无依托单晶金膜

我校束箔光谱组在研究束箔相互作用引起的原子和原子核极化机制的工作中,需要厚度仅500A的无依托单晶金靶,而且要求其表面平整、连续性好。我们采用异质外延法。首先在云母基板上外延制备单晶银膜,继而以单晶银膜为衬底,蒸发黄金,制备单晶金膜。最后,用酸蚀法使银腐蚀掉,获得无依托单晶金膜。     

自支撑Ca靶膜的制备

用真空蒸发方法成功制备了自支撑Ｃａ靶,在充Ａｒ气手套箱中剥离靶膜,基片的选择,材料的清洗,快速操作和Ａｒ气保护是制靶的关键。     

自支撑Mg靶膜的制备

用真空蒸发法成功制备了１７０．０～１９６．１μｇ／ｃｍ＾２的薄自支撑Ｍｇ靶膜和９０～９５μｍ的厚自支撑Ｍｇ靶膜。甜菜碱是制备Ｍｇ靶膜有解离剂,讨论了真空蒸发制靶过程中的主要技术难点。     

快点火靶金锥制备工艺

锥壳靶是惯性约束聚变快点火实验研究中的一种重要靶型。本工作采用精密车床加工与电镀技术制备锥壳靶用不同角度的金锥。主要介绍金锥电镀金层的制备工艺,讨论了电镀液配方、pH值、镀前处理、尖端效应等对金锥金层质量的影响。     

同位素Ni靶膜制备工艺研究

对同位素Ｎｉ靶的制备工艺进行了研究。通过对电沉积过程中影响靶膜生长质量的因素与靶膜厚间的关系实验，确定出最佳制备工艺条件。用最佳工艺条件制备出了品质优良的大面积Ｎｉ同位素自支撑靶膜。     

磁控溅射制备纳米厚度连续金膜

研究了磁控溅射工艺参数对Au膜生长速率、表面粗糙度和微观结构的影响。结果表明:当溅射功率低于200W时,溅射功率对薄膜表面粗糙度、微观结构的影响不明显。标定了溅射功率为20W条件下的Au膜生长速率,观察了Au的生长过程,在Si基底沉积的Au为岛状(Volver-Weber)生长模式,Au膜厚度为8nm时,薄膜开始连续。晶粒尺寸与薄膜厚度的关系研究结果表明:在生长初期,晶粒尺寸随厚度线性增大;随后,晶粒尺寸增速变缓,直至停滞;趋于70nm时,新晶粒形成取代晶粒长大。     

U形靶框-双层结构碳剥离膜制备

本研究涉及用于兰州重离子加速器冷却储存环上的碳剥离膜的制备方法。该剥离膜采用特殊的U形靶框和双层结构，使膜的强度大为加强，以提高高真空条件下剥离膜使用寿命。采用碳弧法制备的剥离膜的有效面积较大，为10cm²，质量厚度约为150μg/cm²。碳剥离膜的X衍射谱测试结果表明，膜上的碳以非晶体石墨形式存在。     

几种稀土金属自支撑靶膜的制备及其保存

在新核素合成、＾１５３Ｅｒ（ＥＣ＋β＾＋）研究、三裂与核温度测量，中能重离子碰撞中巨共振实验中，需要稀土Ｎｄ，Ｙｂ，Ｌａ，Ｔｂ，Ｇｄ金属自支撑靶膜，要求厚度为０．８ｍｇ／ｃｍ＾２以上，靶孔为Φ１５－３０ｍｍ。采用滚压方法进行这几种靶的制备。     

铁靶的制备

为了制得比较厚的、均匀的铁靶,我们利用了电阻加热法和蒸发角度小、蒸发较为集中的V形坩埚(0.2×7×74mm厚的钨片制成)。接收底板装在转动的托盘上。在底板上开有31个小孔,放有31只铜碗,每只碗内放一块铝衬底,并压上一块“多孔槽区块”,防止铝衬底因转动而飞出。同时,对450-B高真空镀膜设备的电极进行了改装,使得收集衬底和蒸发坩埚之间的距离为75mm。铁的蒸发比较容易,控制蒸发电流和时间,大体上能够控制薄膜的厚度。铁的装量低于钨坩埚重量的35％时,得到的铁靶比较理想。为了使铁膜牢固地附着在铝衬底上,铝衬底的清洗非常重要。     

K3C60单晶膜制备及同步辐射光电子谱表征

根据钾在C60晶体中的扩散系数分析了在C60单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对据此制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确定为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。     

