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《中国电子商情》2008,(4):82
Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布推出全新系列串行存在检测(Serial Presence Detect,简称SPD)EEPROM器件。它们既能支持现今高速个人计算机中最新的双倍数据速率(DDR2)DIMM模块,还可支持未来的DDR3DIMM模块。新器件编号分别为34AA02、34LC02以及34VL02(34XX02),符合SPDEEPROM器件最新的JEDEC标准,其中34VL02可支持业界任何一款SPDEEPROM的最低工作电压范围(1.5V至3,6V)。各款EEPROM均备有JEDEC标准封装,也是目前唯一采用深受欢迎的6引脚SOT-23封装的SPDEEPROM。 相似文献
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通过具体的实例说明目前的静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)人体模型测试标准EIA/JEDEC尚存在一些需要完善的问题。目前的标准EIA/JEDEC中缺少对起始测试电压的规定,导致有些测试直接从千伏(kV)量级的高压开始进行,造成一些设计不良的ESD防护器件在低压发生失效的状况可能被漏检的后果。本文研究对象为一个漏端带N阱镇流电阻(Nwell-ballast)的GGNMOS(Gate-Grounded NMOS)型ESD防护结构。用Zapmaster对它做人体模型(Human Body Model,HBM)测试,发现从1Kv起测时,能够通过8Kv的高压测试;而从50V起测时,却无法通过350V。TLP测试分析的结果显示此现象确实存在。本文详细剖析了该现象产生的机理,并采用OBIRCH失效分析技术对其进行了佐证。因该问题具有潜在的普遍性,因此提出了对目前业界广泛采用的EIA/JEDEC测试标准进行补充完善的建议。 相似文献
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《信息技术与标准化》2008,(5)
日前,JEDEC(全球半导体标准组织)委员会会议在上海举行。本次会议主要研究了DDR3 SDRAM(第三代双倍速率同步动态随机存储器)模块和支持逻辑,以及不同款式的DDR3非缓冲性UDIMM(无缓冲双列直插内存模块)桌面内存条、笔记本电脑SODIMM(小型双列直插内存模块)内存和服务器RDIMM(带寄存器的双列直插内存模块)内存,而这些将应用于正在开发的下一代消费产品中。 相似文献
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日本三菱电机公司根据JEDEC标准已制成二种16MbSRAM的产品——“M5M4V16807A”,“M5M4V164O7丸’,并于1994年2月开始销售。产品结构:I“07A为ZM字节X8位,16407A为4M字节”4位。工艺采用0.SPinCMOS,二层铝布线。电源电压为单一3.3V,CPU的钟频为100MHz,由于把数据寄存器输出弓!线间的数据总线做成Th段流水线,已实现gns以下数据传输时间。另外,在芯片内部采用装载128位数据寄存器的寄存器方式,在IO6MHZ的频率下可稳定工作。耗散电流在脉冲工作时为150mA,在待机时为2.smA(豆obMHz,VC。为3.6V),在自恢复… 相似文献
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3月5日,世界首席半导体标准化委员会—JEDEC在上海举办了记者招待会。过去五年间,JEDEC曾与中国电子标准协会(CESA)、中国半导体行业协会(CSIA)及中国电子标准研究所(CESI)等 相似文献