高压偏移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ＾６０－γ辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系。结果表明：；击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、票移区长度、场板长度以及漏区结构有关。另外，γ辐照志致导通电阻增加。结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制。对实验现象给出了比较圆满的解释。结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用。     

高压编移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ６０－γ，辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系．结果表明：击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、漂移区长度、场板长度以及漏区结构有关．另外，γ辐照导致导通电阻增加．结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制．对实验现象给出了比较圆满的解释．结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用．     

“二次击穿”的客观条件及保护措施

本文对大功率晶体管“二次击穿”物理过程作出了分析,并由此而设计的保护措施能够很好地解决“二次击穿”问题,在实践中取得很好的效果,可靠性水平达到97.5%,这个方案可应用于管子内部构造上,从而解决了“二次击穿”问题。     

LED伏安特性随X射线辐照的变化

测量Ｘ射线辐照对发光二极管正向电压和反向击穿电压的影响。分析了由Ｘ射线辐照引起ＬＥＤ伏安特性变化的机理。实验结果表明一定剂量Ｘ射线辐照有助于改善器件电学特性     

九五铝瓷的辐照失效研究

作为电子元器件封装材料的九五铝瓷，在电子辐照，高温及高电场条件下，观察到电导率会持续增加直至击穿这一现象，样品在辐照前后，电介质特性发生了变化，用傅里叶红外光谱法和ＴＥＭ剖析，观察了材料的辐照损伤，对辐照失效机理给出了初步的解释。     

电子辐照改善双极型开关晶体管反向击穿特性

利用1.5 Me V Dynamitron电子加速器,在常温常压下通过改变电子注量和注量率等辐射参数对双极型开关晶体管晶圆芯片进行辐照处理,在厌氧条件下进行了不同温度不同气氛的退火实验,研究了不同辐照条件和退火工艺对器件击穿特性的影响,并对不同生产厂家的产品辐照结果进行了比较。结果表明:电子辐照可将晶体管的V(BR)CEO提高约30 V,对V(BR)CBO影响较小,辐照后的器件在200℃以下击穿电压热稳定性好,满足贴片封装及高温贮存实验要求,辐照工艺可作为V(BR)CEO不合格芯片的一种补救方法。并在理论上对辐照效应进行了讨论和分析。     

GaAs基HEMT力敏结构伽马辐照损伤研究

利用60Co-γ射线对设计的GaAs基HEMT力敏结构进行了不同剂量的辐照,通过对辐照前后结构的电学特性、力敏特性分析对比,得到了γ辐照对力敏结构的损伤影响.与未辐照样品相比,90 MRad剂量辐照后HEMT力敏结构的漏极电流降低了约74％,辐照剂量高于100 MRad时,样品被击穿,失去工作特性.力敏特性测试结果表明...     

不同钝化结构开关晶体管的电子辐照退火特性

在11 MeV电子束辐照能量、不同辐照剂量和辐照退火条件下,研究了聚酰亚胺膜和氮化硅膜、二氧化硅膜、PSG膜以及它们组合形成的不同二次钝化结构的npn型开关晶体管参数(ts,hFE和两个不同电路下hFE的比值K)的差异,并分析了不同二次钝化结构电参数的差异的原因.结果表明,在降低辐照诱导的表面复合电流、提高晶体管的综合电学性能方面,纯氮化硅膜的二次钝化结构为最优选择.这种结构在存贮时间ts满足器件要求的同时,电流增益hFE和K值衰减幅度最小.这个结论有助于开关晶体管结构设计优化.     

n-GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照效应

研究了n型Au/GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照失效机理.从实验中观测到,随着电子辐照注量的不断增加,Au/GaN间辐照诱生的界面态引起器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大.辐照诱生的深能级缺陷导致紫外光探测器对较长波长光的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加.同时,对辐照后的GaN肖特基紫外光探测器进行了100℃以下的退火处理,退火后,器件的电流-电压特性有所改善.     

用激光辐照工艺制造肖特基势垒

用CWCO_2激光器辐照Al-Si系统,制成了肖特基势垒。介绍了这些二极管的电特性,其反向击穿电压可与普通的P~+-n结二极管相比较,并具有较大的势垒高度、较小的开启电压和好的整流特性。     

关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究

在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则：基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法。同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响。给出了仿真结果。     

齐纳二极管电子辐照特性研究

研究了电子辐照前后齐纳二极管在不同温度下的直流参数特性以及其动态响应。根据直流伏安特性提取齐纳管理想因子n,发现高注量下n有明显增大,表明辐照引入了复合中心。该器件室温下的直流参数稳定,辐照引起的变化不明显;较高温度下,击穿电压和正向压降等变化稍大。在动态响应的研究中,瞬态电压消失后,电流迅速减小并产生了随时间衰减的振荡。高注量的样品振荡时间相较于低注量的样品有明显的延长,这个延长在器件室温存放之后发生了消退。     

