ZnO压敏电阻片残压比与微观结构参数的关系

实验研究了厚度ｄ 对ＺｎＯ压敏电阻片残压比Ｋｒ 的影响规律， 表明残压比同样存在几何效应；实验还表明残压比Ｋｒ 随电位梯度Ｅ１ｍ Ａ成反比例下降，随平均晶粒尺寸μ的增大而增大； 找到了一个综合微观结构参数 平均晶粒尺寸μ和晶粒尺寸方差σ２ 的乘积（σ２μ）， 能较好地反映电性能与微观结构参数的关系。提出了计算机模拟微观结构模型，并用计算机模拟了残压比Ｋｒ 和厚度ｄ、Ｋｒ 和平均晶粒尺寸μ以及Ｋｒ 和乘积σ２μ的关系， 模拟结果与实验结果基本一致     

添加剂粉料的颗粒度对ZnO压敏电阻通流能力的影响

ＺｎＯ压敏电阻的原材料中，除了主原料ＺｎＯ粉的颗粒形状和大小对压敏电阻性能产生影响外，添加剂粉料的颗粒度也会对压敏电阻性能产生影响，尤其会影响压敏电阻的通流能力。本文采用液相化学方法制备了颗粒细的添加剂粉，结果表明，采用液相化学方法对添加剂进行处理是提高压敏电阻通流能力的一条有效途径。     

化学合成法制备ZnO压敏电阻的研究

化学合成法是一种制取超细、均匀分布粉体的有效方法。本文综述了化学合成法在制备ＺｎＯ压敏电阻粉体方面的应用研究，并对其性能进行了概述。其中包括化学共沉淀制取ＺｎＯ压敏电阻粉体、ＥＤＳ（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｖｅ　Ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）法制取ＺｎＯ压敏电阻粉体和溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法制取ＺｎＯ压敏电阻粉体。还对化学合成法制取ＺｎＯ压敏电阻粉体材料的发展作了概述。     

提高ZnO电阻片性能的研究

本研究着重进行了配方组成、ＺｎＯ预处理、电阻片规格尺寸、成型工艺等方面的研究。实践证明，ＺｎＯ原料本体的预处理，添加适量的Ａｌ３＋和采用相应的工艺条件，能降低ＺｎＯ晶粒本体电阻，可以改善ＺｎＯ电阻片在大电流下的非线性特性，并且根据配方组成，确立了合理的成型制度，提高了性能，在国内达到了较高的水平。     

BaO—ZnO—La2O3—B2O3系统玻璃结构的研究

ＺｎＯ－Ｌａ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３玻璃具有高折射、低色散的特点。但该系统玻璃容易析晶失透，常需加入一些高价金属氧化物，如Ｖ２Ｏ５，Ｎｂ２Ｏ５等。本研究通过加入ＢａＯ，提高了该系统的玻璃形成能力。研究表明，加入少量的ＢａＯ，使玻璃网络中〔ＢＯ４〕和〔ＺｎＯ４〕数量上升，非桥氧数量下降，玻璃网络趋于稳定，玻璃形成能力提高。实验表明，在ＢａＯ－ＺｎＯ－Ｌａ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３玻璃网络中Ｚｎ＾２＋离子的配位与ＢａＯ     

高能ZnO压敏电阻15kJ能量测试开裂现象和岩矿相组织关系的研究

根据高能ＺｎＯ压敏电阻在１５ｋＪ能量容量测试时出现的开过失效模式，研究了在实际生产条件下，氧化锌阀片的岩矿相组织和开展现象的对应关系。结果表明，阀片中晶粒粒径的分布，晶粒边界受熔融相浸润的程度，晶粒的形态轮廓和阀片的能量吸收能力有着较明显的关系．     

小尺寸大电流ZnO非线性电阻片的研制

小尺寸、大通流ＺｎＯ电阻片是一种流行趋势。本文采用优化电阻片配方及工艺，增涂低温玻璃釉的方法，有效地提高了ＺｎＯ电阻片耐受大电流冲击的能力。     

定电压测漏电流对ZnO压敏电阻器测试合格率的影响

通过对ＺｎＯ压敏电阻器几个典型品种在不同荷电率下的漏电流测试，研究了定电压下测量漏电流对压敏电阻测试合格率的影响。同时， 对实验结果及该测试条件下配方及元件尺寸的影响进行了简单的讨论     

冲击电流引起ZnO阀片破裂的研究

从力学角度分析了ＺｎＯ避雷器阀片在冲击电流作用下受热时的应力，并从理论和实验两方面进一步分析了外界应力对阀片热应力破坏的影响，研究认为增大均匀施加的外界压应力能阻碍阀片在冲击电流作用下出现裂纹，因此增加弹簧的压紧力能改善整支避雷器质量稳定性。     

提高ZnO压敏电阻片能量耐受能力的方法与途径

综述了近来国内外提高ZnO压敏电阻片能量耐受能力的方法和途径，其中改善ZnO电阻片的结构均匀性和成分均匀性是提高能量耐受能力的关键，电流密度分布的均匀性有一定影响。因此，为了改善结构均匀性和成分均匀性，必须开展粉料和浆料制备技术的深入细致的研究工作。     

冲击电波引起的ZnO阀片破裂的研究

从力学角度分析了ＺｎＯ避雷器阀片在冲击电流作用下受热时的应力，并从理论和实验两方面进一步分析了外界应力对阀片热应力破坏的影响，研究认为增大均匀施加的外界压应力能阻碍阀片在冲击电流作用下出现裂纹，因此增加弱簧的压紧力能改善整支避雷器质量稳定性。     

带间隙ZnO_2避雷器

带间隙ＺｎＯ_２避雷器提出了３６～４５ｋＶ中压等级避雷器的合理结构，该避雷器应用二氧化锌阀片，并带有空气间隙，其阀片的非线性更优。结构突出的特点是间隙的结构和尺寸合理，既能起到良好的保护作用，又简化了避雷器的结构。（摘自法国专利ＦＲ２６８７２４６号１?..     