阻抗匹配靶制备及靶参数精密测量

通过精密轧机轧制Al、Cu、Au等高纯金属箔片,采用精密微装配技术获得应用于激光状态方程实验所需的阻抗匹配靶。运用台阶仪和白光干涉仪分别对阻抗匹配靶进行靶参数精密测量。在“神光Ⅱ”上进行阻抗匹配的实验打靶,获得了相关靶型的实验图像。     

红磷薄靶的制备

本文介绍用真空蒸发制备红磷薄靶的一种方法,其特点是当蒸发磷时上面装一个红热钨板阻止黄磷的生成。1.引言在核物理实验中,常常需要各种薄靶。这种薄靶(如碳、钾、钙、铝、银、金等靶)通常用直接真空蒸发法制备。然而,对于磷,此法会生成黄磷,放在空气中会引起自燃。因此,此法不能直接用来制备红磷靶。     

真空蒸发制备Be靶

Be蒸发室的结构示于图1。钟罩的高度为70cm,直径为45cm。通过蒸发室的观察窗可观察Be的蒸发过程。从Ta舟出来的Be蒸汽不会进入钟罩内,从而减少了Be对设备的污染。     

同位素Mg靶的制备

文章介绍了＾２４ＭｇＯ转换成金属小球的还原技术以及同位素Ｍｇ的３种制备方法，即轧法，电阻加热法和聚焦重离子溅射法。滚轧法适用于制备〉０．１５ｍｇ／ｃｍ＾２的自支撑＾２４Ｍｇ靶，而后２种方法主要用来制作有衬底靶。     

三氧化钨靶的升华制备

Maxman介绍过从铂管舟里蒸发三氧化钨(WO_3)的方法。我们在钨、钼、钽、锆等各种高温材料做成的V形舟里,做过蒸发二氧化钨的实验,但均未取得满意的结果。试用氧化铝和氮化硼作坩埚蒸发三氧化钨也不好。要制备3～25mg/cm~3以上的厚靶,更为困难。主要原因是二氧化钨粉末在蒸发过程中极易从舟中突然蹦跳出来,致使蒸发收集量极微,甚至完全失败。     

射流圆孔靶的制备和靶参数测量

介绍了X射线激光射流实验中Al和CH两种射流圆孔靶的制备方法。分别采用精密机械和皮秒激光加工工艺在Al和CH薄膜上制备精密、微小的圆孔,再通过精密装配的方法获得射流圆孔靶。使用白光干涉仪和小型量测仪对射流圆孔靶进行靶参数测量,测量图像和数据表明,Al和CH薄膜圆孔的孔径较圆且两面大小一致性较好,靶的两层薄膜分界面清晰且连接紧密。     

等熵稀疏靶的制备及靶参数精密测量

本工作研究等熵稀疏靶的制备工艺和靶参数的测量方法.采用精密激光加工工艺将Al、Au、Ag、Cu、Zn等高纯金属薄膜切割成百微米量级宽度的窄条,再结合精密微装配技术获得应用于状态方程实验所需的等熵稀疏靶.运用白光干涉仪对等熵稀疏靶进行参数精密测量.将等熵稀疏靶运用到"神光Ⅱ"上进行实验打靶,并获得优质的实验图像.     

快中子金属锂靶的制备方法

介绍了供多中子转移反应实验用的金属Li靶膜的制备方法及条件;金属Li表面石蜡油的清洗及清洗剂的选择;简述了Li靶的保存方法。     

同位素10B靶的制备

为准确测量¹⁰B(n,α)⁷Li和¹⁰B(n,t2α)的反应截面,需制备质量厚度为50～350 μg/cm²的¹⁰B靶。本文系统研究了同位素¹⁰B靶的制备工艺,确定了“压片-烧结-蒸发”三步法制备¹⁰B靶。研究了基片温度对¹⁰B膜生长过程、结构和膜基结合力的影响,测试和分析了¹⁰B靶的不均匀性。结果表明,利用间歇式静电聚焦微调电子轰击法制备同位素¹⁰B靶,蒸发速率应低于0.02 μg/(cm²·s);灯丝平面与¹⁰B柱的最佳距离为10.5～11 mm;生长的¹⁰B膜随基片温度的升高而致密并逐步结晶,膜基结合力也更好,最佳基片温度约为300 ℃。对于尺寸为Ø80 mm同位素¹⁰B靶的制备,不均匀性可控制在10%以内。已经成功在Ta和Al基片上制备了厚度<350 μg/cm²的¹⁰B靶用于核物理实验测量。