理是促进化学气相沉积金刚石薄膜与增强结合力非常有效的方法。     

衬底对铟凸点织构的影响研究

为研究衬底材料对所溅射的铟织构模式的影响，选用UBM(Under Bump Metallization)膜、InSb单晶和无定形PR(光刻胶)3种不同衬底材料磁控溅射铟，实验对比了3种衬底材料对铟织构的影响。实验结果表明：铟的织构模式基本不受衬底材料的影响，其织构模式主要为强(101)丝织构和弱的(110)丝织构。这证明了铟的织构形成机理是典型的生长竞争机制。     

涂层衬底的生产方法

本发明涉及一种方法,用于生产以材料处理的衬底,依此法：a）至少一个衬底被送入到一个抽空的真空接受器（真空室）中;b）待处理的衬底表面被曝露在一种反应气体下,反应气体被吸附在衬底表面上;C）结束衬底表面在反应气体下曝露;d）被吸附在衬底表面上的反应气体起反应,其特征在于;1）带有被吸附的反应气体的衬底表面被置于一个低能量的等离子体放电下,以其在衬底表面上的离子能量E10为0eV〈E10≤20eV,以其电子能量Eeo为0eV〈Eeo≤100eV;2）被吸附的反应气体至少在由等离子体产生的离子和电子的共同作用下起反应。     

激光强化电镀技术——适用于制作金图案

目前用于微型电路产生金属化图案的工序很多,其中包括掩膜制作过程。在满意的分辨力下,无掩膜图案金属化能减少工艺步骤的次数,增加产品设计的灵活性和便于电路的维修。无疑,激光强化金和其它金属的沉积代表了这个领域中具有重大意义的进展。     

晶硅衬底参数对太阳电池输出特性的影响

利用晶硅电池模拟软件PC1D研究晶硅衬底的厚度、少子寿命及掺杂浓度对电池输出特性的影响规律。结果表明:晶硅衬底的厚度对电池输出特性的影响与其少子的扩散长度有关,衬底厚度的减小有利于其开路电压的提高,存在一最佳厚度值使其转换效率、短路电流及填充因子最高;当少子的扩散长度远大于衬底厚度时,电池的输出特性几乎与衬底厚度无关;当衬底少子扩散长度与衬底厚度的比值为2.5~3.0时,电池的转换效率最高;晶硅衬底的掺杂浓度在5×1015~1×1017cm 3之间,即电阻率在0.2~3.0.cm范围内时,晶硅电池能获得良好的输出特性。     

陶瓷衬底薄膜太阳能电池的制备

详细分析了陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池在制备过程中由于衬底的引入而导致一系列问题,比如衬底杂质含量过高、热膨胀系数等热力学参数和硅不匹配、沉积过程中杂质扩散以及晶体学参数不匹配导致沉积的硅薄膜晶粒不能长大等.针对衬底可能导致的不利因素给出了解决办法,同时进一步用实验验证了工艺的可行性.     

砷化镓气相外延层表面缺陷和衬底缺陷的关系

利用ＳＥＭ，ＥＤＸ研究砷化镓气相外延层表面缺陷与衬底缺陷的关系，进一步揭示了砷化镓衬底缺陷对砷化镓外延层质量的影响。     

单晶蓝宝石衬底晶片的化学机械抛光工艺研究

目的设计单晶蓝宝石衬底化学机械抛光的合理方案,探究主要抛光工艺参数对抛光衬底的表面质量和材料去除率的影响,并得到一组材料去除率高且表面质量满足要求的抛光工艺参数。方法借助原子力显微镜和精密天平分别对衬底表面形貌和材料去除率进行分析,采用单因素实验法探究了抛光粒子、抛光时间、抛光压力和抛光盘转速对蓝宝石衬底化学机械抛光的表面质量和材料去除率的影响,并设计合理的交互正交优化实验寻求一组较优的抛光工艺参数。结果在蓝宝石衬底化学机械精抛过程中,在抛光时间为0.5 h、抛光压力为45.09 k Pa、抛光盘转速为50 r/min、SiO_2抛光液粒子质量分数为15%、抛光液流量为60 m L/min的条件下,蓝宝石衬底材料的去除率达41.89 nm/min,表面粗糙度降低至0.342 nm,衬底表面台阶结构清晰,满足后续外延工序的要求。结论采用化学机械抛光技术和优化的工艺参数,可同时获得较高的材料去除率和高质量的蓝宝石衬底表面。     

微型图案和等离子辅助渗氮产生的应变组合的不锈钢图案

在奥氏体不锈钢上,低温等离子辅助渗氮产生所谓的＂扩展奥氏体＂。由基体的原始表面沿垂直表面方向产生的这种渗氮层的扩展,此处通常的含义是通过几种掩模选择氮扩散产生的有图案的表面。用的栅网能得到一种精确的正方形点。在这次交流中介绍了在奥氏体不锈钢基体上预先用一种有图案的氧化硅层覆盖进行渗氮的结果。也说明了在几种不同形状（园的和正方的点）混合的氧化硅掩膜和扩展奥氏体之间的相互作用。氮的扩散,和实验条件的一致及掩膜的特点非常重要。根据点的尺寸,会导致掩膜简单的均匀变形,或者在掩膜边缘有大畸变的明显变形。这种现象被视为一种环形壳状畸变。光截面似乎证明这仅仅是由于氮扩散正好在掩膜边缘的下面引起奥氏体扩展垂直力的结果。     

