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《电子工业专用设备》1984,(3)
<正> 中国电子学会第二届全国半导体专用设备学术会,将于1985年春季召开。这次会议的论文集现已编印完毕,除满足会议代表使用外,尚有少量剩余。该论文集共收编有关半导体专用设备的学术论文五十余篇,内容广泛、新颍,是一册较有参考价值的科技资料。 相似文献
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须轮 《固体电子学研究与进展》1982,(2)
<正>中国电子学会半导体与集成技术专业学会和电子材料学专业学会于1981年12月12日至18日在广州联合举办了第二届全国半导体集成电路和硅材料学术会议.参加会议的论文共有263篇,其中半导体集成电路方面的双极型电路42篇,MOS电路45篇,半导体工艺59篇,工艺监控与测量33篇;硅材料方面的硅单晶质量23篇,硅材料物理性质24篇,外延生长26篇,半导体专用设备11篇.论文分开在8个小组中宣读.会议请王守武、林兰英、黄敞和王守觉四位教授分别作了大会特邀报告. 相似文献
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徐稼迟 《固体电子学研究与进展》1985,(1)
<正>中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学会于1984年12月4日至8日在四川省永川市举行第三届全国半导体化合物材料、微波和光电器件学术会议.参加会议的代表来自39个单位、共127名.会上宣读的论文共150篇,其中大会报告8篇,有关化合物半导体材料的论文63篇,微波器件方面的25篇,光电器件方面的42篇,其它通用工艺的论文12篇. 相似文献
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王茂森 《固体电子学研究与进展》1983,(1)
<正>中国电子学会半导体与集成技术学会、电子材科学会和中国空间科学会于1982年12月2至6日在昆明联合举办第二届全国半导体化合物材料、微波和光电器件学术会议.参加会议的代表来自37个单位,共156名.会上宣读的论文共124篇;共中大会报告五篇,其余119篇 相似文献
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<正> 由中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学学会联合主办的第二届《全国集成电路和硅材料学术年会》已于一九八一年十二月十二日至十七日在广州召开.出席会议的代表有370名. 年会收到学术论文报告330篇,其中263篇分别在硅材料质量研究、硅材料物理及测试,双极电路、MOS电路、集成电路工艺、CAD测试与专用设备、工艺监控与理论分析、CVD和激光退火等8个分会上进行了交流,王守武、林兰英、王守觉、黄敞在大会上分别作了题为《介绍国外大规模和超大规模集成 相似文献
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景佩苏 《固体电子学研究与进展》1988,(2)
<正> 由中国电子学会半导体与集成技术学会、中国电子学会电子材料学学会和福建省科委联合举办的第五届全国集成电路和硅材料学术年会于1987年11月24日至28日在福建省福州市举行。出席会议的高等院校、研究所、工厂的代表300余人,国内一些知名的学者、专家参加了会议,并作了专题学术报告。 大会对收到的论文邀请学者、专家和科技人员进行评审,会议出版了“第五届全国半导体集成电路和硅材料学术会议论文集”。共收入论文报告306篇,其中特邀报告7篇,硅材料及其性质研究40篇,理化分析44篇,MOS集成电路研究82篇,双极型集成电路研究38篇,集成电路工艺95篇。 相似文献
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由中国电子学会生产技术学会“三束”专业委员会、半导体与集成技术学会超微细加工及“三束”学组联合召开的第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会于1984年11月2-5日在北京香山举行。来自全国各地的高等院校、科研单位、工厂共98个单位,258名代表参加了会议. 中国电子学会半导体集成技术学会主任委员王守武同志致开幕词,国务院电子振兴领导小组办公 相似文献
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<正> 中国电子学会半导体与集成技术学会委托四机部1424所筹备的全国中、大规模集成电路设计及分析学术会议于1981年11月28日至12月3日在昆明市召开.在云南省科委、电子局领导机关的关心和云南省半导体器件厂的大力支持下,学术会议开得比较成功. 来自全国近80名代表参加了这次会议.会议共收到论文摘要108篇,在会上报告了44篇.通过这次学术会议,可以看到我国中、大规模集成电路的设计、研制、分析测试及计算机辅助设计技术已有了较大的进展,其中双极256位、1024位 ROM;MOS 4K静态、16K动态随机存贮器的研制成果, 相似文献
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经中国电子学会批准,由中国电子学会半导体与集成技术学会超精细加工学组与中国电子学会生产技术学会“三束”学组联合召开的全国第四届电子束、离子束、光子束学术年会将于今年四季度召开。本届年会将总结、交流“三届”年会以来在电子束、离子束和光子束的设备及微细加工工艺技术方面的研究与应用成果与进展。具体内容如下: 相似文献
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王茂森 《固体电子学研究与进展》1991,11(1):79-81
<正>由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第六届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术年会,于1990年10月29日至11月3日在湖南省大庸市科技中心召开.参加这次学术年会的有来自全国71个单位的304人.本届会议共收到论文368篇,录用286篇,其中特邀报告29篇.会上宣读219篇,大会特邀报告5篇.它们是自然科学基金委员会许振嘉研究员的“GaAs表面能谱研究”;中国科学院半导体研究所副所长郑东研究员的“第三届国际亚太微波会情况”;河北半导体研究所副所长梁春广高级工程师的“GaAs HEMT 相似文献
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田尔文 《固体电子学研究与进展》1984,(2)
<正>中国电子学会半导体与集成技术学会和微波学会联合召开的砷化镓场效应管(GaAsFET)研制与应用、微波集成电路(MIC)结构与工艺学术讨论会,于1984年5月7日至11日在福建省泉州市举行.会议由南京固体器件研究所、上海微波技术研究所和泉州半导体器件厂共同组织,到会有来自全国的研究所、工厂、部队和大专院校42个单位的科技人员、教授和专家76人.会议收到有关GaAs FET的论文报告共30篇,会上宣读26篇,其中器件设计制造和测试分析5篇,放大器18篇,振荡器和高频头5篇,计算机应用2篇;有关MIC结构与工艺论文报告共34篇,会上宣读21篇,其中工艺研制8篇,设备改进3篇,基片材料3篇,综述和电路应用7篇.还有“微波集成电路技术及工艺的进展”和“FET微波宽带放大器综述”两个动态水平报告. 相似文献
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<正> 中国电子学会压敏学组筹备委员会会议1986年12月19日在陕西咸阳召开,五个单位共七位代表参加了会议。 会上,压敏学组组长、国营七九五厂副总工程师巫智芳传达了中国电子学会敏感技术学 相似文献
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由中国电子学会生产技术学会三束学组和中国电子学会半导体与集成技术学会超微细加工及三束学组联合举办的第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会于1984年11月2日—5日在北京举行。来自全国98个单位的258名代表出席了本届年会,会上 相似文献