电阻器低阻值温度系数检测方法探讨

本文通过对电阻器低阻值产品作温度系数所用的高温导线和样品的公用安装线胸次试验,认为高温导线温度系数的影响较小,而样品的公司安装线温度系数的影响极大。为了对低阻值产品温度系数作出准确的检测,必须重视样品的焊接方式,否则地电阻器温度系数的判定带来极大的误差。     

n-GaN基Ti/Al/Ni/Au的欧姆接触高温特性

研究了在高温工作环境下Ti/Al/Ni/Au(15nm/220nm/40nm/50nm)四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性.退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性;接触电阻率随测量温度的增加而增大,且增加幅度与掺杂浓度有密切关系.掺杂浓度越高,其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢;重掺杂样品的Ti/Al/Ni/Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性;当样品被施加500℃,1h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加.     

n-GaN基Ti/Al/Ni/Au的欧姆接触高温特性

研究了在高温工作环境下Ti/Al/Ni/Au(15nm/220nm/40nm/50nm)四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性.退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性;接触电阻率随测量温度的增加而增大,且增加幅度与掺杂浓度有密切关系.掺杂浓度越高,其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢;重掺杂样品的Ti/Al/Ni/Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性;当样品被施加500℃,1h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加.     

石英玻璃管的高温软化性能研究

本文对用于制备光纤的石英玻璃管的高温软化性能进行了研究。用高温显微镜观察了不同样品的高温变化状态,测定了金属杂质和OH基含量。文中还详细讨论了影响石英玻璃软化性能的因素,提出了改进国产石英玻璃管质量的建议。     

n-GaN 基 Ti／AI／Ni／Au的欧姆接触高温特性

研究了在高温工作环境下Ti／A1／Ni／Au（15nm／220nm／40nm／50nm）四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性，退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性；接触电阻率随测量温度的增加而增大，且增加幅度与掺杂浓度有密切关系，掺杂浓度越高，其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢；重掺杂样品的Ti／A1／Ni／Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性；当样品被施加500℃，1h的热应力后，其接触电阻率表现出不可恢复性增加。     

湿法氧化Al0.85Ga0.15As时SiO2层的保护作用

本文研究了有无氧化硅保护层时Al0.85Ga0.15As层的高温湿法氧化。实验结果表明：氧化硅层对Al0.85Ga0.15As层的高温侧向湿法氧化速率基本无影响;被氧化区域SEM图像的衬度和有氧化硅保护层样品As拉曼峰的缺乏归因于被氧化区域中不存在氧化反应产物As,这有利于提高氧化层的热稳定性;有SiO2保护层样品的发光强度比无SiO2保护层样品的发光强度强的多,且具有SiO2保护层样品的发光峰位和半高全宽与氧化前的样品基本一致,而无SiO2保护层样品的发光峰位红移,半高宽展宽,这是由于氧化硅层阻止了GaAs盖层的氧化。     

一种新型CMOS器件长期贮存寿命评价试验方法

介绍了一种新型的可对CMOS元器件长期贮存寿命做出评价的试验方法。对CMOS元器件样品分别进行常温贮存试验和高温贮存试验,通过常温贮存试验累积试验数据,并以此研究总结CMOS元器件长期贮存性能参数变化的规律,通过高温贮存试验加速元器件常温贮存过程,在实验过程中定期对样品器件进行测试。通过对常温贮存数据和高温加速贮存数据进行比对分析,并利用阿伦尼斯模型进行数据处理,从而在较短的时间内对元器件长期贮存寿命做出评价。     

测量热阴极次级电子发射的新方法及其应用

本文利用相关检测技术,并对测试管结构作了改进,很好地抑制了热电子本底及空间电荷效应,构成一种测量热阴极在工作温度下次级电子发射性能的新方法。以浸渍钪酸盐阴极为样品,测得在低的轰击电子能量和电子流情况下次级电子发射系数占随温度指数上升;轰击电子能量或轰击电子流较大时,温度对没有很大的影响。研究表明高温下钪酸盐阴极存在电子轰击热发射增大效应,对此本文提出内建场模型加以解释。     

薄膜全耗尽积累型SOI MOS 器件在( 27～300℃) 宽温区高温特性的研究

本文在对p^ pp^ 结构薄膜全耗尽积累型SOA MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上，进一步研究了实验样品在（27－300℃）宽温区高温特性，理论和实验研究结果表明p^ pp^ 结构薄膜全耗尽积累型SOI MOS器件实验样品在（27－300℃）宽温区具有良好的高温特性。     

GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为

在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品,并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为.用Raman,DCXRD,RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征.分析结果表明:SGOI样品表面的穿透位错密度约为5×105cm-2;高温退火处理可以促进SGOI样品中异质外延生长SiGe合金薄膜的弛豫化和超薄Si夹层向SiGe合金薄膜的转化,进一步提高SiGe薄膜的晶体质量,并且有助于获得高Ge组分的SGOI材料.     

