影响区熔硅单晶电阻率均匀性的主要因素

通过对弯曲的结晶界面的研究,分析其对分凝系数、分凝方向及界面杂质分布的影响;通过改变拉晶参数以改变结晶界面的弯曲程度,减小分凝系数的变化及径向分凝的强度。分析影响电阻率均匀性的主要因素,改变其生产工艺。     

浮区中相变对流和毛细对流对分凝过程的影响

本文用“迎风有限元”法研究了在微重力条件下包含热毛细对流、相变对流及热和浓度扩散过程的浮区晶体生长过程,特别是半导体晶体生长的分凝效应。分析了不同典型参数条件下的流场、温度场、浓度场、熔化界面及固化界面形状,着重讨论了不同条件下的分凝过程。结果表明,相变对流对分凝有影响,它使固化界面处的杂质浓度增大。增大晶体的生长速度会使熔区变小,使固化界面变得平坦,使熔化界面变尖凸,使分凝程度增大。     

液相外延生长理论对(Hg,Cd)Te的应用

本文定量讨论了(Hg,Cd)Te体系的绝对分凝系数、扩散系数、临界过冷度和有效分凝系数与生长条件的关系,并计算了富Te熔体液相外延生长8～14μm响应波段材料的生长条件。     

从平衡分凝系数计算二元同形系相图

本文从液固相平衡出发,推导出二元同形系液固相变的平衡分凝系数与其等效相变潜热的关系,又从二元同形系的分子间作用势和相图的对称性得到等效相变潜热的近似表达,从而导出计算二元同形系相图的分凝系数法.用分凝系数法计算了(Hg,Cd)Te赝二元同形系相图,所计算的液固相点温度与实验值的拟合度与用较复杂的热力学方法计算的结果相近.     

高纯ZnWO_4晶体的生长

用提拉法生长了ZnWO_4单晶,研究了晶体生长条件对晶体中杂质浓度的影响。晶体颜色对杂质很敏感,尤其对铁杂质特别敏感。生长过程中,通过界面加一电场可以改变铁的有效分凝系数。用籽晶作阳极可以减小分凝系数,从而可以得到高纯度的几乎无色的ZnWO_4单晶。     

YAG中Nd~(3 )离子分凝系数与其结晶关系

YAG(Y_3Al_5O_(12))中Nd~(3 )离子分凝系数的测定,证实了其数值并非为恒定,而是在0.12～0.25之间波动。显然,这种因素与不同的结晶条件有关。本文报道了关于生长速度对YAG晶体中Nd~(3 )离子的俘获和分布的影响实验数据。为了对比,还给出镥铝石榴石(Lu_3Al_5O_(12))晶体的相应数据。在氮气氛中按[110]生长方向用定向结晶法从熔体中生长出直径为11.6毫米的晶体。在所有实验中,熔体的Nd~(3 )离子浓度均为1％(原子)。晶体中Nd~(3 )的分凝系数由以     

硅-硅键合界面氧化层模型与杂质分布的模拟

硅-硅直接键合的硅片界面存在一层很薄的氧化层,其化学成分是非化学计量比的氧化物S iOw(0相似文献   

定向凝固HgCdTe合金的生长参数对组分变化的影响

利用定向凝固法生长的一系列Hg_(1-x)Cd_xTe合金晶体,其组分范围从x=0.2到x=0.4轴向组分分布的测量结果,可以用适当的扩散方程的精确数值解来解释,它把分凝系数和凝固速率随组分的变化都考虑在内。所有生长速率的全部解通常与实验数据很一致,并且,证实了早期使用近似分析解观察结果的正确性。有效质量扩散系数与组分或熔体温度没有明显关系。然而在最高的生长速率下,得到了稍高的扩散系数。     

Nd:YAG晶体激光器特性和Nd浓度关系

1.前言目前Nd:YAG单晶是一种非常有用的激光工作物质。Nd:YAG激光器在室温下无论是连续波和脉冲方式工作都能发射1.064和1.32微米波长激光。然而,如果不同激光器设计重要性连系起来看,钕离子浓度和激光器特性关系不可能充分说明白晶体生长困难的原因。本文研究Nd离子分凝系数和1.064微米连续激光器特性与引上法生长的Nd:YAG晶体中Nd离子浓度关系。 2.初步设想 2.1 引上法生长晶体中杂质分凝系数根据下述正常凝固方程计算引上法生长     

Ga_(0.47)In_(0.53)As材料液相外延生长的组分控制研究

本文分析了Ga_(0.47)In(0.53)As材料生长中影响材料组分变化的因素,简要地给出了生长合适组分外延层的料源配制公式及其应用结果.采用适当的生长工艺可使外延层的横向组分平均偏离控制在±1.0%以内,纵向组分平均偏离在±1.4%以内,一源多炉生长的炉间外延层组分的平均偏离在±2%以内.分凝系数测量结果说明:三元层的生长主要是与组分的扩散密切有关,而与生长界面的动力学因素关系不太紧密.     

