500V N沟道功率MOSFET

SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

Vishay Siliconix推出新型500V N沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET——SiHP12N50C—E3、SiHF12N50C～E3和SiHB12N50C—E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

Si$443DN／SiSS27DN：MOSFET

Vishay推出采用PowerPAK1212-8封装的-40VSIS443DN和PowerPAK1212—8S封装的一30VSiSS27DN器件,扩充其TrenchFETGenIIIP沟道功率MOSFET。VishaySiliconixSiS443DN在-10V和-4．5V栅极驱动下具有较低的导通电阻,是-40VP沟道GenIII器件;SiSS27DN是采用PowerPAK1212—8S封装的-30VMOSFET。     

SiR476DP：功率MOSFET

Vishay推出新型25Vn通道器件SiR476DP,从而扩展了其Gen Ⅲ TrenchFET功率MOSFET系列。SiR476DP在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为89．25nC。     

采用芯片级封装的功率MOSFET

8VN沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB采用超小的0．8mm×0．8ram芯片级封装,占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36％,而导通电阻则与之相当甚至更低。     

E系列：MOSFET

Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻,以及22A-47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术,具有超低栅极电荷,以及较低栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是衡量用在功率转换应用中     

超低导通电阻MOSFET

SiR640DP和SiR662DP是40V和60VN沟道TrenchFET功率MOSFET,两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装,具有极低的导通电阻,以及极低的导通电阻与栅极电荷乘积（FOM,优值系数）。     

具有极低导通电阻的20V N通道功率MOSFET

SiR440DP系列功率MOSFET在20V额定电压时具有低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积,在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2．0mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1．55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是DC／DC转换器应用中MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为87。SiR440DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及OR—ing应用中用作低端MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块（VRM）、服务器及使用负载点（POL）功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。     

n沟道功率MOSFET

E系列600V和650V n沟道功率MOSFET器件在10V下具有64～190mΩ的超低最大导通电阻,以及22～47A的额定电流范围。     

Vishay推出新款500V功率MOSFET

日前,Vishay宣布,推出新型500V电压的功率MOSFET-SiHP18N50C（TO-220）、SiHF18N50C（TO-220FULLPAK）、SiHG20N50C,将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。     

SiA975DJ：P沟道功率MOSFET

Vishay推出新款双路12VP沟道TrenchFET功率MOSFET——SjA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻,采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC．70封装。     

2N6660JANTX等：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60V2N6660JANTX/JANTXV和90V2N6661JANTX/JANTXV。     

Vishay Siliconix的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新款8VN沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA436DJ。该器件采用占位面积2x2mm的热增强型PowerPAKSC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFETGenIIIP沟道功率MOSFET具有极低导通电阻

VishayIntertechnology,Inc．宣布,扩充其采用超小PowerPAK0SC-70封装的‰nchFET@GenIIIP沟道功率MOSFET。今天推出的VishaySiliconixMOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2x2mm,在-4．5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V（12VVGS和20VVGS）器件中最低的。     

SiA447DJ／Si5429DU：功率MOSFET

VishayIntertechnology推出采用热增强型2mmX2mmPowerPAKSC．70封装的单路12V器件SiA447DJ,以及采用3mmX1．8mmPowerPAKChipFET封装、高度0．8mm的单片30V器件-Si5429DU,扩充其TrenchFETGenIII系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点,在4．5V下具有相应外形尺寸产品中较低的导通电阻。