高速光调制器的技术突破

介绍近期国内外有关光外调制器研究的最新成果.主要包括循环铌酸锂调制器、多量子阱调制器及电吸收调制器.其中循环铌酸锂Mach-Zehnder调制器的调制频率高达180 GHz.     

发展1.55μm LiNbO3光调制器

最近几年,宽带光通信系统的需要刺激了对高速集成电光器件的研究和发展,其中研制成功的最重要的器件之一是宽带电光调制器。宽带电光调制器是用高速电信号调制激光器来发射光波,利用光波实现高速大容量信息传输。宽带电光调制器按波导的外形结构可分为Y分支型和MZ干涉仪型,它们大多数是用     

基于铌酸锂调制器的超短光脉冲源的研究

提出了一种基于商用化的铌酸锂调制器产生超短光脉冲的方法.直流光依次经过相位调制器和强度调制器调制,利用色散补偿光纤(DCF)和梳状色散光纤链(CDPF)对调制产生的光脉冲分别进行啁啾补偿、非线性压缩.压缩后的光脉冲注入高非线性光纤(HNLF),利用其自相位调制效应(SPM)展开脉冲光谱后滤波,可以有效地消除光脉冲的基座,实现光脉冲的整形.获得了10GHz的1.8ps无基座近变换极限光脉冲.     

40GHz铌酸锂电光调制器

本文遵循减小损耗的思路 ,提出了复合电极的结构,设计制做了这种电极结构的调制器并进行了分析.实验测得微波传输损耗系数α0＜0.3 dB/[cm(GHz)1 /2],在29～38 GHz内相对调制指数变化约3.5 dB.     

高速铌酸锂电光调制器研究进展

薄膜铌酸锂调制器因其小尺寸、高带宽、低半波电压等优点,成为近年来业内关注的热点。文章梳理了铌酸锂电光调制器的波导结构、电极结构及偏置点控制技术三个方面的相关研究进展,分析了平面掩埋、脊型、光子晶体等三种不同结构波导的调制器性能,讨论了铌酸锂调制器集总和行波两种电极结构的特点及其设计考量因素,对比了电光调制器偏置点控制中功率法和导频法的优缺点及其相关研究成果。在此基础上,进一步分析了为实现更小体积与更高带宽铌酸锂调制器所需的关键技术以及未来的研究方向。     

基于LiNbO3调制器的高速时钟信号的提取

对在高速光时分复用系统中(2×10 GHz)基于铌酸锂(LiNbO3)调制器的注入光电混合振荡器的时钟提取方法进行了实验验证,提取的时钟抖动小于0.5 ps.实验分析了入射光功率、LiNbO3调制器的开关窗口及复用信号非等幅和延时不等时对时钟信号的影响,为未来应用于更高速率的光时分复用系统中支路信号的时钟提取提供了实验依据.     

Optical Waveguide Modulators

A tutorial survey of recent work on optical waveguide modulators in electrooptic, acoustooptic, and magnetooptic materials is presented. Methods for realizing waveguiding layers in modulating materials and various modulator configurations are considered.     

基于电光聚合物材料的光圆偏振调制器的研制

设计并研制了基于电光聚合物光波导的光圆偏振调制器(CPM)。所研制器件的TE TM偏振模式均衡器部分能够实现TE模与TM模间90%的偏振转换效率,这为器件输出光波的偏振分量均衡提供了相当大的调节范围。在均衡了波导中TE模与TM模的基础上,实验表明,器件的TE TM相位差调制器部分实现了很好的光波圆偏振调制输出特性。所测得的输出线偏振光中,45°与-45°斜角方向偏振分量的消光比大于25dB。基于接触式电极化法所获得的电光特性,TE TM偏振模式均衡器部分的偏振转换周期电压约为230V,TE TM相位差调制器部分的调制特性曲线周期约为192V。     

Recent Progress in High-Speed Silicon-Based Optical Modulators

The evolution of silicon optical modulators is recalled, from the first effect demonstrations to the characterization of high-performance devices integrated in optical waveguides. Among possibilities to achieve optical modulation in silicon-based materials, the carrier depletion effect has demonstrated good capacities. Carrier depletion in Si and SiGe/Si structures has been theoretically and experimentally investigated. Large phase modulation efficiency, low optical loss, and large cutoff frequency are obtained by considering simultaneously optical and electrical structure performances. Integrated Mach-Zehnder interferometers and resonators are compared to convert phase modulation into intensity modulation. Finally, recent results on high-speed and low-loss silicon optical modulator using an asymmetric Mach-Zehnder interferometer are presented. It is based on a p-doped slit embedded in the intrinsic region of a lateral pin diode integrated in a silicon-on-insulator waveguide. This design allows a good overlap between the optical mode and carrier density variations. An insertion loss of 5 dB has been measured with a -3 dB bandwidth of 15 GHz.     

非对称Mach－Zehnder干涉型集成光学电光调制器的温度稳定性分析

本文对Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ干涉型集成光学电光调制器的温度稳定性进行了定量分析，结果表明非对称Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ调制器同样具有非常好的温度稳定性。     

纹影光学影用液晶相调器

本文描述了四种不同类型的液晶相调器的原理及其光学特性，这四种液晶相调器是；非扭曲ＬＣ盒、扭曲ＬＣ盒、串联盒，以及ＬＣ盒－相延器－反射镜组合盒。     

新型光纤的技术发展及应用

介绍了国际上最新的通信光纤技术发展情况，包括新型多模光纤、单模光纤的制造技术及其应用。文章还详细地介绍了国内外最新类型的特种光纤及其发展、应用。此外，对我国光通信技术现状、发展和趋势也作了一定程度的阐述。     

InGaAlAs Multiple-Quantum-Well Optical Phase Modulators Based on Carrier Depletion

We fabricated carrier-depletion-type optical phase modulators which contain an InGaAlAs multiple-quantum well (MQW) in a p-n junction, and investigated their phase modulation characteristics at the wavelengths of 1.55-1.62 mum under reverse biased conditions. Fabricated devices showed large modulation efficiencies up to 89deg/mm/V and smaller wavelength-dependence than that of conventional MQW phase modulators. Carrier-depletion-type optical phase modulators are attractive for optical integrated devices such as optical matrix switches for future wavelength-division-multiplexing photonic networks.     

新型反射式光纤位移传感系统的研制

普通反射式光纤位移传感器的测量范围小，若用单片机对不同类型光纤位移传感器的输出信号进行处理，可研制一种新型光纤位移传感系统，使测量范围得以扩大。