与HgCdTe晶格匹配的掺锌和硒CdTe衬底

用梯度凝结法生长掺锌和硒的CdTe晶体能获得与HgCdTe晶格匹配的衬底材料。测量每个掺杂剂的分凝系数后,估算装料组分,以实现一致的、合适的晶格常数,按照这种装料组分生长出的晶体,在固化系数0～0.7范围内,不仅显示出晶格常数非常一致,而且还具有用低位错密度(3×10~(-3)cm~(-2))表征出晶体的高度完整性和高的红外透射率(>62％)。因此.作为HgCdTe外延生长的衬底,掺Zn和Se的CdTe是一种非常有希望的材料。     

Ge在GaAs液相外延中的行为

本文用霍耳、SIMS、电化学C-V和光致发光等方法,研究了在550℃至950℃生长温度范围内 LPE GaAs中Ge的分凝行为以及占Ga位Ge原子与占As位Ge原子的占位比.得到Ge的分凝系数随生长温度降低而增大,占位比Ge_(Ga)/Ge_(As)随生长温度降低而减小.     

GGG:(Nd,Cr)单晶的生长与激光性能的研究

报道了掺钕、铬钆镓石榴石单晶生长及激光性能的研究工作。由于钕在结晶过程中的分凝系数小于1,而铬的分凝系数大于1,采用改进的提拉法生长晶体使掺杂尽量保持均匀。     

提拉法生长的金绿宝石晶体中Cr^3＋有效分凝系数的初步测定

用原子吸收光谱法测定了提拉法生长的金绿宝石晶体中Cr^3＋的有效分凝系数，初步结果为Keff≈2．1。     

关于固态再结晶生长(Hg,Cd)Te材料时淬火问题的探讨

本文用非平衡理论对(Hg,Cd)Te熔体在淬火时的临界过冷度和界面分凝系数进行了定量计算,并讨论了几种淬火条件下熔体的相变过程,从而得出用温度梯度控制淬火,可得到组分都均匀和热缺陷较少的CMT材料。     

同成份LiNbO3晶体中MgO的有效分凝系数的测定

本文用一种简便的方法测定了MgO在同成份LiNbO3中的有效分凝系数Keh及其熔体中MgO浓度的关系。     

硼再分布初始阶段和硼扩工艺均匀性的模拟研究

本文应用工艺模拟程序研究硼再分布的初始阶段,分别使用不同的氧化速率常数、分凝系数和扩散系数的模拟,表明初始阶段存在单向的硼增强扩散.其次通过模拟研究说明,确可由工艺参量和工艺条件的选取控制扩硼的工艺均匀性.     

鍺中扩散层表面浓度的測量

本文导出了鍺中杂质扩散层霍尔系数R的表示式。计算了余误差函数分布和高斯分布扩散层的霍尔系数与扩散层表面浓度N_S的关系曲线。用霍尔效应和平均电导法测量了锗中砷扩散层的表面浓度。     

MOCVD生长的InGaN／GaN双异质结构LED的生长和表征

我们在ｃ面蓝宝石上用常压ＭＯＣＶＤ法得到了高质量ＩｎＧａＮ外延层。研究表明，Ｉｎ分凝系数不仅与生长温度有关，而且与ＩｎＧａＮ薄膜的生长速度有关。观测到了在生长温度低至７００℃，Ｉｎ摩尔分数达０．２０时生长的ＩｎＧａＮ膜的强烈的能带边缘光致发光。本文还介绍了有关蓝光ＩｎＧａＮ／ＧａＮ双异质结构ＬＥＤ所取得的最初结构。     

基于四元数小波变换域统计模型的图像去噪

图像去噪是图像处理的基本问题,四元数小波变换是1种新的多尺度分析工具.图像经四元数小波变换后,其小波系数不仅在尺度间具有相关性,而且在尺度内也具有一定的相关性.首先利用层内及层间的相关性,用非高斯分布对四元数小波系数进行建模,然后给出分类准则,把小波系数分类为重要系数和不重要系数,再用非高斯分布模型对重要系数与其邻域系...