飞利浦新推功率MOSFET

飞利浦日前推出150V系列和200V系列新型功率MOSFET，用于LCD TV和LCD监视器的背光逆变器以及投影仪和背投电视的超高压(UHP)气体放电灯逆变器。新型功率MOSFET、采用飞利浦TrenchMOS技术，提供超高转换速度和超低逆变器导通电阻值，将转换损耗和直流电损耗降至极低，达到逆变器高效运行所需。     

飞利浦为LCD背光和投影仪推出新型功率MOSFET

皇家飞利浦电子公司日前宣布，推出新型功率MOSFET——150V系列和200V系列，用于LCD TV和LCD监视器的背光逆变器以及投影仪和背投电视的超高压(UHP)气体放电灯逆变器。这些新型功率MOSFET采用飞利浦深受赞誉的TrenchMOS技术，同时提供超高转换速度和超低RDS(on)值，将转换损耗和直流电损耗降至极低，达到逆变器高效运行所需。     

瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET

正瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150 mΩ(栅源间电压为10 V时的标称值)的600 V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600 V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率     

IR StrongIRFET MOSFET新增60 V器件

正全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。全新60 V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻(RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管,以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪     

IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列适合要求超低导通电阻的工业应用

全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司(International Rectifier,IR)近日推出具有超低导通电阻(RDS(on))的StrongIRFET功率MOSFET系列,适合各种工业应用,包括电池组、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、叉车、电     

电源转换IC可使上网本适配器空载功耗降至85mW

Power Integrations公司(PI)日前针对反激式电源设计推出了TOPSwitch-JX系列器件,新系列共由16款高度集成的功率转换IC组成,所有产品内部均集成一个725 V功率MOSFET,新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法,可提高整个负载范围内的功率效率.     

飞利浦扩展LFPAK封装的功率MOSFET系列

皇家飞利浦电子集团扩展其功率MOSFET产品系列 ,推出创新的SOT6 6 9无损封装 (LFPAK)。新LFPAK器件针对DC/DC转换器应用而设计 ,具有体积更小、效率更高、性能更加优化等特点 ,可用于众多新应用 ,如笔记本电脑、台式机、服务器、高频应用等。飞利浦的LFPAK封装MOSFET主要特点有接近于零的封装电阻和主板连接低热阻 ,以增强功率功能。MOSFET还具有低封装电感 ,从而提高了开关速度 ,使飞利浦LFPAK封装的MOSFET产品特别适用于企业计算等高频应用。小体积与卓越的热性能使功率损失降到最低 ,以帮助要求尽量减小产品体积的…     

美高森美发布用于高压工业应用的创新SiC MOSFET系列继续保持在碳化硅解决方案领域的领导地位

正致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)推出全新碳化硅(Silicon Carbide,SiC)MOSFET产品系列─1200V解决方案。该系列创新SiCMOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用,包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。美高森美拥有利用SiC半导体市场增长的良好条件,据市场研究机构Yole     

飞利浦半导体新型超小型功率开关MOSFET

飞利浦半导体推出新系列具低导通电阻的“逻辑电平”功率开关MOSFET,可用于蜂窝电话、无绳电话、膝上电脑及数字个人助理(PDA)等需省电的产品。 BSH系列功率MOSFET在标准CMOS/TTL逻辑电平驱动下,导通电阻(Rds (on))低至0.09欧姆。除因导通电阻低而节省功耗外,它还有SOT23、SOT363和TSOP6     

国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应

功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)空间使用时易遭受重离子轰击产生单粒子效应(单粒子烧毁和单粒子栅穿)。本文对国产新型中、高压(额定电压250 V,500 V)抗辐照功率MOSFET的单粒子辐射效应进行了研究,并采取了有针对性的加固措施,使器件的抗单粒子能力显著提升。结果表明：对250 V KW2型功率MOSFET器件进行Bi粒子辐照,在栅压等于0 V时,安全工作的漏极电压达到250 V;对500 V KW5型功率MOSFET器件进行Xe粒子辐照,在栅压等于0 V时,安全工作的漏极电压达到400 V,并且当栅压为-15 V时,安全工作的漏极电压也达到400 V,说明国产中、高压功率MOSFET器件有较好的抗单粒子能力。     

直接用市电运作的STARplug系列电源芯片

飞利浦半导体的STARplug系列是反激式DC/DC转换控制器,型号为TEA152x,器件中包含高压功率MOSFET开关,用它做的DC/DC转换器可以直接连到交流90V至276V电网上,最大输出功率为30W,效率最高为89～90％。输出电压精度10％,如果使用光耦合反馈控制,精度可以     

Infineon推出650V CoolMOS C6/E6高压功率晶体管

英飞凌科技股份公司推出全新的650V CoolMOS~(TM) C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOS~(TM)C6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650 V CoolMOS~(TM)C6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650 V CoolMOS~(TM)C6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源(SMPS)产品。相对于CoolMOS~(TM)C3 650V系列,全新650 V CoolMOS~(TM)C6/E6器件输...     

ST推出MDmesh V功率的MOSFET晶体管

正横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicro electronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650 V额定电压应用中可实现     

元器件与组件

专为同步降压转换器设计的30V DirectFET MOSFET，具有低Ras（on）的COOLMOS FREDFET器件，增强型PowerBridge整流器,Power MOS 8穿通型IGBT系列,20V P通道功率MOSFET.     

系列准谐振回扫式开关调节器

SenKen~(TM) STR-F6600系列离线准谐振回扫开关调节器,内置初级控制/驱动器和功率MOSFET。 对于110/115/230V的AC输入,该系列组合式器件变换功率范围从25W以下直到300W。在85～265V的AC输入下,输出功率达150W。STR-F6600系列功率开关调节器,应用范围包括电池充电器、机顶盒(STB)、监视器、CTV和工业电源等。     

Vishay的17款新器件扩充600VN沟道功率MOSFET系列

Vishay Intertechnology,Inc宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件．将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39-600mr／,将最高电流等级扩展至7-73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术,使公司进入使用功率转换技术的增量市场,包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。     

新品展台

JR全新MOSFET具备快速本体 二极管特性 功率半导体专家国际整流器公司目前推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具备快速本体二极管特性,专为零电压开关(ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源(SMPS)电路中实现最大效率,并能提高功率输出,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

飞利浦多重市场半导体推出系列新产品

飞利浦半导体将汽车电子、电源管理、接口产品、标准IC、通用产品和小信号分立器件定义为其多重市场半导体产品,也就是指可广泛用于各式应用的半导体产品。2004年上半年,飞利浦多重市场半导体销售额占飞利浦半导体全部收入的27%。近日,飞利浦多重市场半导体推出一系列新产品,包括业内最快的32位ARM微处理器、业界第一个低功率I2C通用输入输出设备以及新型功率MOSFET。飞利浦电子公司的LPC2130系列以现有32位ARMMCU双倍的速度和4倍的性能提供了具有最高成本效率的MCU。它配备了高达512K字节的128位闪存,采用了0.18微米CMOS技术、…     

TOPSwitch—JX系列电源转换IC

Power Integration推出TOP Switch—JX系列器件，新产品系列共由16款高度集成的功率转换IC组成，其内部均集成一个725V功率MOSFET，适用于设计反激式电源。