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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能Ｉｎ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／Ｉｎ_（０．２９）Ａｌ_（０．７１）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ研究证明，ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ的结构优于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和习用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ。在ＧａＡｓ上制备的赝配结构ＨＥＭＴ（ＰＭ－ＨＥ... 相似文献
3.
曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1994,(4)
７５～１１０ＧＨｚＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ高增益ＭＭＩＣ放大器毫米波ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＰＨＥＭＴ已在通信、雷达、灵巧武器、电子战和辐射测量系统等方面获得广泛应用。近来，以ＰＨＥＭＴ为基础的工艺技术已取得令人瞩目的进展，因而能在兼顾高性能的情... 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1994,(3)
采用缓变Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ沟道的高性能δ掺杂ＧａＡｓ／Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ ＰＨＥＭＴ近来，ＩｎｘＧａ；－ｘＡｓ三元合金已被公认为高电子迁移率晶体管有前途ｆ的沟道材料，因为它的有效质量较小，Ｆ一Ｌ间隙较大。据（（ＩＥＥ．Ｄ．Ｌ．）１９９... 相似文献
8.
Ka波段功率PHEMT的设计与研制 总被引：1，自引：1，他引：0
报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料,采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ;ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ;Ｖｐ：－ １．０～－ ２．０ Ｖ。总栅宽为７５０ μｍ 的功率器件在频率为３３ ＧＨｚ时,输出功率大于２８０ ｍ Ｗ,功率密度达到３８０ ｍ Ｗ／ｍ ｍ ,增益大于６ ｄＢ。 相似文献
9.
《固体电子学研究与进展》1999,(4)
南京电子器件研究所于１９９５年引进美国ＥＰＩ公司生产的ＭｏｄｕｌａｒＧｅｎⅡ型ＭＢＥ设备,封面展示了这一设备,该设备具有７５ｍｍ和５０ｍｍ的生产能力,所研制的ＧａＡｓ,ＡｌＧａＡｓ,ＩｎＧａＡｓ和ＩｎＡｌＡｓ材料具有良好的电特性,利用这些材料研制的ＨＦＥＴ,ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ等器件具有良好性能。生长化合物材料的MBE设备 相似文献