(Ce，Yb）共掺杂氧化硅薄膜的发光特性及结构

采用磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备了稀土（Ce,Yb）共掺杂氧化硅薄膜,研究了薄膜样品的结构和下转换发光性质。样品的发光光谱显示,在He-Cd激光器325 nm线的激发下,Ce3+离子的发光强度较弱而Yb3+离子的发光较强;Yb3+的发光随着退火温度的升高逐渐增强;这些结果加上样品的激发光谱和衰变光谱,都显示样品中发生了Ce3+ 到Yb3+的能量传递过程。X射线衍射结果表明,样品在高温退火时（大于1 000 ℃）出现晶化,形成了Ce和Yb的硅酸盐结构。笔者认为利用高温退火形成Ce的硅酸盐结构可以明显增强Yb3+的发光,从而提高薄膜的下转换发光效率。     

整流二极管的IR对HTRB工作寿命的影响

整流器件在工作中的可靠性往往与其漏电流特别是在高温下的漏电流有密切关系,然而对高温下的漏电流往往关注不够。通过对常温与高温漏电流的对比测试,发现两者并没有一致的对应关系;通过对高温漏电流有较大差别的两组样品的高温反偏寿命试验表明:高温漏电流越大,高温反偏寿命越短,说明高温漏电流对高温反偏寿命有重要影响。依据此结果提出了通过对高温漏电流进行测试,实现对高温反偏寿命进行分档、筛选的设想。介绍了利用正向脉冲电流对二极管的pn结进行瞬态加热以实现对高温反向漏电流的快速测试的具体方法。     

电子俘获材料KCl:Eu2+的光存储特性研究

采用高温固相反应法制备出了粉末态的 KCl:Eu2 样品 ,研究了 Eu掺杂浓度与光激励发光的关系。测试了样品的发光性能和存储性能 ,并分析了 KCl:Eu2 的光存储的机制。     

用接温老化取代高温存贮

接温老化取代高温脉冲功率老化已一年,在此老化条件下停止作175℃存贮筛选,从筛选机理上讨论和实验证明都是可行的。这样不仅节省大量人力物力,且由于老化时管腿温度仅110℃,这对管腿氧化和镀金层高温裂损的改善效果是明显的。从而对提高整机可靠性十分有利。此经验可推广应用到单管和多种集成电路上。     

用激光闪光法测定比热

在原子核工程及其它高温应用中,必须了解材料在高温时的热容量。与普通测定比热的方法相比,激光技术有以下优点：测定时间短、样品尺寸小、没有热损耗影响以及不需要在热平衡条件下操作等。     

用于制备GaN的硅基ZnO过渡层的高温热处理研究

我们利用直流反应磁控溅射法制备出在Ｃ轴上取向高度一致的ＺｎＯ薄膜,为了进一步检验作为高温生长ＧａＮ材料衬底的可行性,我们模拟衬底加热,进行了样品高温热处理．比较了样品高温热处理前后的晶体性能,发现热处理后使ＺｎＯ薄膜的吸附氧明显减少,孔隙率降低,薄膜的密度增加,有效地提高了薄膜的晶体性能;在ＺｎＯ和硅两者的界面上形成了一个富锌区．所以,用我们的方法制备的ＺｎＯ薄膜有望成为外延ＧａＮ单晶薄膜的理想衬底     

热缩型电缆相色管老化的红外特性研究

利用红外光谱分析法对影响工业相色管褪色的主要因素进行了探究。研究发现,高温低湿的环境对相色管褪色老化影响最大;紫外光的照射会导致相色管固化程度提高从而出现明显的老化现象;过酸过碱的环境也会对相色管内部分子结构造成一定影响。本文结论从相色管基团变化的角度揭示了相色管老化的成因,为日后进一步研究相色管抗老化防褪色机制提供了可行方向。     

BST铁电薄膜的制备及介电性能研究

通过射频磁控溅射法,采用高温溅射、低温溅射高温退火两种不同的工艺制备了钛酸锶钡(BST)薄膜。分析两种不同的工艺对BST薄膜的结构、微观形貌及介电性能的影响。采用X线衍射(XRD)分析了样品的微观结构。采用扫描电镜(SEM)和台阶仪分别测试了样品的微观形貌和表面轮廓。通过能谱分析(EDS)得到了薄膜均一性的情况。最后通过电容-电压(C-V)曲线测试得到BST薄膜的介电常数偏压特性。结果表明,与低温溅射高温退火工艺制备的BST薄膜相比,高温溅射制备的BST薄膜结晶度好,致密性高,表面光滑,薄膜成分分布较均一。因此,采用高温溅射得到的BST薄膜性能较好。在频率300 kHz时,采用高温溅射制备的BST薄膜介电常数为127.5～82.0,可调谐率为23.86%～27.9%。     

高温快速热处理对硅中热施主的影响

研究了不同气氛(N2 、O2 、Ar)下高温快速热处理(RTP)对热施主形成和消除特性的影响.研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP ,对热施主的形成均无影响.扩展电阻的分析结果表明,热施主在硅片纵向的分布是均匀的.根据高温RTP后硅片的空位特征,认为点缺陷对热施主的形成特性无影响.同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响,发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过6 5 0℃退火即可消除,和普通的热施主消除特性相同.而N2 气氛下高温RTP的样品,6 5 0℃退火后仍有部分施主存在,经95 0℃退火才能彻底消除,这可能是由于RTP处理中发生氮的内扩散     

高温快速热处理对硅中热施主的影响

研究了不同气氛(N2、O2、Ar)下高温快速热处理(RTP)对热施主形成和消除特性的影响.研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP,对热施主的形成均无影响.扩展电阻的分析结果表明,热施主在硅片纵向的分布是均匀的.根据高温RTP后硅片的空位特征,认为点缺陷对热施主的形成特性无影响.同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响,发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过650℃退火即可消除,和普通的热施主消除特性相同.而N2气氛下高温RTP的样品,650℃退火后仍有部分施主存在,经950℃退火才能彻底消除,这可能是由于RTP处理中发生氮的内扩散,在后续热处理中形成氮氧复合体浅施主中心所致.