ZnO避雷器无感冲击电压测量技术的改进

ＺｎＯ避雷器无感冲击电压测量技术的改进ＺｎＯ避雷器残压试验时一般在波头有一过冲，对此现象的解释纷纭。本文提出了一种测量方法，与整体避雷器串联一片很薄的阀片抽取低电压进行测量，可测得很快的过渡过程，避免杂散电感的影响。阀片用同样的ＺｎＯ材料制成，中间带...     

高电位梯度ZnO元件在22kV～765kV SF6绝缘避雷器中的应用

ＺｎＯ元件以基准电压ＵｎｍＡ／ｍｍ来评价，新研制的高电位梯度ＺｎＯ元件的基准电压约为普通ＺｎＯ的二倍；介绍了高电位梯度ＺｎＯ元件在２２ｋＶ～７６５ｋＶＳＦ６绝缘罐式避雷器中的应用情况。     

超声波在ZnO阀片成型过程中的应用

超声波在ＺｎＯ阀片成型过程中的应用超声波在其它领域的应用是十分广泛的，但俄罗斯科学工作者已将其应用在ＺｎＯ阀片的成型过程中，使成型效率和质量大大提高：将粉料激发，使其作弹性振动，振动的频率是超音波频率，该频率有利于ＺｎＯ阀片成型。因为经该频率下振动的...     

低压ZnO压敏陶瓷的开发与应用

采用籽晶法研制低压敏电压的ＺｎＯ陶瓷，研究了ＺｎＯ陶瓷的制备工艺，测试了材料的微观结构。考查了原料种类对ＺｎＯ陶瓷电学性能的影响，并进行了ＺｎＯ压敏陶瓷的工业化实验研究。     

PVA种类及含量对ZnO压敏电阻片电性能影响研究

作为重要的过电压防护元件,ZnO压敏电阻片的性能也需要不断提高.对ZnO压敏电阻片制备工艺中聚乙烯醇(PVA)的影响进行了研究.通过对比不同PVA种类及含量对造粒的影响后发现,选用的PVA聚合度越高,烧结陶瓷的晶粒尺寸就越小;PVA的添加量越多,晶粒尺寸也越小;其次PVA的聚合度会影响到压敏陶瓷的晶界电阻和击穿场强,它们之间成正相关的趋势,但是过量添加PVA会导致其晶界电阻活化能减小,压敏特性降低,导致泄漏电流密度增大;采用低聚合度的PVA会改善电气性能,即提升其压敏特性并降低泄漏电流密度;造粒过程中,低聚合度PVA水溶液的配比与添加量对压敏电阻的晶界电阻及其活化能的影响较小.因此,造粒过程中推荐采用低聚合度、高醇解度的PVA以提高ZnO压敏电阻片电气性能的一致性.     

用剩余活性污泥处理含铬（Ⅵ）废水的实验研究

首次提出用剩余活性污泥处理合Ｃｒ（Ⅵ）废水。实验研究表明，用过２ｍｍ孔径筛的剩余活性污泥粗，在温度７５℃，Ｈ２ＳＯ４浓度０．０７５ｍｏｌ／Ｌ，污泥用量４．０ｇ，搅拌时间２５ｍｉｎ，搅拌速度２００～３００ｒ／ｍｉｎ的条件下，可使浓度为４８０ｍｇ／Ｌ，体积为１５０ｍｌＣｒ（Ⅵ）的去除率达１００％。对于低于４８０ｍｇ／ＬＣｒ（Ⅵ）的废水处理，可适当降低温度。处理垢水质除ＢＯＤ５和ＣＯＤｃｒ略高外，其余众多项目符合综合废水排放标准。该法可投入含Ｃｒ（Ⅵ）废水处理的实际应用。     

流动电流及其技术的研究与发展（下）

流动电流及其技术的研究与发展（下）陈卫，崔福义，曲久辉（哈尔滨建筑工程学院）ＰＲＯＧＲＥＳＳＩＮＲＥＳＥＡＲＣＨＡＮＤＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＯＦＳＴＲＥＡＭＩＮＧＣＵＲＲＥＮＴ￥ＣｈｅｎＷｅｉ；ＣｕｉＦｕｙｉ；ＱｕＪｉａｈｕｉ（ＨａｂｒｂｉｎＡｒｃｈ...     

化学合成瓷料对ZnO防雷阀片2ms方波通流能力的影响

对于化学合成瓷料和机械混合瓷料制得的ＺｎＯ防雷及避雷阀片的微观结构作了电子探针对比观测，得出阀片的２ｍ ｓ方波通流能力得以提高的原因在于瓷片的致密程度的提高及晶粒晶界的细致化和均匀分布