高密度陶瓷封装外壳散热问题探讨

集成电路组装密度不断增加,导致其功率密度也相应提高,集成电路单位体积发热量也有所增加。因此,解决高密度陶瓷封装外壳的散热问题刻不容缓,它也是集成电路陶瓷封装外壳需要攻克的难题之一。在外壳制造上可通过采取不同的结构设计、选择合适的散热片、对钎焊工艺进行改进、解决好散热片的电镀质量问题等措施,来保证高密度陶瓷封装外壳的热性能的要求。     

陶瓷金属化层不连续图形的电镀方法

<正> 陶瓷金属化技术在电子工业中占着十分重要的地位,由于它能使陶瓷不但具有电子陶瓷的很多优良性能,在一些局部区域又具备金属的特性,因此使这一技术在很多场合起着特殊的作用。如可控硅外壳、集成电路陶瓷外壳及各种陶瓷基片电路的生产等,都需要用到陶瓷金属化技术。Mo-Mn法和W-Mn法是陶瓷金属化技术中应用得极普遍的     

浅谈带散热片产品的封装

带散热片封装的产品主要是功率器件,其产品在使用过程中会产生热能,主要借助散热片来释放,其产生的热能对散热片上的焊线质量提出了更大的挑战。带散热片封装的集成电路分为两种,一种是散热片上打线的集成电路,一种是散热片不打线的集成电路。本文主要讨论了对散热片打线集成电路的散热和工艺方面的改进。     

金属盖板对陶瓷外壳结构可靠性的影响研究

系统级封装用陶瓷外壳的金属盖板尺寸一般较大,在可靠性试验的过程中,应力会通过金属盖板的弹性变形传递到陶瓷外壳上,导致陶瓷外壳侧壁出现明显的应力集中现象。采用有限元方法对封盖后的陶瓷外壳的可靠性试验进行了分析,研究了金属盖板的材质及结构对陶瓷外壳可靠性的影响规律,为该类外壳的金属盖板设计提供了可靠的理论依据,避免了由于金属盖板设计不合理而导致陶瓷外壳开裂或由于金属盖板下陷导致器件失效等问题。合理的金属盖板结构对于解决可靠性试验中的失效问题及提高器件的可靠性具有重要的作用。     

集成电路陶瓷外壳析出物失效模式分析

为了集成电路的可靠性保证,往往需要对集成电路外壳进行验收。验收项目中,有一个耐湿试验分组,用来加速评定外壳的抗腐蚀性能及相应的质量可靠性能。在该试验分组中发现,陶瓷外壳失效除了已有的常规模式外,还有一种很严重的析出物失效模式。发现焊框与陶瓷结合处有胶体状析出物,析出物以流质状态析出,然后凝固,严重的还会造成焊框漏气,从而引起外壳失效。     

陶瓷金属化的方法和金属化机理

1.序言随着电子管、半导体的发展,具有优良的高频、热机械特性以及除气性能的陶瓷被用作为电子管和半导体外壳、微波输出窗或集成电路基板、密封引出线等,同时还研制了许多陶瓷和金属的封接方法。另外,联系到金属陶瓷等复合材料的发展,与氧化物和金属之界面反应有关的研究工作也在活跃开展。然而陶瓷与金属的封接非常困难,而且受封接时的各种条件如气围、温度、各种材料的表面状态等的影响很大。     

陶瓷四边引线扁平外壳设计中的几个问题

陶瓷四边引线扁平外壳由于其具有I/O端子数多、重量轻、体积小、表贴式的特点,可 较好地满足集成电路芯片高可靠性封装要求。文章叙述了CQFP陶瓷四边引线扁平外壳设计中应注意的 一些问题。如对产品结构、内引线键合指、外引线外形、互连孔位置等关键技术工艺进行周密设计,才 能保证产品的质量。     

陶瓷四边引线扁平外壳工艺研究

陶瓷四边引线扁平外壳具有体积小、重量轻、封装密度高、热电性能好、适合表面安装的特点,可广泛用于各种大规模集成电路封装,如ECL及CMOS门阵列电路等。文中叙述了CQFP陶瓷四边引线扁平外壳工艺研究中的关键工艺技术,如：金属浆料的配制工艺技术、大版精细印刷工艺技术、大腔体层压工艺技术、细引线拉力强度工艺技术等,以及今后努力的方向。     

陶瓷外壳封装的高引线数(VLSI的自动铝丝楔焊键合)

一引言随着集成电路芯片设计技术和制造技术的不断进步，使集成电路的复杂程度不断增加。同时，给集成电路的引线键合工作也增加了相当大的难度。目前国内的VLSI需键合的引线数一般达68～84根（国外最多的达500根引线以上）。由于集成电路的I／O数多，常规的DIP外壳已不能满足封装应用要求，而需采用高密度陶瓷外壳，如LCC、PGA、QFP等（国外已有uPGA、BGA等）。对于用LCC、PGA、QFP这类高密度陶瓷外壳封装的VLSI的引线键合，传统的手工键合已不能满足应用的要求，而必须采用半自动或自动引线键合技术。由于陶瓷外封装集成电…     

集成电路外壳对可靠性的影响及质量控制

集成电路外壳对可靠性的影响及质量控制李秀华（西安微电子技术研究所７１００５４）１前言集成电路的可靠性主要取决于芯片的质量与封装技术的高低，而外壳的质量又是影响封装技术的关键。做为集成电路专业制造厂，使用白陶瓷、黑陶瓷、金属圆外壳、菱型外壳等几十个规格...     