大口径无缝钢管涡流/超声检测用探头跟踪装置

<正>本专利属于钢管自动探伤技术领域,涉及一种用于大口径无缝钢管涡流/超声自动探伤的探头跟踪装置。该探头跟踪装置由连接柱、车体、螺钉轴、滚轮、压板螺钉、压板和弹簧组成,其中连接柱将跟踪装置固定在探伤设备的主机上;车体为     

非晶态合金薄膜铜衬底超精密抛光的实验研究

本文采用聚氨酯抛光盘和绒布抛光垫对铜衬底进行超精密抛光工艺研究,对铜衬底的表面粗糙度、材料去除率以及铜衬底表面组织结构变化过程进行了研究,并讨论了铜衬底在超精密抛光时,不同抛光条件对其表面粗糙度和材料去除率的影响,以及抛光压力对铜衬底的表面形成过程的影响。结果表明,采用聚氨酯抛光盘和绒布抛光垫可以消除划痕,抛光后的铜衬底表面粗糙度可达Ra6 nm。     

柔性衬底ITO透明导电薄膜的光电性能研究

利用直流磁控溅射方法在柔性聚酯薄膜衬底上制备了氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜，采用X射线衍射、紫外．可见分光光度计、四探针电阻测量仪等测试手段对薄膜样品进行表征，研究了氧含量、薄膜厚度、村底负偏压对ITO薄膜的晶体结构和光电性能的影响，优化了柔性衬底ITO薄膜的制备工艺条件。制得样品的最佳可见光平均透过率为85．6％，方块电阻为6Ω／口。     

利用热丝CVD工艺在铁衬底上合成金刚石

尝试用热丝化学气相沉积工艺(HFCVD)在铁衬底上合成金刚石。通过喷嘴向铁衬底上喷射源气体，可在大气压下合成金刚石。金刚石晶粒尺寸在180分钟内可生长到约20μm。用本工艺合成的金刚石只含有少量非金刚石碳。同铁衬底的情况一样，喷射源气体也有利于硅片上的金刚石合成。     

衬底材料对Ti膜形貌及结构的影响

使用电子束蒸发法在抛光Mo、石英和单晶硅衬底上沉积Ti薄膜,并用SPM、XRD及SEM对衬底及薄膜的表面形貌和微观结构进行了分析。结果表明:Ti膜的表面形貌和微观结构受衬底材料影响较大。抛光Mo衬底上的Ti膜表面有微小起伏,断面处发现Ti膜先在衬底形核,后以柱状颗粒的形式竖直向上生长;抛光石英衬底上的Ti膜表面平整,颗粒与界面清晰可见,在界面处有一层等轴晶;粗糙度最低的单晶硅基片上沉积的Ti膜表面反而最粗糙,通过XRD分析发现有TiSi_2的峰存在。     

CVD金刚石涂层硬质合金衬底预处理新方法研究

本文研究了甲醇预处理方法对硬质合金衬底表面抑制Co催石墨化作用。将甲醇预处理方法融入到传统的两步处理方法中,提出了新的两步预处理方法,通过电镜和EDX等手段对预处理后的衬底表面形貌、成分进行了分析。采用偏压增强热丝CVD(HFCVD)法,在预处理后的衬底表面成功沉积了金刚石薄膜。并以制做钻头为例,验证了两步法对复杂形状衬底的预处理及金刚石薄膜制备效果。研究结果表明:采用甲醇预处理方法能够有效抑制Co对金刚石薄膜的不利影响,新的两步预处理方法既能保证金刚石薄膜与衬底之间的附着强度,又非常适用于复杂形状整体式回转硬质合金刀具、拉拔模具等衬底,对于拓展金刚石涂层在涂层刀具领域的应用具有一定的参考作用。     

电子器件的金刚石基衬底

本发明涉及一种用于制造半导体层或器件的衬底的制造方法,包括下述步骤：提供包括适合作用于CVD金刚石合成的衬底的至少一个第一表面的硅晶片;在所述硅晶片的第一表面上生长具有预定厚度并具有生长面的CVD金刚石层;将硅晶片的厚度减少至预定水平;以及在所述硅晶片上提供第二表面,     

C60作为石英衬底过渡层气相生长金刚石薄膜

本文采用微波等离子体化学气相沉积方法，以Ｃ６０膜作为过渡层，在石英衬底表面，首次在等离子体预处理中无衬底负偏压条件下的生长出金刚石晶粒。通过扫描电镜观察到金刚石晶粒呈菜花状，生长表现为（１００）晶界。