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简单分析了InSb磁敏电阻的工作原理,讨论了利用偏置磁场作用于半桥磁敏电阻构成转动速度及位移传感器的测试原理;针对半导体材料对温度十分敏感的特点,提出了利用浮动零点跟踪技术测试齿轮转速的方法,并对其优缺点进行了讨论。 相似文献
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本文用X-射线双晶遥摆曲线,分析了Hg1-xCdxTe外延薄膜的晶体质量。结果表明,用垂直浸渍液相外延方法生长的Hg1-xCdxTe薄膜,结构均匀性好,晶体质量高,Hg1-xCdxTe外延薄膜表面层的晶体质量,优于其界面层;同时,Hg1-xCdxTe外延薄膜表面层的位错密度,可通过X-射线双晶遥摆曲线的半峰算得到。 相似文献
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脉冲激光薄膜制备技术 总被引:14,自引:2,他引:14
脉冲激光薄膜沉积是近年来受到普遍关注的制膜新技术。简要介绍了脉冲激光薄膜沉积技术的物理原理、独具的特点和研究发展动态,并介绍了采用脉冲激光薄膜沉积技术制备硅基纳米PtSi薄膜的结果 相似文献
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对高温超导测热辐射计在红外热成象研究的应用方面作探索性研究,根据高温超导Boometer的探测机理和噪声理论,设计与之相匹配的电路系统,实现对探测信号的不失真的放大,传输和处理,为高温超导红探测器实用化研究提供实验依据,也获得热成象系统初步探索经验。 相似文献
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结晶速度对InSb—NiSb共晶复合材料磁致电阻性能Rb/Ro影响的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了单向结晶速度V对InSb-NiSb共晶磁致电阻性能Rb/Ro的影响。结果发现不同V,其Rb/Ro也不同。并且在V-Rb/Ro关系中存在着一个Rb/Ro最大值。这最大值可由半导体的物理磁阻效应和几何磁阻效应的综合作用来说明。 相似文献
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空间辐射制冷技术的应用与发展 总被引:4,自引:1,他引:3
介绍了辐射制冷技术的应用历史与现状,列举了多种国外飞行任务使用的辐射制冷器的性能指标与简图,此基础上分析了当前辐射制冷技术的发展特点与趋势,提出了将来一段时期内辐射制冷技术的研究重点。 相似文献
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研究了单向结晶速度V对InSb-NiSb共晶磁致电阻性能R_b/R_o的影响。结果发现不同V,其R_b/R_o也不同。并且在V-R_b/R_o关系中存在着一个R_b/R_o最大值。这个最大值可由半导体的物理磁阻效应和几何磁阻效应的综合作用来说明。 相似文献
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以实验为基础,研究一种快速制冷的微型制冷器的原理与特性(启动时间为3s,工作温度为-38℃)。由实验分析了节流孔径多孔介质、孔隙率等因素对制冷器特性的影响,以提出提高其性能的方向。 相似文献
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本文首先阐述了探测材料,特别是非制冷红外探测材料对于经济发展、社会进步与国防巩固等的重要战略意义,然后介绍了当前世界非制冷红外探测器的研究概况,并就热释电和热电两类重要的非制冷红外探测器的研发及其应用情况作了重点述评。 相似文献
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本文对红外探测器光谱应自动测试系统中存在的问题进行了探讨和分析,特别是对人们一般不太重视的个别问题作了较详细的实验分析,并根据调试中出现的异常情况做了多种不同的试验,分别找到了解决办法,使系统调试成功,实现了红外探测器光谱响应自动测试。 相似文献