电镀线对陶瓷外壳传输性能的影响研究

为了实现陶瓷外壳表面图形的电镀,需要在信号线的基础上引入辅助电镀线。基于高温共烧陶瓷（HTCC）技术制作带电镀线的陶瓷外壳,通过仿真软件分析了不同长度、宽度的电镀线和电镀线的位置对信号线传输性能的影响。研究结果表明,随着电镀线的增长,信号线的阻抗减小,传输性能急剧下降。电镀线的宽度对信号线的传输性能几乎没有影响。通过该研究,掌握了电镀线对陶瓷外壳信号线传输性能的影响程度,可较快设计同类陶瓷外壳,满足不同用户的需求。     

MCM(MCP)封装测试技术及产品

1、简介南通富士通的MCM封装测试技术是利用陶瓷基板或硅基板作为芯片间的互连,将二片以上的超大规模集成电路芯片安装在多层互连基板上,再用金丝与金属框架相连通,而后由树脂包封外壳的多芯片半导     

C312-1型大功率LDMOS功率管外壳

<正>LDMOS功率管在雷达、无线通讯基站、无线广播发射塔等电子系统中具有广泛的应用,而该类器件对外壳的散热和可靠性有很高的要求。南京电子器件研究所最近研制成一种用于封装300 W LDMOS功率管的高可靠外壳—C312-1型多层陶瓷外壳,具有比较优异的性能。该外壳由金属底板、陶瓷框架和陶瓷盖板组成,器件采用金锡封帽工     

提高陶瓷外壳封装集成电路自动铝丝楔焊键合质量的途径

一、概述集成电路引线键合是集成电路制造中重要的工艺之一，它是把中测合格的并已安装在管壳芯腔（或其它形式）上的集成电路芯片，用引线键合的方式把它的输入输出端与管壳（或其它形式）上的金属化布线—一对应的连接起来，实现集成电路芯片与封装外壳电连接的工艺技术。集成电路引线键合是实现集成电路芯片与封装外壳多种电连接中最通用，也是最简单而有效的一种方式。集成电路引线键合，使用最多的引线材料是金丝，通常采用球焊——楔焊方式键合。但在陶瓷外壳封装的集成电路中，多采用铝丝（含有少量的硅或镁）作为引线材料。因为铝丝…     

准气密空腔型外壳的封装技术

基于非陶瓷、金属等材料的空腔型封装是近年来兴起的一种非气密或准气密封装技术。这种封装技术采用环氧树脂或液晶聚合物等塑料材料制作空腔型外壳,相对于陶瓷、金属等无机材料而言,基于塑料材质的空腔型外壳具有重量轻、介电常数低等优势,目前已经在射频电子、便携式产品中得到了应用。介绍了3种类型的空腔型外壳及相应的盖板密封技术,并对空腔型外壳的准气密封装技术在国内的应用进行了展望。     

二氧化碳激光陶瓷划线机研制成功

随着混合式集成电路元器件的迅速发展,在电子工业中陶瓷基片的用量越来越大.而我国集成电路生产用陶瓷基片现在还靠进口.为了满足国内电子工业生产的需要,为了进一步发展我国激光加工工业,吉林省激光研究所经过一年半的试验、研究,终于推出了JGQ-1二氧化碳激光陶瓷划线机.这套激光划线系统由高频脉冲CO_2激光器、光学系统和工作台三部分组成.由于解决了CO_2激光器的高     

解决陶瓷金属化层化学镀污染问题的途径

<正> 一、前言随着电子工业的发展,Al_2O_3陶瓷在电真空器件、集成电路封装管壳以及各种陶瓷基板等方面得到了广泛的应用。对于其中相当一部分产品来说,需要将瓷件与金属部件钎焊封接为一体。而陶瓷与金属是难以直接钎焊的,解决的办法是在钎焊之前先将陶瓷进行金属化。目前对Al_1O_3陶瓷一般采用的     

高压大功率芯片封装的散热研究与优化设计

针对单片高压功率集成电路芯片,利用Flo THERM软件,建立三维结构的封装模型,并对各模型进行了仿真。研究了在不同基片材料、不同粘结层材料、不同封装外壳条件下封装模型的温度变化情况,分析得出一个最优的封装方案。结果表明,当基片材料采用BeO陶瓷、粘结层采用AuSn20合金焊料、封装外壳采用金属Cu时,该封装模型的温度最低、散热效率最高。     

Al_2O_3/WCu封装的残余应力有限元分析

采用ABAQUS有限元模拟软件,建立氧化铝陶瓷-钨铜金属功率集成电路外壳的三维计算模型,对其钎焊封装的残余应力进行模拟计算,并系统地分析了外壳设计因素和钎焊因素对封装的残余应力分布及大小的影响。结果表明,氧化铝陶瓷-钨铜金属外壳封装的残余应力存在应力集中现象,主要集中在封接区域;瓷框和底座的厚度比、封接宽度、瓷框倒角半径及钎焊降温速率等因素对其应力分布和大小都有一定的影响。研究结果对外壳封装的可靠性评估和优化设计有一定的指导意义。     

提高金属——玻璃封装集成电路外壳的可靠性途径

本文简单地介绍了金属－－玻璃封装的集成电路外壳的两种失效原因－－“断腿”和慢性漏气的机理，在此基础上，结合本研究小组的工作实践，从原材料的预备，封装外壳的生产工艺及其使用等三方面提出了一些提高金属－－玻璃封装的集成电路外壳可靠性的方法。