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扫描棱镜是热象仪中的重要部件之一。根据热象仪使用的不同要求设计的扫描棱镜可分为反射式和透射式两大类。为了配合热象仪试制的需要,我们开展了Ge棱镜镀多层增透膜、玻璃棱镜和铝合金棱镜镀反射膜的研制工作。本文将分别把这几种棱镜镀膜后的光学特性作一介绍。 相似文献
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Wollaston棱镜宽带减反射膜的研制及测试 总被引:4,自引:4,他引:0
针对Wollaston棱镜中o、e光对应的基底折射率相差较大以及制作该晶体的冰洲石和许多薄膜材料间附着力较差的特点,为了提高镀膜材料和冰洲石基底的附着力以及提高棱镜的透过比,拓宽有效使用带宽,借助于计算机辅助设计方法,设计了高性能多层减反射膜系。选用合适的光学薄膜材料,利用电子束蒸镀,借助于离子源辅助蒸镀,制作了高性能的宽带减反射膜。测试结果表明:o光的平均剩余反射率小于1.0%,e光的平均剩余反射率小于0.5%,有效使用带宽在近红外大于200nm;薄膜和基底结合牢固,达到了设计要求,提升了棱镜的品质。 相似文献
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本文在理论上,用角谱法分析了1.3μm InGaAsP/InP 半导体激光器腔面镀膜后的剩余反射率,并对 TE 波算出了单层近似结果。在实验上,较详细地讨论了 SiO 减反射膜的蒸镀。并通过对1.3μm 激光器前后腔面蒸镀 SiO 减反射膜而制成了超发光二极管。 相似文献
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针对高功率射频板条CO2激光器铜电极表面放电氧化、受射频放电的电子溅射,致使电极表面不光滑,辉光放电不均匀,光波导损耗严重等问题。利用Al2O3波导介质膜具有的反常色散效应、耐高温能力强的特点,采用磁控溅射镀膜技术对激光器电极表面先镀Al,而后阳极氧化获得Al2O3波导介质膜。分析了磁控溅射工艺对膜层结构的影响,测量了镀膜电极对CO2激光的反射率,并进行了放电实验检测。结果表明,溅射功率为250 W时可得到致密的镀膜层结构;厚度6μm的Al2O3薄膜,对波长10.6μm的CO2激光波导反射率最高达75%;电极镀膜后激光器输出功率在占空比为30%时为700 W,占空比为60%时达到了1300 W。 相似文献
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SnCl_4·5H_2O和SnF_2的水溶液经超声振荡雾化后喷射到高温平板玻璃衬底上热解形成掺氟二氧化锡(记作SnO_2∶F)透明导电热反射膜。喷镀时的衬底温度对膜的微观结构起决定作用。衬底温度300℃时形成非晶膜,高于400℃时形成多晶膜且结晶度随衬底温度升高而提高。结晶度高的多晶膜导电率达10~3Ω~(-1)cm~(-1),镀有多晶膜的玻璃对可见光(0.3~0.8μm)的透过率比未镀膜的玻璃仅减少10%左右,而红外(2~10μm)反射率比未镀膜的玻璃提高近4倍。膜的这种电学和光学特性与结晶程度有明显的对应性。 相似文献
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极紫外线缩小光刻它在原理方面与紫外线缩小曝光一样,在软X射线领域用高反射率的多层膜代替透镜,掩模用4~5倍的缩小刻线掩模,因为使用了厚Si基片形成多层膜,因此用同步辐射(SR)光源可以忽略热应力等影响,而且确保高精度图形,在缩小光学系统中探讨由2~4片非球面构成的光学系统。在NA0.1光学系统中曝光波长13nm,分辨率0.025μm。这时的景深分别为1.2μm,0.4μm,实际上正入射波长5nm,反射率为3%以下,难以形成高效率的光学系统,如果用正入射可以达到40%以上的反射率,曝光波长以8nm作为下限,则利用NA0.2光学系统能达到0.02μm的分辨率。 相似文献
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前言n一型单晶锗作为红外光学材料目前得到了越来越广泛的应用。这是由于它不但具有一系列优良的光学性能,也具有满意的机械强度和抗潮湿等优点。它在2~12μm光谱范围内为一高透明材料,覆盖了3~5μm,8~14μm两个大气窗口,它的折射率n较高,约为4.0,故反射率R约为0.36对于平行乎板样品,考虑多次内反射,它的平 相似文献
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在考虑了俄歇效应的情况下,用行波速率方程组研究了半导体激光器的输出功率与端面反射率的关系。给出了在不同偏置电流下使激光器输出端输出功率最大所需要的端面反射率。利用主动监控法在1.3μmInGaAsP半导体激光器端面上完成了这种功率增强膜的镀制,在所选择的60mA工作电流处,镀膜后激光器的输出功率增加了130%。 相似文献
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为适应遥感、遥测及精确制导技术的发展,我们已研制出一定性能的CdS/HgCdTe(0.3~0.5μm/3~5μm)、Si/InSb(0.3~1.05μm/3~5μm)、Si/HgCdTe(0.3~1.05μm/3~5μm)、HgCdTe/LiTaO_3(3~5μm/8~14μm)、HgCdTe/HgCdTe(3~5μm/8~14μm)等多种双色红外探测器。其中HgCdTe/HgCdTe(3~5μm/8~14μm)光导双色探测器的峰值探测率D~*(5.1,980,1)=2.1×10~(10)cmHz~(1/2)/W,D~*(9.8,980,1)=8.1×10~9cmHz~(1/2)/W, 峰值响应率R(5.1,980,1)=1.3×10~4V/W,R(9.8,980,1)=373V/W。文中介绍了双色探测器的设计、结构、制备及器件的性能水平。 相似文献
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