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氧与激光辐照对多孔硅光致发光光谱的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
毛晋昌 《红外与毫米波学报》1992,11(5):401-405
将化学腐蚀后的多孔硅样品分别置于大气和氧气中,用激光连续辐照其表面.观察到多孔硅的光致发光光谱峰位随辐照时间增加发生蓝移,最后达到稳定,在真空中作同样处理的多孔硅光致发光峰位却没有移动.X射线光电子谱测量结果表明,在大气及氧气中激光辐照的多孔硅层内并未探测到二氧化硅,结合红外吸收光谱实验,认为蓝移的原因可能是氧置换了多孔硅内表面的硅,出现Si-O-Si结构的结果. 相似文献
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硅基多孔β—SiC蓝光发射的稳定性 总被引:2,自引:0,他引:2
在自然存放,光辐照以及高温氧化等条件下,通过与常见多孔硅发光性能的对比,发现硅基多孔β-SiC具有稳定的蓝光发射。这种发光的稳定性来源于多孔β-SiCK I-c键的化学稳定性。 相似文献
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硅/多孔硅异质结光生电压谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
首次报道硅/多孔硅异质结光生电压谱,发现多孔硅的激发能有不连续性,表明多孔硅量子点由一层层硅原子有序排列而构成,其尺寸分布是不连续的,其差值为硅晶格常数的整数倍,光生电压谱是研究多孔硅和硅/多孔硅异质结能带结构的有效方法. 相似文献
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多孔硅发光峰位波长为370nm的紫外光发射 总被引:2,自引:0,他引:2
对特定工艺制备的多孔硅进行干氧氧化处理,观察到光致发光峰位波长为370nm左右的紫外光发射.紫外光强度与高温氧化温度有关,当氧化温度为1000℃时,多孔硅紫外光发射最强,而在1150℃温度下氧化5min,多孔硅纳米硅粒消失后,紫外发射变得很弱.紫外光峰位与氧化温度无关,但在1000℃氧化的多孔硅光致发光谱中出现附加的位干360nm的发光峰.如认为光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中,而光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅的SiOx层中的两种(或多种)发光中心上,则本文的实验能被很好解释. 相似文献
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多孔硅的氢化、氧化与光致发光 总被引:1,自引:1,他引:1
对于刚阳极氧化完的,阳极氧化后紧接着在H2O2中光照处理的及长期存放(10个月)的三种多孔硅样品进行了持续激光照射,不断监视它们的光致发光(PL)与富利埃变换红外(FTIR)吸收光谱,并在最后对它们作了X射线光电子能谱(XPS)测量,以确定它们所含氧化硅的情况.得出如下几条结论:(1)氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的.(2)Si—H键不是发光所必须的.(3)氧对多孔硅表面的钝化是稳定的,纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的.对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释. 相似文献
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多孔硅中两种不同的光致发光谱 总被引:5,自引:2,他引:3
采用连续变化的单色光作为激发光源,测量了多孔硅的光致发光(PL)谱和光致发光激发(LPE)谱.结果表明,多孔硅存在两种不同的PL谱.一种是人们通常观察到的PL谱,其峰位可随多孔硅量子尺寸的变小以及激发光波长(λex)的变短而蓝移,我们称其力量子限制型光致发光(QPL)谱.另一种是其峰位波长处于蓝紫光范围且峰位基本上不随多孔硅的量子尺寸和λex而变化的PL谱,我们称其为非量子限制型光致发光(NQPL)谱.多孔硅还存在与PL谱相对应的两种不同的PLE谱.与QPL谱对应的PLE谱是双峰谱,与NQPL谱对应的PL 相似文献
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多孔硅与硅材料相比,有明显的可见光致发光特性,其原理可用量子限制模型给予解释。文章通过对多孔硅的光致发光、光电子辐射、光电效应和X光吸收方面的实验的讨论,研究了退火对多孔硅导带和价带边缘的量子漂移的影响。对于大多数多孔硅,过高的退火温度可造成多孔硅的导带和价带边缘的量子漂移的改变。 相似文献