用于DC／DC转换器的肖特基二极管^60Co γ辐照实验研究

对DC／DC电源模块中的肖特基二极管进行了^60Co γ辐照实验，详细研究其正反向特性和1/f噪声的总剂量效应。实验发现，辐照没有明显引起正向特性变化，但使得反向击穿电压减小，漏电流变大，1／f噪声剧烈增加。基于隧穿效应的分析表明，发现辐照诱生新的界面态及界面态密度分布的变化调制了肖特基势垒高度，是引起器件性能退化主要原因。     

一种抗辐照SOI反相器

制备了一种抗辐照SOI反相器,增加了一个上拉pMOS1和一个额外的nMOS1. 当受到辐照后,pMOS1和nMOS1输出的高电平使下级输出管的源漏电压减小,降低了漏电流,有效地提高了输出端“高”电平. 实验证明,该反相器在经受6e5rad(Si)的辐照后,输出“高”电平仍然未下降.     

γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响

研究了射线辐照对130 nm部分耗尽（Partially Depleted,PD）绝缘体上硅（Silicon on Insulator,SOI）工艺MOS器件栅氧经时击穿（Time-Dependent Dielectric Breakdown,TDDB）寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲线、阈值电压、关态泄漏电流以及TDDB时间等电参数,分析了射线辐照对PD-SOI MOS器件TDDB可靠性的影响。结果表明:由于射线辐照在栅极氧化层中产生了带正电的氧化物陷阱电荷,影响了器件内部势垒的分布,降低了电子跃迁的势垒高度,导致了电子遂穿的正反馈作用增强,从而缩短了器件栅氧化层经时击穿时间,最终造成器件栅极氧化层的可靠性下降。     

VDMOSFET二次击穿效应的研究

在PDP驱动电路中高压功率器件大量采用了VDMOS器件，由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象，并着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因，提出了改善其二次击穿现象的措施。用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数因素对功率晶体管VDMOS二次击穿的影响。     

p沟VDMOS的设计及抗辐照特性研究

借助半导体仿真工具Silvaco中所提供的工艺摸拟器(Athena)和器件摸拟器(Atlas),及L-Edit版图设计工具,设计了一款击穿电压高于-90 V、阈值电压为-4 V的p沟VDMOS器件。经实际流片测试,器件的导通电阻小于200 m!,跨导为5 S,栅-源泄漏电流和零栅电压时的漏-源泄漏电流均在纳安量级水平,二极管正向压降约为-1 V。采用2-D器件仿真方法以及相关物理模型对所设计的p沟VDMOS器件的单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅击穿(SEGR)效应进行了分析和研究,并通过对所获得的器件样片采用钴-60"射线源进行辐照实验,研究了在一定剂量率、不同总剂量水平条件下辐照对所研制的p沟VDMOS器件相关电学参数的影响情况。     

晶体管的二次击穿及检测

晶体管的二次击穿线是构成其安全工作区（SOA）的重要曲线,作者对该问题进行了多年的探讨和实验。文章详尽地论述了二次击穿的机理是由于电流或电压应力所引起的破坏性结果。简要叙述了芯片材料、制造与组装工艺对二次击穿的影响,指出了器件的电性能、应用电路以及环境温度与二次击穿的关系,从而为晶体管避免二次击穿提供了方向。最后介绍了...     

DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型

提出了一种DMOS辐照正空间电荷闽值电压模型。基于沟道杂质的非均匀分布，借助镜像法，导出辐照正空间电荷与沟道电离杂质的二维场和二维互作用势；求解泊松方程，由此给出DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型表示式。该模型的解析解与MEDICI仿真的数值解吻合。     

不同的辐照方法对钴^60辐照红细胞的损伤

目的：评估不同的辐照方法对MAP保存液中红细胞造成的影响及存储损伤。方法：将滤除白细胞的红细胞悬液分三组．对照组不予辐照,即刻辐照组在采集后立刻辐照,14日辐照组在保存14日后进行辐照。在储存期的1、7、14、21、28、35天检测三组红细胞钾离子浓度、平均细胞体积及红细胞刚性指数,结果：辐照前14日辐照组刚性指数升高缓慢,辐照后升高加速,但至第35天时仍低于即刻辐照组。这种变化规律同样可以见于MCV与钾离子浓度检测。结论：血站发血前辐照红细胞悬液的方法是合理的。