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自支撑Mg靶膜的制备 总被引:1,自引:2,他引:1
用真空蒸发法成功制备了170.0~196.1μg/cm^2的薄自支撑Mg靶膜和90~95μm的厚自支撑Mg靶膜。甜菜碱是制备Mg靶膜有解离剂,讨论了真空蒸发制靶过程中的主要技术难点。 相似文献
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对同位素Ni靶的制备工艺进行了研究。通过对电沉积过程中影响靶膜生长质量的因素与靶膜厚间的关系实验,确定出最佳制备工艺条件。用最佳工艺条件制备出了品质优良的大面积Ni同位素自支撑靶膜。 相似文献
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研究了磁控溅射工艺参数对Au膜生长速率、表面粗糙度和微观结构的影响。结果表明:当溅射功率低于200W时,溅射功率对薄膜表面粗糙度、微观结构的影响不明显。标定了溅射功率为20W条件下的Au膜生长速率,观察了Au的生长过程,在Si基底沉积的Au为岛状(Volver-Weber)生长模式,Au膜厚度为8nm时,薄膜开始连续。晶粒尺寸与薄膜厚度的关系研究结果表明:在生长初期,晶粒尺寸随厚度线性增大;随后,晶粒尺寸增速变缓,直至停滞;趋于70nm时,新晶粒形成取代晶粒长大。 相似文献
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几种稀土金属自支撑靶膜的制备及其保存 总被引:1,自引:0,他引:1
在新核素合成、^153Er(EC+β^+)研究、三裂与核温度测量,中能重离子碰撞中巨共振实验中,需要稀土Nd,Yb,La,Tb,Gd金属自支撑靶膜,要求厚度为0.8mg/cm^2以上,靶孔为Φ15-30mm。采用滚压方法进行这几种靶的制备。 相似文献
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根据钾在C60晶体中的扩散系数分析了在C60单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对据此制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确定为K3C60单晶,并首次观察到K3C60的能带色散。 相似文献
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Be蒸发室的结构示于图1。钟罩的高度为70cm,直径为45cm。通过蒸发室的观察窗可观察Be的蒸发过程。从Ta舟出来的Be蒸汽不会进入钟罩内,从而减少了Be对设备的污染。 相似文献
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Maxman介绍过从铂管舟里蒸发三氧化钨(WO_3)的方法。我们在钨、钼、钽、锆等各种高温材料做成的V形舟里,做过蒸发二氧化钨的实验,但均未取得满意的结果。试用氧化铝和氮化硼作坩埚蒸发三氧化钨也不好。要制备3~25mg/cm~3以上的厚靶,更为困难。主要原因是二氧化钨粉末在蒸发过程中极易从舟中突然蹦跳出来,致使蒸发收集量极微,甚至完全失败。 相似文献
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介绍了供多中子转移反应实验用的金属Li靶膜的制备方法及条件;金属Li表面石蜡油的清洗及清洗剂的选择;简述了Li靶的保存方法。 相似文献
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为准确测量10B(n,α)7Li和10B(n,t2α)的反应截面,需制备质量厚度为50~350 μg/cm2的10B靶。本文系统研究了同位素10B靶的制备工艺,确定了“压片-烧结-蒸发”三步法制备10B靶。研究了基片温度对10B膜生长过程、结构和膜基结合力的影响,测试和分析了10B靶的不均匀性。结果表明,利用间歇式静电聚焦微调电子轰击法制备同位素10B靶,蒸发速率应低于0.02 μg/(cm2·s);灯丝平面与10B柱的最佳距离为10.5~11 mm;生长的10B膜随基片温度的升高而致密并逐步结晶,膜基结合力也更好,最佳基片温度约为300 ℃。对于尺寸为Ø80 mm同位素10B靶的制备,不均匀性可控制在10%以内。已经成功在Ta和Al基片上制备了厚度<350 μg/cm2的10B靶用于核物理实验测量。 相似文献