如何用万用表检测功率场效应管

与晶体三级管相比,功率场效应管具有输入阻抗高,开关速度快,驱动电流小,工作电流大,热稳定性好等诸多优点。 由于场效应管的结构、原理和普通三极管不同,其检测方法也不相同。我在日常工作中用如下方法判别功率场效应管。     

场效应管的特性、检测及使用（中）

四、VMOS场效应管(V-MOSFET) 1.概述VMOS场效应管全名为垂直型金属—氧化物—半导体场效应晶体,即V-MOSFET,简称为VMOS管。该管为一种功率型场效应管,其结构如图1所示。符号有两种画法:第一种带保护稳压管的VMOS场效应管符号如图2(a)所示:另一种不带保护稳压管的符号如图     

场效应管的特性、检测及使用（上）

场效应管的外形类似普通三极管,同有三只引脚:但又不同于普通三极管,晶体三极管是一种电流控制型器件。场效应管和电子管一样都是电压型控制器件,但其体积比电子管小得多,耗电亦少得多。由于场效应管体积小、耗电少,因此不仅广泛地应用在电源(尤其节能型开关电源)、电视机、音响、通信等领域,而且应用于工业控制和高科技领     

场效应管的特性、检测及使用（下）

六、场效应管的使用由于场效应管的输入阻抗高,适用于多级放大电路的输入级,尤其对于高内阻信号源以及信号电流很小的情况下,采用场效应管才能有效地放大。场效应管是电压控制元件,当V_(DD)和R_D选定后,静态工作     

VDMOS场效应管及其特点分析

阐述了垂直导电双扩散型ＶＤＭＯＳ管的发展概况，分析了ＶＤＭＯＳ管的结构特点，工作原理，特性曲线，主要参数，归纳了它的技术特点和优势，最后介绍了在电力电子技术，计算机，音响等方面的应用。     

利用新型场效应管(QFET)的正向变换器

介绍了单端正向变换器基本电路，重点叙述带三路调节DC电压的100KHZ180W离线电源。它采用具有低导电阻RDS和低栅极电荷Qg的新型场效应管（QFET）作为变换电路的主开关器件，降低了电源开关损耗并提高了效率3%-5%。     

增强型高性能场效应管

1 引言 近年来我国火灾报警器产量猛增,目前年产量已达40万～50万探头,仅亚运村用量就以千计。报警器是有社会效益和经济效益的产品,一次准确报警可为国家节约大量财富。场效应管在报警器中起弱电流放大作用,是关键部件。它的性能直接影响报警的准确率。直到1991年DATA手册尚未出现高BV_Gs、高BV_Ds、高g_m同时具备的器件。本文研制的国产LY732场效应管其性能达到并在某些参数上超过了美国先进器件WM214的水平。     

半导体量子线场效应管研究现状及趋势

综述了Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难,并展望了进一步的发展趋势。     

一种大功率广播电视场效应管检测方法和装置

近年来,广播电视发射设备已经全面进入数字化时代.当前主流的发射设备使用的核心部件为大功率场效应管,价格昂贵、易损易坏.笔者在多年的广播电视发射设备维修实践中,总结出一种大功率广播电视场效应管检测方法和装置,对其进行分析和探讨,以期为广大广播电视维修工作者提供一种可借鉴的思路和方法.     

场效应管设计

本文概述了场效应管的分类和设计。设计按常规程序考虑，特殊的ＭＯＳ管还要考虑相关许多其它因素，以及理论与实践结合后的取舍。     

砷化镓双栅场效应管及其在微波电路中的应用

本文简述砷化镓双栅场效应管的基本特性及其在放大器、倍频器.混频器、振荡器、移相器和开关等微波电路中的应用.     

采用场效应管的开关电源

使用场效应管的开关电源较采用双极型管的开关电源优越。文章介绍了这种开关电源变压器的设计方法和场效应管的选用要求。     

自制场效应管功放

场效应管具有输入阻抗高、频率特性好、稳定性好(无二次击穿现象)、低噪声、低失真等特点,已被广泛地应用在音响电路中,用VMOS功率场效应管制成的功放,音色优美,音色比双极型晶体管功放暖,与电子管功放相似,失真小且制作容易,因此很受音响爱好者的喜爱。能拥有自制的高品质功放更是很多发烧友的梦想,因为自己动手制作功放既可以学习技术,又可以根据自己的喜好制出适合自己品位的功放,实为一种乐趣和享受。下面介绍一款简洁易制的场效应管功放。一、电路原理该电路原理如图1所示(图中只画出一个声道)。为减小     

半导体量子线场效应管研究现状及趋势

综述了 - 族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况 ,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难 ,并展望了进一步的发展趋势。