飞思卡尔面向中国TD-SCDMA无线网络推出RF功率系列产品 先进的LDMOS FET可提升基站放大器的性能并降低其成本及复杂性

<正>在中国,时分同步码分多址存取(TD-SCDMA)无线网络被广泛应用,而这些射频功率晶体管已经专为服务于上述网络的基站中所使用的功率放大器进行了优化。这些先进的器件是专为TD-SCDMA设计的飞思卡尔LDMOS功率晶体管系列中的最新产品,而TD-SCDMA     

飞思卡尔射频工业组合喜添坚固耐用的塑封型功率放大器

正飞思卡尔半导体推出专为坚固耐用型应用而设计的塑封器件,继续保持在射频功率技术领域的领先地位。新款MRFE6VP5150N/GN和MRFE6VP5300N/GN功率放大器是驻波比大于65:1的额定器件,采用塑料封装。飞思卡尔高级副总裁兼射频部总经理Paul Hart表示:"飞思卡尔已为蜂窝市场的宏蜂窝基站部署了数百万的塑封射频功率晶体管。我们正将我们的射频功率放大器封装专长扩展到工业应用中。我们的塑封产品组合具     

功率晶体管散热器的选择

正确的选择调整晶体(PT)管的热状态是保障晶体管补偿电路(TKC)工作可靠性的重要问题之一,而对于功率调整晶体管是正确地选择散热器,并且把管子紧固在散热器上。本文不详细讨论散热器的计算问题。这些问题将在著作中加以详细讨论。     

飞思卡尔推出6款适用于TD-LTE基站的全新Airfast RF功率解决方案

高功率射频(RF)功率晶体管领域全球领导者飞思卡尔半导体公司推出6款新的Airfast RF功率解决方案,专为2.3/2.6GHz频段的TD-LTE基站设计。高吞吐量和支持大量并发用户的能力使2.3/2.6GHz成为全球LTE部署的首选频段。去年年底,中国政府宣布将2.3/2.6GHz频段作为TD-LTE技术部署和应用的指定频段,这显然意味着重要的成长机遇。     

条状晶体管—一种新型器件

新型条状晶体管如图1和2所示,虽然它是专为补充二投管矩障部件,做为逻辑组件(Bipcot)的组成部分而设计的,其实还有很多其他应用,这种条状晶体管通常有一个公共发射极,其最大电流增益为50倍。     

直接驱动系统中晶体管的可靠性

随着晶体管击穿电压和所能承受功率的不断提高,在磁心存贮器中,二极管引导直接驱动的方案已被广泛采用。在直接驱动中,晶体管处于什么工作状态,直接驱动对晶体管有什么要求,这是值得研究的问题。本文将就这问题谈点初浅认识,并从使用角度探讨晶体管工作的可靠性。     

IGBT将是实现中国十一五规划能源消耗降低20％的关键——2007慕尼黑上海电子展展前巡礼

<正>中国“十一五”规划已明确提出：单位国内生产总值能源消耗比“十五”期末要降低20％左右。由于电力是目前中国主要的工业能源,因此,要实现国家的这一宏大生态目标,关键就是要有效降低工业生产过程中那些需要大电流和高电压的应用的功耗,如,交流电机控制、逆变器、UPS电源、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源、以及供暖系统传动装置等工业自动化应用。所有这些交流控制应用都需要一个能够产生大电流和高电压的核心功率器件,目前,市场上的核心功率器件主要有MOSFET半导体场效应晶体管、双极型功率晶体管和绝缘栅双极型功率晶体管IGBT。只有绝缘栅双极型功率晶体管IGBT集MOSFET场效应晶体管的高速性能和双极型功率晶体管的低电阻性能于一体,具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、安全工作区大等优点,因此,能否有效地降低IGBT开关元件的功耗也就成为实现中国“十一五”规划能源消耗总目标的关键之一。在即将于上海举行的2007年慕尼黑电子展上,当今最领先的IGBT器件供应商,如,三菱电机、塞米控、富士电机和英飞凌半导体等领先企业将为广大的中国机电产品设计师带来他们开发的最新IGBT产品。例如：三菱电机公司将带来其第五代高性能、小型化、低损耗智能功率模块(IPM)。英飞凌科技公司将带来专为牵引驱动而优化的全新IHM／IHV B系列IGBT功率模块和全新紧凑型PrimePACKTM IGBT模块系列。借助全新IHM／IHV B系列IGBT功率模块,用户可设计出能够在严酷的环境下正常工作,全面满足大负荷与温度循环要求的高效功率变频器。与同等尺寸的传统变频器相比,基于这种全新高功率模块设计的变频器的功率可提高50％。同时,因为IHM/IHV B模块优良的热性能,运用它设计的变频器的输出电流在典型的工况下可以使得输出电流的能力提高50％,英飞凌还将这种模块的最小贮存温度从先前-40℃降低至-55℃。IHM／IHV B系列模块与成熟IHM-A系列产品完全兼容,这能够让用户在不改变产品结构的情况下,进行更新换代。除改进热阻性能外,全新B系列模块还可满足一些要求非常苛刻的应用。英飞凌为IHM/IHV B设计了碳化硅铝(AlSiC)基板,与氮化铝衬底结合使用,可将热循环能力提高10倍。     

采用BCDMOS技术的电流模降压型DC-DC转换器功率级设计

给出采用0.8μm 30 V BCDMOS工艺技术的电流模降压型DC-DC转换器的功率级设计,该功率级可以输出3 A负载电流,转换效率可达到92%.主要描述了电流模降压型DC-DC转换器功率级的建模以及功率级电路和版图设计,包括功率晶体管及驱动电路、功率晶体管采样电流及斜波补偿电路,最后给出了该功率级设计的测试结果.     

如何设计DC-DC转换器(第一部分)

功率晶体管日益成为将直流电由一种电压变成另一种电压的有效器件。功率晶体管也可用来产生功率设备所要求的任何频率的交流电。 晶体管较之旋转转换器和振动器有着许多优越性。晶体管电路体积小、效率高,并且没有活动的部分,因此也就更可靠,更坚牢耐用。 一个具有矩形磁滞迴线的开关变压器和一对晶体管是构成简单转换器的主要组成部分(见图1)。当电流稍不平衡时,开关就启动。假若Q_1稍为通导(各点皆为正),反馈就使Q_2关闭,而Q_1则转为饱和状态。集电极电流一直     

DJS-186计算机的热设计

<正> 一、前言 任何电子设备,在工作时总要消耗功率,而这些消耗掉的功率的绝大部分以热能的形式散发出来。因此,电源单元中的一些大功率晶体管、扼流圈、大功率电阻;CPU、MOS、I/O等转门装置中的中、大规模集成电路等载流元器件都成为DJS-186计算机机柜的内部热源。 计算机在运转过程中,由于功耗的存在,